画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHP22N60E-E3 | 2.1315 | ![]() | 5738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP22 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | SIHP22N60EE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 21a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1920 pf @ 100 v | - | 227W | ||||
![]() | SI1469DH-T1-GE3 | 0.6300 | ![]() | 6496 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1469 | モスフェット(金属酸化物) | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.7a | 2.5V 、10V | 80mohm @ 2a 、10V | 1.5V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 470 PF @ 10 V | - | 1.5W | ||||
IRLZ14PBF | 1.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRLZ14 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRLZ14PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 10a(tc) | 4V、5V | 200mohm @ 6a 、5v | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 V | ±10V | 400 pf @ 25 V | - | 43W | |||||
![]() | SI8904EDB-T2-E1 | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-MICROFOOT®CSP | SI8904 | モスフェット(金属酸化物) | 1W | 6-Micro Foot™(2.36x1.56) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャネル(デュアル)共通ドレイン | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250µA | - | - | ロジックレベルゲート | ||||||
![]() | TN2404K-T1-GE3 | 0.9100 | ![]() | 6237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | TN2404 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 240 v | 200ma(ta) | 2.5V 、10V | 4OHM @ 300MA 、10V | 2V @ 250µA | 8 NC @ 10 V | ±20V | - | 360MW | |||||
![]() | TP0202K-T1-GE3 | - | ![]() | 2224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | TP0202 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 385ma(ta) | 4.5V 、10V | 1.4OHM @ 500MA 、10V | 3V @ 250µA | 1 NC @ 10 V | ±20V | 31 PF @ 15 V | - | 350MW | ||||
![]() | IRLD120PBF | 1.7500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRLD120 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRLD120PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 100 V | 1.3a(ta) | 4V、5V | 270mohm @ 780ma 、5v | 2V @ 250µA | 12 NC @ 5 V | ±10V | 490 PF @ 25 V | - | 1.3W | ||||
![]() | IRFR224trl | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | IRFR224 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 250 v | 3.8a(tc) | 10V | 1.1OHM @ 2.3A 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 2.5W (Ta )、42w(tc) | ||||
![]() | SIHF28N60EF-GE3 | 3.3075 | ![]() | 4560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | SIHF28 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 28a(tc) | 10V | 123mohm @ 14a 、10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 2714 PF @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
![]() | SI1972DH-T1-E3 | - | ![]() | 3650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1972 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 1.3a | 225mohm @ 1.3a 、10V | 2.8V @ 250µA | 2.8NC @ 10V | 75pf @ 15V | - | ||||||
IRF710 | - | ![]() | 9674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRF710 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRF710 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 400 V | 2a(tc) | 10V | 3.6OHM @ 1.2A 、10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 170 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
![]() | IRF540STRR | - | ![]() | 8233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF540 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 28a(tc) | 10V | 77mohm @ 17a 、10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 1700 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA )、 150W (TC) | ||||
![]() | IRFI9620GPBF | 2.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRFI9620 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFI9620GPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 200 v | 3a(tc) | 10V | 1.5OHM @ 1.8A 、10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 340 PF @ 15 V | - | 30W (TC) | ||||
SQJ204EP-T1_GE3 | 1.4800 | ![]() | 1991年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SQJ204 | モスフェット(金属酸化物) | 27W (TC)、48W(TC) | PowerPak®SO-8デュアル非対称 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n チャネル(デュアル)非対称 | 12V | 20a(tc | 8.3mohm @ 4a 、10v、3mohm @ 10a 、10v | 1.5V @ 250µA | 20NC @ 10V、50NC @ 10V | 1400pf @ 6V 、3700pf @ 6V | - | ||||||||
![]() | SI4390DY-T1-E3 | - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4390 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 8.5a(ta) | 4.5V 、10V | 9.5mohm @ 12.5a 、10V | 2.8V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 v | ±20V | - | 1.4W | ||||||
![]() | IRFBF20STRL | - | ![]() | 1014 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRFBF20 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 900 V | 1.7a(tc) | 10V | 8ohm @ 1a 、10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 490 PF @ 25 V | - | 3.1w | ||||
![]() | iriliz44gpbf | 2.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | iriliz44 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRLIZ44GPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 30a(tc) | 4V、5V | 28mohm @ 18a 、5v | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 V | ±10V | 3300 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||
![]() | SI4116DY-T1-E3 | 1.2500 | ![]() | 3658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4116 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 25 v | 18a(tc) | 2.5V 、10V | 8.6mohm @ 10a 、10V | 1.4V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±12V | 1925 PF @ 15 V | - | 2.5W | |||||
![]() | sihj6n65e-t1-ge3 | 2.1300 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | sihj6 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 650 V | 5.6a(tc) | 10V | 868mohm @ 3a 、10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 596 PF @ 100 V | - | 74W | |||||
![]() | SI4336DY-T1-E3 | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4336 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 17a(ta) | 4.5V 、10V | 3.25mohm @ 25a 、10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 v | ±20V | 5600 PF @ 15 V | - | 1.6W | ||||
![]() | SI1424EDH-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1424 | モスフェット(金属酸化物) | SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 4a(tc) | 4.5V | 33mohm @ 5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 18 NC @ 8 V | ±8V | - | 1.56W (TA )、2.8W(TC) | |||||
![]() | SIHA17N80E-E3 | 4.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | SIHA17 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 800 V | 15a(tc) | 10V | 290mohm @ 8.5a 、10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ±30V | 2408 PF @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||
![]() | SI2306BDS-T1-BE3 | 0.5500 | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SI2306BDS-T1-BE3TR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 3.16a(ta) | 4.5V 、10V | 47mohm @ 3.5a 、10V | 3V @ 250µA | 4.5 NC @ 5 V | ±20V | 305 PF @ 15 V | - | 750MW | ||||||
![]() | SQJ457EP-T1_GE3 | 0.9800 | ![]() | 6709 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SQJ457 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 36a(tc) | 4.5V 、10V | 25mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 100 NC @ 10 V | ±20V | 3400 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
![]() | SI4618DY-T1-GE3 | - | ![]() | 1471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4618 | モスフェット(金属酸化物) | 1.98W 、4.16W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 30V | 8a、15.2a | 17mohm @ 8a 、10V | 2.5V @ 1MA | 44NC @ 10V | 1535pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SIS454DN-T1-GE3 | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS454 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 3.7mohm @ 20a 、10V | 2.2V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±20V | 1900 pf @ 10 v | - | 3.8w | |||||
![]() | IRFD9020PBF | 1.6700 | ![]() | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9020 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFD9020PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | pチャネル | 60 V | 1.6a(ta) | 10V | 280mohm @ 960ma 、10V | 4V @ 1µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 570 PF @ 25 V | - | 1.3W | ||||
![]() | SQP120N10-09_GE3 | 2.8000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SQP120 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 100 V | 120a(tc) | 10V | 9.5mohm @ 30a 、10V | 3.5V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ±20V | 8645 PF @ 25 V | - | 375W | ||||||
![]() | IRFD024PBF | 1.7000 | ![]() | 361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD024 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFD024PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 2.5a(ta) | 10V | 100mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 640 PF @ 25 V | - | 1.3W | ||||
![]() | SI4136DY-T1-GE3 | 1.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4136 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 46a(tc) | 4.5V 、10V | 2mohm @ 15a 、10V | 2.2V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 4560 PF @ 10 V | - | 3.5W |
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