画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4483ADY-T1-GE3 | 1.2100 | ![]() | 7322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4483 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 19.2a(tc) | 4.5V 、10V | 8.8mohm @ 10a 、10V | 2.6V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±25V | 3900 PF @ 15 V | - | 2.9W (TA )、5.9W (TC) | |||||
![]() | SI1467DH-T1-BE3 | 0.6700 | ![]() | 9484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | SI1467 | モスフェット(金属酸化物) | SC-70-6 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 742-SI1467DH-T1-BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3a(ta )、2.7a(tc) | 90mohm @ 2a 、4.5V | 1V @ 250µA | 13.5 NC @ 4.5 v | ±8V | 561 PF @ 10 V | - | 1.5W | |||||
![]() | SIHA155N60EF-GE3 | 3.6600 | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | SIHA155 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHA155N60EF-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 9a(tc) | 10V | 89mohm @ 3.7a 、10V | 5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1465 PF @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
![]() | SIRA72DP-T1-GE3 | 1.2000 | ![]() | 2377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIRA72 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 3.5mohm @ 10a 、10V | 2.4V @ 250µA | 30 NC @ 4.5 v | +20V、 -16V | 3240 PF @ 20 V | - | 56.8W | |||||
![]() | IRFP450NPBF | - | ![]() | 4698 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP450 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFP450NPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 500 V | 14a(tc) | 10V | 370mohm @ 8.4a 、10V | 5V @ 250µA | 77 NC @ 10 V | ±30V | 2260 PF @ 25 V | - | 200W (TC) | |||
![]() | SI4411DY-T1-GE3 | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4411 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 13a 、10V | 3V @ 250µA | 65 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.5W | |||||
![]() | SIA444DJT-T4-GE3 | - | ![]() | 1183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SC-70-6 | SIA444 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SC-70-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 11a(ta )、 12a(tc) | 4.5V 、10V | 17mohm @ 7.4a 、10V | 2.2V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 560 PF @ 15 V | - | 3.5W (Ta )、19w(tc) | |||||
![]() | IRFD9110PBF | 1.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9110 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFD9110PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 100 V | 700ma(ta) | 10V | 1.2OHM @ 420MA 、10V | 4V @ 250µA | 8.7 NC @ 10 V | ±20V | 200 pf @ 25 v | - | 1.3W | ||||
![]() | IRFD9020 | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9020 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFD9020 | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 60 V | 1.6a(ta) | 10V | 280mohm @ 960ma 、10V | 4V @ 1µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 570 PF @ 25 V | - | 1.3W | |||
![]() | SISS71DN-T1-GE3 | 1.1100 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8S | SISS71 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 100 V | 23a(tc) | 4.5V 、10V | 59mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 250µA | 15 NC @ 4.5 v | ±20V | 1050 PF @ 50 V | - | 57W | |||||
![]() | IRFIBC40G | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | IRFIBC40 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | *IRFIBC40G | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 3.5a | 10V | 1.2OHM @ 2.1A 、10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1300 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
![]() | SI4808DY-T1-E3 | - | ![]() | 6639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | リトルフット® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4808 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a 、10V | 800MV @ 250µA | 20NC @ 10V | - | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SI8407DB-T2-E1 | - | ![]() | 5162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-MICROFOOT®CSP | SI8407 | モスフェット(金属酸化物) | 6-MICROFOOT™(2.4x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.8a(ta) | 1.8V 、4.5V | 27mohm @ 1a 、4.5v | 900MV @ 350µA | 50 NC @ 4.5 v | ±8V | - | 1.47W | |||||
![]() | IRFP9140 | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFP9140 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFP9140 | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | pチャネル | 100 V | 21a(tc) | 10V | 200mohm @ 13a 、10V | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 180W | |||
![]() | SIHB30N60AEL-GE3 | 5.9500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | エル | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB30 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 28a(tc) | 10V | 120mohm @ 15a 、10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 2565 PF @ 100 V | - | 250W | |||||
![]() | SI3407DV-T1-E3 | - | ![]() | 7620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3407 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 8a(tc) | 2.5V 、4.5V | 24mohm @ 7.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±12V | 1670 pf @ 10 v | - | 2W (TA )、4.2W(TC) | ||||
![]() | IRFR224trl | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | IRFR224 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 250 v | 3.8a(tc) | 10V | 1.1OHM @ 2.3A 、10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 260 PF @ 25 V | - | 2.5W (Ta )、42w(tc) | ||||
![]() | IRFD9020PBF | 1.6700 | ![]() | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | 4-dip (0.300 "、7.62mm) | IRFD9020 | モスフェット(金属酸化物) | 4-HVMDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFD9020PBF | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | pチャネル | 60 V | 1.6a(ta) | 10V | 280mohm @ 960ma 、10V | 4V @ 1µA | 19 NC @ 10 V | ±20V | 570 PF @ 25 V | - | 1.3W | ||||
SUP28N15-52-E3 | - | ![]() | 3391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUP28 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 150 v | 28a(tc) | 6V 、10V | 52mohm @ 5a、10V | 4.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1725 PF @ 25 V | - | 3.75W | |||||
![]() | IRFPC50LC | - | ![]() | 9050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFPC50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFPC50LC | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 11a(tc) | 10V | 600mohm @ 6.6a 、10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ±30V | 2300 PF @ 25 V | - | 190W | |||
![]() | IRFPG50 | - | ![]() | 5888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | IRFPG50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRFPG50 | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 1000 V | 6.1a(tc) | 10V | 2OHM @ 3.6A 、10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 V | ±20V | 2800 PF @ 25 V | - | 190W | |||
![]() | SI7224DN-T1-E3 | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8デュアル | SI7224 | モスフェット(金属酸化物) | 17.8W 、23W | PowerPak®1212-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 6a | 35mohm @ 6.5a 、10V | 2.2V @ 250µA | 14.5NC @ 10V | 570pf @ 15V | ロジックレベルゲート | |||||||
![]() | SIHG25N50E-GE3 | 3.8600 | ![]() | 4359 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | SIHG25 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 25 | nチャネル | 500 V | 26a(tc) | 10V | 145mohm @ 12a 、10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W | |||||
IRFB18N50KPBF | 5.0500 | ![]() | 1854年年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFB18 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | *IRFB18N50KPBF | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 500 V | 17a(tc) | 10V | 290mohm @ 10a 、10V | 5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 2830 PF @ 25 V | - | 220W | |||||
![]() | SIRC06DP-T1-GE3 | 0.3733 | ![]() | 8732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIRC06 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 32a(ta )、 60a(tc) | 4.5V 、10V | 2.7mohm @ 15a 、10V | 2.1V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | +20V、 -16V | 2455 PF @ 15 V | ショットキーダイオード(ボディ) | 5W (TA)、50W(TC) | |||||
![]() | SIHB186N60EF-GE3 | 2.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB186 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHB186N60EF-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 8.4a(tc) | 10V | 193mohm @ 9.5a 、10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1081 PF @ 100 V | - | 156W | |||||
![]() | SI7421DN-T1-GE3 | 1.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7421 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 6.4a(ta) | 4.5V 、10V | 25mohm @ 9.8a 、10V | 3V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | - | 1.5W | ||||||
![]() | SIZF916DT-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | SIZF916 | モスフェット(金属酸化物) | 3.4W (TA )、26.6W | 8-powerpair®(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 23a | 4mohm @ 10a、10v | 2.4V @ 250µA、2.2V @ 250µA | 22NC @ 10V、95NC @ 10V | 1060pf @ 15v、4320pf @ 15V | - | |||||||
![]() | SQS460ENW-T1_GE3 | 0.8900 | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8W | SQS460 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 8a(tc) | 4.5V 、10V | 36mohm @ 5.3a 、10V | 2.5V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 755 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||
![]() | SI7664DP-T1-GE3 | - | ![]() | 4873 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7664 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 40a(tc) | 4.5V 、10V | 3.1mohm @ 20a 、10v | 1.8V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±12V | 7770 PF @ 15 V | - | 5.4W |
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