| 画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQJ146ELP-T1_GE3 | 0.9400 | ![]() | 2030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SQJ146 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-sqj146elp-t1_ge3tr | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 74a(tc) | 4.5V 、10V | 5.8mohm @ 15a 、10V | 2.2V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1780 pf @ 25 v | - | 75W | ||||||||
![]() | SQJ444EP-T1_BE3 | 1.3300 | ![]() | 9631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SQJ4444EP-T1_BE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 3.2mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 5000 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||
![]() | SIS443DN-T1-GE3 | 1.5900 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS443 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 40 v | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 11.7mohm @ 15a 、10V | 2.3V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 4370 PF @ 20 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | ||||||||
![]() | SI3951DV-T1-E3 | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3951 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 2.7a | 115mohm @ 2.5a 、4.5V | 1.5V @ 250µA | 5.1NC @ 5V | 250pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||
![]() | SI7117DN-T1-E3 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SI7117 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 150 v | 2.17a | 6V 、10V | 1.2OHM @ 500MA 、10V | 4.5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 510 pf @ 25 V | - | 3.2W | ||||||||
| SUP57N20-33-E3 | 4.6700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SUP57 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | SUP57N2033E3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 200 v | 57a(tc) | 10V | 33mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ±20V | 5100 PF @ 25 V | - | 3.75W | ||||||||
![]() | SQP90P06-07L_GE3 | - | ![]() | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | SQP90 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | pチャネル | 60 V | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 6.7mohm @ 30a 、10V | 2.5V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ±20V | 14280 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||
![]() | SIHB21N65EF-GE3 | 5.0800 | ![]() | 351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB21 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 21a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ±30V | 2322 PF @ 100 V | - | 208W | ||||||||
![]() | SIHA14N60E-GE3 | 2.3700 | ![]() | 6111 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220フルパック | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-SIHA14N60E-GE3TR | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 13a(tc) | 10V | 309mohm @ 7a、10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±30V | 1205 PF @ 100 V | - | 147W | |||||||||
![]() | SI3495DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | SI3495 | モスフェット(金属酸化物) | 6-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 5.3a(ta) | 1.5V 、4.5V | 24mohm @ 7a 、4.5V | 750MV @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ±5V | - | 1.1W | ||||||||
![]() | SIS606BDN-T1-GE3 | 1.4900 | ![]() | 7649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS606 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 9.4a | 7.5V 、10V | 17.4mohm @ 10a 、10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1470 PF @ 50 V | - | 3.7W (TA )、52W(TC) | ||||||||
![]() | SIHB22N60ET1-GE3 | 3.5600 | ![]() | 9622 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | e | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | SIHB22 | モスフェット(金属酸化物) | d²pak( to-263) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 600 V | 21a(tc) | 10V | 180mohm @ 11a 、10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±30V | 1920 pf @ 100 v | - | 227W | |||||||||
| 2N4117A-2 | - | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | バルク | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | to-206af、to-72-4金属缶 | 2N4117 | 300 MW | to-206af(to-72) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 20 | nチャネル | 3PF @ 10V | 40 v | 30 µA @ 10 V | 600 mV @ 1 Na | ||||||||||||||
![]() | SIE836DF-T1-E3 | - | ![]() | 8315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 10-PolarPak® | Sie836 | モスフェット(金属酸化物) | 10-PolarPak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 200 v | 18.3a(tc) | 10V | 130mohm @ 4.1a 、10V | 4.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±30V | 1200 PF @ 100 V | - | 5.2W | |||||||
![]() | SI1072X-T1-E3 | - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | SI1072 | モスフェット(金属酸化物) | SC-89 (SOT-563F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 1.3a(ta) | 4.5V 、10V | 93mohm @ 1.3a 、10V | 3V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ±20V | 280 PF @ 15 V | - | 236MW | |||||||
![]() | SIR5623DP-T1-RE3 | 1.7100 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIR5623 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 10.5a(ta )、 37.1a(tc) | 4.5V 、10V | 24mohm @ 10a 、10V | 2.6V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1575 PF @ 30 V | - | 4.8W (TA )、 59.5W | ||||||||
![]() | SI4800BDY-T1-E3 | 0.9200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4800 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 6.5a(ta) | 4.5V 、10V | 18.5mohm @ 9a 、10V | 1.8V @ 250µA | 13 NC @ 5 V | ±25V | - | 1.3W | |||||||||
![]() | SIDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SIDR220 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8DC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 87.7a | 4.5V 、10V | 5.8mohm @ 20a 、10V | 2.1V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | +16V、-12V | 1085 PF @ 10 V | - | 6.25W | ||||||||
![]() | SIS436DN-T1-GE3 | - | ![]() | 1531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®1212-8 | SIS436 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®1212-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 25 v | 16a(tc) | 4.5V 、10V | 10.5mohm @ 10a 、10V | 2.3V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 855 PF @ 10 V | - | 3.5W (TA )、27.7W | ||||||||
| SQJ844AEP-T1_GE3 | 1.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8デュアル | SQJ844 | モスフェット(金属酸化物) | 48W | PowerPak®SO-8デュアル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 8a | 16.6mohm @ 7.6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1161pf @ 15V | - | |||||||||||
![]() | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IRFBC40 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 6.2a(tc) | 1.2OHM @ 3.7A 、10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±30V | 1036 PF @ 25 V | - | 125W | |||||||||
![]() | SIHP085N60EF-GE3 | 5.9900 | ![]() | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP085 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SIHP085N60EF-GE3 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 34a(tc) | 10V | 84mohm @ 17a 、10v | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±30V | 2733 PF @ 100 V | - | 184W | |||||||
![]() | SQ4917EY-T1_BE3 | 1.5500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 自動車、AEC-Q101 、TRENCHFET® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SQ4917 | モスフェット(金属酸化物) | 5W (TC) | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 60V | 8a(tc) | 48mohm @ 4.3a 、10V | 2.5V @ 250µA | 65NC @ 10V | 1910pf @ 30V | - | |||||||||||
![]() | sud50n10-18p-ge3 | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | sud50 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 100 V | 8.2a | 10V | 18.5mohm @ 15a 、10V | 5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 50 V | - | 3W (TA )、 136.4W (TC | |||||||
![]() | SIZ342ADT-T1-GE3 | 0.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet®geniv | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERWDFN | SIZ342 | モスフェット(金属酸化物) | 3.7W (TA )、16.7W | 8-POWER33 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 15.7a | 9.4mohm @ 10a 、10v | 2.4V @ 250µA | 12.2NC @ 10V | 580pf @ 15V | - | |||||||||
![]() | SI5905BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | SI5905 | モスフェット(金属酸化物) | 3.1W | 1206-8 Chipfet™ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 8V | 4a | 80mohm @ 3.3a 、4.5V | 1V @ 250µA | 11NC @ 8V | 350pf @ 4V | ロジックレベルゲート | |||||||||
![]() | SI4848ADY-T1-GE3 | 0.6800 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SI4848 | モスフェット(金属酸化物) | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 5.5a(tc) | 6V 、10V | 84mohm @ 3.9a 、10V | 4V @ 250µA | 9.5 NC @ 10 V | ±20V | 335 pf @ 75 v | - | 5W (TC) | ||||||||
![]() | SI7848DP-T1-E3 | - | ![]() | 5191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | trenchfet® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | PowerPak®SO-8 | SI7848 | モスフェット(金属酸化物) | PowerPak®SO-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 10.4a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 14a 、10V | 3V @ 250µA | 28 NC @ 5 V | ±20V | - | 1.83W | ||||||||
![]() | SIHP186N60EF-GE3 | 1.8610 | ![]() | 8796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | SIHP186 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 18a(tc) | 10V | 193mohm @ 9.5a 、10V | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1081 PF @ 100 V | - | 156W | ||||||||
![]() | IRF520SPBF | 1.3600 | ![]() | 750 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IRF520 | モスフェット(金属酸化物) | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 9.2a | 10V | 270mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 360 PF @ 25 V | - | 3.7W (TA )、60W(TC) |

毎日の平均RFQボリューム

標準製品ユニット

世界的なメーカー

在庫倉庫