SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード 現在-hold(ihmax) トライアックタイプ 電圧 -状態外 現在 -state(it (rms 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) 現在 -非担当者サージ50、60Hz 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) 電圧 -状態( vtm )(最大) 現在 -State 現在 -オフステート(最大) scrタイプ ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
BT136S-800E,118 WeEn Semiconductors BT136S-800E、118 0.6600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント to-252-3 BT136 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 2,500 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 800 V 4 a 1.5 v 25a 、27a 10 Ma
ACT108-600D,412 WeEn Semiconductors ACT108-600D 、412 0.1606
RFQ
ECAD 2771 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 Act108 to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 5,000 シングル 20 ma ロジック -敏感なゲート 600 V 800 Ma 900 mV 8a 、8.8a 5 Ma
BTA212-600F,127 WeEn Semiconductors BTA212-600F 、127 0.3767
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BTA212 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 30 Ma 標準 600 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 25 Ma
BT137S-600,118 WeEn Semiconductors BT137S-600,118 0.7400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント to-252-3 BT137 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 2,500 シングル 20 ma 標準 600 V 8 a 1 v 65a 、71a 70 Ma
ACTT10X-800EQ WeEn Semiconductors actt10x-800eq -
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ sicで中止されました - 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ actt10x TO-220F - ROHS準拠 1 (無制限) 934067997127 ear99 8541.30.0080 50 シングル ロジック -敏感なゲート 800 V 10 a - 10 Ma
BT1308W-400D,135 WeEn Semiconductors BT1308W-400D、135 0.0892
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BT1308 SC-73 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 934060159135 ear99 8541.30.0080 4,000 シングル 10 Ma ロジック -敏感なゲート 400 V 800 Ma 2 v 9a 、10a 5 Ma
BT169DEP WeEn Semiconductors BT169DEP 0.0646
RFQ
ECAD 4680 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 BT169 to-92-3 ダウンロード 1 (無制限) 933829190412 ear99 8541.30.0080 5,000 5 Ma 400 V 800 Ma 800 mv 8a 、9a 200 µA 1.7 v 500 Ma 100 µA 敏感なゲート
WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors WNS30H100CBJ 1.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 WNS30 ショットキー d2pak ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 710 mv @ 15 a 50 µA @ 100 V 150°C (最大)
BTA208-800B/DG,127 WeEn Semiconductors BTA208-800B/dg、127 0.3617
RFQ
ECAD 8036 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BTA208 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 60 Ma 標準 800 V 8 a 1.5 v 65a 、71a 50 Ma
BTA310-800E,127 WeEn Semiconductors BTA310-800E、127 0.4219
RFQ
ECAD 8480 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BTA310 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 934066173127 ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 800 V 10 a 1.5 v 85a 、93a 10 Ma
BTA420X-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA420X-800BT 、127 1.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ BTA420 TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 50 シングル 60 Ma 標準 800 V 20 a 1.5 v 200a 、220a 50 Ma
BT152B-600R,118 WeEn Semiconductors BT152B-600R 、118 1.3100
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント TO-263-3 BT152 d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 800 60 Ma 650 V 20 a 1.5 v 200a 、220a 32 Ma 1.75 v 13 a 1 Ma 標準回復
BTA212-600E,127 WeEn Semiconductors BTA212-600E 、127 0.3767
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BTA212 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 25 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 12 a 1.5 v 95a 、105a 10 Ma
BTA316-800ET,127 WeEn Semiconductors BTA316-800ET、127 0.4973
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BTA316 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 800 V 16 a 1.5 v 140a 、150a 10 Ma
BTA316-600D,127 WeEn Semiconductors BTA316-600D、127 0.4671
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BTA316 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 16 a 1.5 v 140a 、150a 5 Ma
BTA425X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA425X-800BTQ 1.5800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ BTA425 TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 50 シングル 75 Ma 標準 800 V 25 a 1.3 v 250a 、275a 50 Ma
BTA203-800CTEP WeEn Semiconductors BTA203-800CTEP 0.1836
RFQ
ECAD 3957 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 BTA203 to-92-3 ダウンロード 適用できない 934072051412 ear99 8541.30.0080 5,000 シングル 30 Ma 標準 800 V 3 a 1 v 27a 、30a 30 Ma
BT136B-800E,118 WeEn Semiconductors BT136B-800E 、118 0.2830
RFQ
ECAD 7739 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-263-3 BT136 d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 800 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 800 V 4 a 1.5 v 25a 、27a 10 Ma
BYV25FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV25FX-600,127 0.3465
RFQ
ECAD 1669 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byv25 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.9 V @ 5 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 5a -
BTA316X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA316X-600E、127 0.4822
RFQ
ECAD 9328 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ BTA316 TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 15 Ma ロジック -敏感なゲート 600 V 16 a 1.5 v 140a 、150a 10 Ma
NCR100W-12LX WeEn Semiconductors NCR100W-12LX 0.1403
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA NCR100 SC-73 ダウンロード 1 (無制限) 934068972115 ear99 8541.30.0080 1,000 3 Ma 1 kV 1.1 a 800 mv 11a、12.1a 50 µA 1.7 v 800 Ma 1 Ma 敏感なゲート
Z0109NA0,412 WeEn Semiconductors Z0109NA0,412 0.5000
RFQ
ECAD 9251 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して to-226-3 Z0109 to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 5,000 シングル 10 Ma ロジック -敏感なゲート 800 V 1 a 1.3 v 12.5a、13.8a 10 Ma
BT137-600G0Q WeEn Semiconductors BT137-600G0Q 0.2945
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BT137 TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) 934067824127 ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 40 Ma 標準 600 V 8 a 1 v 65a 、71a 50 Ma
BYW29E-200,127 WeEn Semiconductors BYW29E-200,127 0.9300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byw29 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 200 v 1.05 V @ 8 a 25 ns 10 µA @ 200 v 150°C (最大) 8a -
ACT108-600EQP WeEn Semiconductors ACT108-600EQP 0.1606
RFQ
ECAD 6251 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して to-226-3 Act108 to-92-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 934063938116 ear99 8541.30.0080 10,000 シングル 20 ma 標準 600 V 800 Ma 1 v 13a、14.3a 10 Ma
ACTT12B-800CTNJ WeEn Semiconductors actt12b-800ctnj 0.4747
RFQ
ECAD 2279 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-263-3 actt12 d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.30.0080 800 シングル 30 Ma 標準 800 V 12 a 1 v 120a 、132a 35 Ma
ACTT12X-800CTNQ WeEn Semiconductors actt12x-800ctnq 0.4551
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ actt12 TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 934069689127 ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 30 Ma 標準 800 V 12 a 1 v 120a 、132a 35 Ma
BT138-600G0Q WeEn Semiconductors BT138-600G0Q 0.3933
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 125°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 BT138 TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) 934069092127 ear99 8541.30.0080 1,000 シングル 60 Ma 標準 600 V 12 a 1 v 95a 、105a 100 Ma
BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors byv10ed-600pj 0.8500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byv10 標準 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 10 a 50 ns 10 µA @ 600 V 175°C (最大) 10a -
BYV29X-600AQ WeEn Semiconductors byv29x-600aq 0.9800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byv29 TO-220F - 1 (無制限) 934069808127 ear99 8541.10.0080 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫