画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | フェット機能 | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | byv32e-200pq | 0.5940 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069527127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | op526,005 | 0.4325 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | トレイ | アクティブ | OP526 | - | - | 1 (無制限) | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB100EP | 0.0878 | ![]() | 7534 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C | 穴を通して | TO-226-3 | TB100 | 2 W | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068209412 | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 700 V | 1 a | 100µA | npn | 1V @ 150ma 、750ma | 14 @ 100MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-800C/L05Q | 1.0900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934660003127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
BTA316X-800C/L03Q | 0.4759 | ![]() | 1338 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA316 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934660004127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc30b-600pj | 0.9900 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc30 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070138118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv30jt-600pq | 2.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv30 | 標準 | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 934071201127 | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 30 a | 65 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv30x-600pq | 0.9405 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv30 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | 1 (無制限) | 934071197127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV430J-600PQ | 2.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv430 | 標準 | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 934071202127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 30a | 2 V @ 30 a | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPLQSC20650WQ | - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070883127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 20a | 250pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPLQSC30650WQ | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070882127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.95 V @ 15 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 30a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC08650XQ | - | ![]() | 6979 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070153127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
NXPSC10650DJ | - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070011118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650XQ | - | ![]() | 9358 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070014127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | OF4487J | 0.3300 | ![]() | 9969 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | OF4487 | - | 1 (無制限) | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn16b-600ctj | 0.3617 | ![]() | 3034 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | Tyn16 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070957118 | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | 40 Ma | 600 V | 16 a | 1.3 v | 180a 、88a | 6 Ma | 1.6 v | 10.2 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
BYV25D-600,118 | 0.9300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv25 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 5 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV34G-600,127 | 2.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv34 | 標準 | i2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.48 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
BTA312X-800C、127 | 0.4747 | ![]() | 8184 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA312 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316B-800C、118 | 1.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA316 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | buj106a、127 | 0.4219 | ![]() | 3878 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | Buj106 | 80 w | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 V | 10 a | 100µA | npn | 1V @ 1.2a 、6a | 14 @ 500MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc20x-600,127 | 1.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc20 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 20 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV34-600,127 | 0.7920 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv34 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.48 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT108-600E 、412 | 0.1606 | ![]() | 7809 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | Act108 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 25 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 1 v | 8a 、8.8a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT151-500RT 、127 | 0.7000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 | BT151 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 500 V | 12.5 a | 1.5 v | 120a 、132a | 15 Ma | 1.75 v | 8 a | 500 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
BTA208X-1000C0,127 | 0.8500 | ![]() | 9976 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA208 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 50 Ma | 標準 | 1 kV | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29-400,127 | 0.9000 | ![]() | 787 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | BYV29-400 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV32E-100,127 | 0.5610 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV34-400,127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv34 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 20a | 1.35 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 400 V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV42E-200,127 | 1.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv42 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) |
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