画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WN3S30H100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S30 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | BT151Y-650LTFQ | 0.7300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BT151 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.5 v | 7.5 a | 10 µA | 標準回復 | |||||||||||||||
![]() | WNSC6D01650MBJ | 1.6700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 1 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 1a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
WN3S10H150CXQ | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S10 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1 V @ 5 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | WN3S10H150CQ | 0.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S10 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1 V @ 5 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | wnd10p08yq | 0.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WND10 | 標準 | IITO-220-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 10 a | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D03650MBJ | 1.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 3 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 3a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BTA202-1000CTQP | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA202 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 40 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 35 Ma | |||||||||||||||||
WN3S30H100CXQ | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S30 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||||||||||||||
WN3S20H100CXQ | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||||||||||||||
WNSC6D20650CW6Q | 5.3200 | ![]() | 465 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | ||||||||||||||||||
![]() | WN3S20H150CQ | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1.1 V @ 10 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | ||||||||||||||||||
BTA202X-1000ETQ | 0.6500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 25 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 10 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | WN3S30100CQ | 0.8300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S301 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 770 mV @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC6D16650B6J | 4.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WN3S20H100CQ | 0.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC6D166506Q | 4.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC2D401200CW6Q | 6.9000 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 40a | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 2000 v | 175°C | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D106506Q | - | ![]() | 7918 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D106506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D126506Q | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D126506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 12a | 420pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D12650T6J | - | ![]() | 4059 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D12650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 12a | 420pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D206506Q | - | ![]() | 6400 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D206506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C〜175°C | 20a | 640pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D046506Q | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D046506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D06650D6J | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D06650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D16650CW6Q | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D16650CW6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650T6J | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D10650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D04650T6J | - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D04650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650D6J | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D10650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||
BTA308X-800C0/L02Q | 0.2763 | ![]() | 2111 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA308 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 50 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 35 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D101200D6J | 1.3300 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 10a | 481pf @ 1V、1MHz |
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