画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | テスト条件 | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BTA316-600E/DGQ | 0.4671 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067507127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169H/L01EP | 0.0821 | ![]() | 3448 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 3 Ma | 800 V | 800 Ma | 800 mv | 9a 、10a | 100 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNS20S100CQ | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS20 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072011127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNS40H100CBJ | 1.6100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNS40 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800CTQ | 2.4300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | CT | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BTA425 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA425Z-800CTQ | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 20a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv30w-600pt2q | 1.0905 | ![]() | 7638 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WG50N65DHWQ | 3.5500 | ![]() | 754 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | WG50N65D | 標準 | 278 W | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WG50N65DHWQ | ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V、50a 、10ohm15V | 105 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 91 a | 200 a | 2V @ 15V、50a | 1.7MJ (オン)、600µJ | 160 NC | 66ns/163ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNB2560MQ | 1.6165 | ![]() | 1893 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | 4-sip、gbj | WNB2560 | 標準 | GBJS | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 920 mv @ 12.5 a | 10 µA @ 600 V | 25 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT258-800R、127 | 0.9500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 | BT258 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 6 Ma | 800 V | 8 a | 1.5 v | 75a 、82a | 200 µA | 1.6 v | 5 a | 500 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA2008-800D 、412 | 0.1759 | ![]() | 9965 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA2008 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 800 Ma | 2 v | 9a 、10a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA310X-600D、127 | 0.4340 | ![]() | 4706 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA310 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066174127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 10 a | 1.5 v | 85a 、93a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA308S-800ETJ | 0.3059 | ![]() | 3732 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA308 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072024118 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0109MA/L01EP | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | Z0109 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068457412 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 600 V | 1 a | 1 v | 8a 、8.5a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA202X-600E、127 | 0.2906 | ![]() | 1064 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 2 a | 1.5 v | 14a、15.4a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA2008-600E 、412 | 0.1606 | ![]() | 4298 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA2008 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 2 v | 9a 、10a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650x6Q | 6.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072089127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT151-650R、127 | 0.8000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 | BT151 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1.5 v | 120a 、132a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||||||
BT236X-600G、127 | 0.3417 | ![]() | 2517 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT236 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 40 Ma | 標準 | 600 V | 6 a | 1.5 v | 65a 、71a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312B-600B 、118 | 1.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA312 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.55 V @ 20 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 20a | 780pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV60W-600PQ | 3.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934069533127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 60a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT134-600G、127 | 0.2209 | ![]() | 3668 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | SOT-82 | BT134 | SOT-82-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA204S-600E、118 | 0.6800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA204 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA203-800ETQP | 0.4500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA203 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 20 ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 3 a | 1 v | 27a 、30a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D08650TJ | 1.2300 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D04650DJ | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA212X-600F 、127 | 0.4481 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA212 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT1308W-600D 、135 | 0.0892 | ![]() | 2173 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BT1308 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934060158135 | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 2 v | 9a 、10a | 5 Ma |
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