画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | フェット機能 | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D04650Q | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D04650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650W6Q | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | - | 1740-WNSC5D10650W6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | 0.6400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BT138-600/dg、127 | 0.4114 | ![]() | 7396 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | |||||||||||||||||||
actt10x-800etq | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | - | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | actt10x | TO-220F | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068002127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 10 a | - | 10 Ma | |||||||||||||||||||||
BT151S-500L 、118 | 0.2906 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | to-252-3 | BT151 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 20 ma | 500 V | 12 a | 1.5 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||
![]() | nur460pu | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067058112 | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4a | - | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC101200Q | 5.1150 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D06650TJ | 1.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | byc30jt-600psq | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | byc30 | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-byc30jt-600psq | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC126506Q | 3.4650 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||
BTA206X-800CT/L02Q | 0.8600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA206 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068035127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 6 a | 1 v | 60a 、66a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||
![]() | BT138-800E 、127 | 1.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 30 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 12 a | 1.5 v | 90a 、100a | 10 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | BYQ28E-200,127 | 0.7600 | ![]() | 509 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byq28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||
![]() | BYV25FB-600,118 | 0.4620 | ![]() | 8436 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv25 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||
![]() | BTA420-800CT、127 | 0.5576 | ![]() | 6483 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA420 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 40 Ma | 標準 | 800 V | 20 a | 1 v | 200a 、220a | 35 Ma | |||||||||||||||||||
BTA425X-800BTQ | 1.5800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA425 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 75 Ma | 標準 | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||
![]() | BTA225B-800BTJ | 0.8396 | ![]() | 6897 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA225 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 25 a | 1 v | 190a 、209a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||
BT137S-600F 、118 | 0.2677 | ![]() | 7225 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BT137 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||
![]() | byc30y-600pq | 0.9132 | ![]() | 1903 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | IITO-220-2L | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | actt2w-800etnf | 0.1836 | ![]() | 8626 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | actt2 | SC-73 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 800 V | 2 a | 1 v | 18a 、20a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||
![]() | op533,005 | 0.3375 | ![]() | 5733 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | トレイ | アクティブ | OP533 | - | - | 1 (無制限) | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600/dg 、412 | 0.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 5 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.8a | 3 Ma | |||||||||||||||||||
BTA202X-800E/L01,1 | 0.3204 | ![]() | 1740 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067121127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 2 a | 1.5 v | 14a、15.4a | 10 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | BTA140-600,127 | 1.6100 | ![]() | 8368 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA140 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 25 a | 1.5 v | 190a 、209a | 35 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | BTA416Y-800C、127 | 1.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA416 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 160a 、176a | 35 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | BTA412Y-800ETQ | 0.5274 | ![]() | 8981 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA412 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||
![]() | BTA204-800E、127 | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA204 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | byc5x-600pq | 1.1200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.3 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||||||||||||||||
BT145X-800RQ | 0.5545 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT145 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069196127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 60 Ma | 800 V | 25 a | 1 v | 300A、330A | 35 Ma | 1.5 v | 16 a | 1 Ma | 敏感なゲート |
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