画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | フェット機能 | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BTA208-800F 、127 | 0.3617 | ![]() | 5514 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA208 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 25 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | bta201w-800e、115 | 0.6100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BTA201 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | tyn20y-600tq | 0.4521 | ![]() | 8478 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | Tyn20 | IITO-220E | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 40 Ma | 600 V | 20 a | 1 v | 230a 、253a | 32 Ma | 1.5 v | 12.7 a | 1 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D20650CJQ | 3.4196 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | to-3pf | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | ||||||||||||||||||||
![]() | BTA416Y-600C、 127 | 1.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA416 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 35 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1.5 v | 160a 、176a | 35 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | BYC5D-500,127 | 0.3960 | ![]() | 5339 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc5 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||
WNSC6D20650WQ | 6.6800 | ![]() | 529 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D20650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 20a | 1200pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | byv29g-600pq | 0.3135 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv29 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072013127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | ||||||||||||||||||
![]() | BT169H-LML | 0.0821 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068725126 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 3 Ma | 800 V | 800 Ma | 800 mv | 9a 、10a | 50 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||
WNSC6D10650Q | 3.2800 | ![]() | 945 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D10650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 500pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D201200CW6Q | 4.1890 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | |||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600G0Q | 0.2945 | ![]() | 8743 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934067824127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 40 Ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1 v | 65a 、71a | 50 Ma | |||||||||||||||||||
BTA316X-600E、127 | 0.4822 | ![]() | 9328 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA316 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||
![]() | byc30w-600pq | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||
![]() | tyn16-600rtq | 0.3365 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | Tyn16 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066184127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 16 a | 1.3 v | 210a 、231a | 25 Ma | 1.5 v | 10.2 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||
![]() | BTA316-600E/DGQ | 0.4671 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067507127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | op528,005 | 0.1922 | ![]() | 7196 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | トレイ | アクティブ | OP528 | - | - | 1 (無制限) | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA310X-800D、127 | 0.4340 | ![]() | 3963 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA310 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066177127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 10 a | 1.5 v | 85a 、93a | 5 Ma | |||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D08650TJ | 1.2300 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800CTQ | 2.4300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | CT | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BTA425 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA425Z-800CTQ | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BT169H/L01EP | 0.0821 | ![]() | 3448 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 3 Ma | 800 V | 800 Ma | 800 mv | 9a 、10a | 100 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||
![]() | nur460pu | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067058112 | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4a | - | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC04650BJ | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070002118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BYC5B-600,118 | 0.5610 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc5 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||
![]() | BYV430K-300PQ | 1.4276 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv430 | 標準 | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069531127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 30a | 1.25 V @ 30 a | 55 ns | 10 µA @ 300 V | 175°C (最大) | |||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650BJ | - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070005118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BYR29X-600,127 | 0.5610 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYR29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||||||||||||||
![]() | byv30b-600pj | 1.2375 | ![]() | 8459 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv30 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070884118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||
![]() | BT131-600D/L01EP | 0.1150 | ![]() | 8025 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068688412 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1 v | 12.5a、13.7a | 5 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BT169G-MQP | 0.0598 | ![]() | 7303 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069794116 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 9a 、10a | 60 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート |
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