画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | tyn60k-1400tq | 2.5391 | ![]() | 7999 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | Tyn60 | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 934660026127 | ear99 | 8541.30.0080 | 450 | 200 ma | 1.4 kV | 94 a | 1 v | 750A 、825a | 80 Ma | 1.65 v | 60 a | 10 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||
![]() | BYC75W-1200PQ | 6.0000 | ![]() | 888 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc75 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072042127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 75a | - | ||||||||||||||||||
![]() | WNS30H100CBJ | 1.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNS30 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||
![]() | byv29-600pq | 0.2970 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv29 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072012127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||||||
![]() | BYV29B-600PJ | 0.4125 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072015118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||||||
BYV29D-600PJ | 0.6400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||||||||
![]() | byv29g-600pq | 0.3135 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv29 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072013127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||||||
byc30-1200pq | 1.1550 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072004127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||
![]() | NXPLQSC20650W6Q | 5.2685 | ![]() | 7020 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072086127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 20a | 250pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC086506Q | 4.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072073127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650x6Q | 6.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072089127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072076127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 500 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 20a | 600pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NXPSC16650B6J | 4.0425 | ![]() | 8520 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 16 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 16a | 534pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | NXPSC166506Q | 6.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 16 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 16a | 534pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | WNSC0650T6J | 2.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC06650T6JCT | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC08650T6J | 1.7160 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | NXPSC126506Q | 3.4650 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D08650TJ | 1.2300 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D10650DJ | 2.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
BTA308X-800C0,127 | 0.6400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | C0 | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA308 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA308X-800C0,127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 50 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800CTQ | 2.4300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | CT | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BTA425 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA425Z-800CTQ | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 35 Ma | |||||||||||||||||
![]() | WNSC2D06650TJ | 1.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D06650DJ | 1.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D04650DJ | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
BTA416X-800BTQ | 0.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | b | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA416 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA416X-800BTQ | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 16 a | 1 v | 160a 、176a | 50 Ma | ||||||||||||||||||
WNSC6D10650Q | 3.2800 | ![]() | 945 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D10650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 500pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
WNSC6D04650Q | 0.9000 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D04650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 4 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 233pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
WNSC6D20650WQ | 6.6800 | ![]() | 529 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D20650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 20a | 1200pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
WNSC6D06650Q | 1.2375 | ![]() | 9878 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D06650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 6 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 327pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BTA208X-1000C0/L01127 | - | ![]() | 4575 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BTA208X-1000C0/L01127-1740 | ear99 | 8541.30.0080 | 1 |
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