画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BT236X-600,127 | 0.3417 | ![]() | 9041 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT236 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 6 a | 1.5 v | 65a 、71a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-600ET/DGQ | 1.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934067858127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600,116 | 0.4600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 5 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.8a | 3 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
buj303ad 、118 | 0.3212 | ![]() | 8959 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | Buj303 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800BTQ | 2.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | bt | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BTA425 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA425Z-800BTQ | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | シングル | 75 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169D-L 、116 | 0.4100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 1 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 50 µA | 1.7 v | 500 Ma | 2 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | byc15-1200pq | 1.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc15 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072039127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.2 V @ 15 a | 61 ns | 100 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC04650T6J | 1.0313 | ![]() | 1979年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 141pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BTA202X-800D、127 | 0.2906 | ![]() | 4564 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 5 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 2 a | 1.5 v | 14a、15.4a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
BTA204S-600D 、118 | 0.7000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA204 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 6 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
BT137X-600F/L02Q | 0.2875 | ![]() | 8708 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT137 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068458127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1 v | 65a 、71a | 70 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0.3699 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 2 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 v | 175°C | 2a | 95pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BT151S-800R 、118 | 0.8300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | to-252-3 | BT151 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 20 ma | 800 V | 12 a | 1.5 v | 120a 、132a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||
BT236X-800G/L02Q | 0.3670 | ![]() | 1740 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT236 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934067771127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 40 Ma | 標準 | 800 V | 6 a | 1 v | 65a 、71a | 100 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13003A 、412 | 0.0720 | ![]() | 6599 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | phe13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063927412 | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 400 V | 1 a | 1ma | npn | 1.5V @ 250ma 、750ma | 10 @ 400MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tyn30-800tq | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | Tyn30 | TO-220E | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 60 Ma | 800 V | 30 a | 1 v | 350a、385a | 15 Ma | 1.5 v | 19 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WB75FC65ALZ | 1.2113 | ![]() | 2969 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB75 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 650 V | 2.75 V @ 75 a | 50 ns | 10 µA @ 650 v | 175°C | 75a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV415K-600PQ | 2.5100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv415 | 標準 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 2.1 V @ 15 a | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | 1.0400 | ![]() | 112 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byw29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | byq72ek-200q | 1.0905 | ![]() | 3189 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byq72 | 標準 | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068786127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 900 mV @ 15 a | 25 ns | 20 µA @ 600 v | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC08650B6J | 4.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BTA208X-800B/L02Q | 0.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA208 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068032127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
BT151X-650LTNQ | 0.6600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT151 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.5 v | 7.5 a | 1 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||
BTA308X-800ETQ | 0.3365 | ![]() | 2890 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA308 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072026127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-800E、127 | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXL0840,412 | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-226-3 | NXL0840 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934061332412 | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | MAC97A8,412 | 0.4500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | MAC97 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 600 Ma | 2 v | 8a 、8.8a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WN3S40100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S40 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 780 mV @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13003A、126 | 0.0720 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | phe13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063927126 | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 400 V | 1 a | 1ma | npn | 1.5V @ 250ma 、750ma | 10 @ 400MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
BTA330X-800BTQ | 1.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA330 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 75 Ma | 標準 | 800 V | 30 a | 1.3 v | 270a 、297a | 50 Ma |
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