画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BT151X-650LTNQ | 0.6600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT151 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.5 v | 7.5 a | 1 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||||
BTA308X-800ETQ | 0.3365 | ![]() | 2890 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA308 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072026127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA201-800E 、112 | 0.2283 | ![]() | 2234 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-226-3 | BTA201 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-800E、127 | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXL0840,412 | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-226-3 | NXL0840 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934061332412 | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW29EX-200,127 | 1.1600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byw29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 8 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC12650WQ | 2.5579 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-WNSC12650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 328pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAC97A8,412 | 0.4500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | MAC97 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 600 Ma | 2 v | 8a 、8.8a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA212-800B 、127 | 0.5726 | ![]() | 6412 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA212 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
BTA312X-600E/DGQ | 0.4822 | ![]() | 4278 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA312 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067484127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600-0Q | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067823127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | - | 標準 | 600 V | 8 a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WN3S40100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S40 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 780 mV @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13003A、126 | 0.0720 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | phe13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063927126 | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 400 V | 1 a | 1ma | npn | 1.5V @ 250ma 、750ma | 10 @ 400MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
BTA330X-800BTQ | 1.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA330 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 75 Ma | 標準 | 800 V | 30 a | 1.3 v | 270a 、297a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
BTA208X-600B 、127 | 0.3541 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA208 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650B6J | 6.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT139-600,127 | 0.9900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT139 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 45 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1.5 v | 155a 、170a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
BTA420X-800CT/L02Q | 1.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA420 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068604127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 40 Ma | 標準 | 800 V | 20 a | 1 v | 200a 、220a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc75w-600pt2q | 2.8800 | ![]() | 600 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 1740-byc75w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 75 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 75a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv30-600pq | 0.9405 | ![]() | 2050 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byv30 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934071198127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | WDMF75 | 標準 | WMM01 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 1.25 V @ 75 a | 50 µA @ 1600 v | 75 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600E/DG | 0.2753 | ![]() | 9259 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067231127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 20 ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136-600E/L01,127 | 0.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT136 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv415j-600pq | 1.2375 | ![]() | 1012 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | byv415 | - | to-3pf | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934071203127 | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn20b-800t 、118 | 0.5123 | ![]() | 6758 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | TO-263-3 | Tyn20 | d2pak | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | 40 Ma | 800 V | 20 a | 1.3 v | 210a 、231a | 32 Ma | 1.5 v | 12.7 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc30dw-600pq | 1.2888 | ![]() | 7925 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072031127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.3 V @ 30 a | 33 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||
NXPSC06650DJ | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070007118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA204-600B 、127 | 0.2524 | ![]() | 1542 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA204 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
BTA208X-800F 、127 | 0.3767 | ![]() | 7998 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA208 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、72a | 25 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
BTH151S-650R 、118 | 0.3843 | ![]() | 5175 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | to-252-3 | BTH151 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1.5 v | 110a 、121a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫