画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BTA204X-800E/L03Q | 0.2793 | ![]() | 9930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA204 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068692127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 4 a | 1 v | 25a 、27a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-800G、127 | 0.9800 | ![]() | 9843 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC10650B6J | 6.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169G/dG 、126 | 0.0800 | ![]() | 8537 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | - | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | actt6-800e 、127 | 0.3212 | ![]() | 7299 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | actt6 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 934065708127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 25 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 6 a | 51a 、56a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D051200D6J | 0.7632 | ![]() | 5175 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 5a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13003A、126 | 0.0720 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | phe13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063927126 | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 400 V | 1 a | 1ma | npn | 1.5V @ 250ma 、750ma | 10 @ 400MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC10D-600,127 | 0.4125 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc10 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.5 V @ 10 a | 18 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC401200CWQ | 11.5500 | ![]() | 6471 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC4 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.75 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 v | 175°C (最大) | 40a | 810pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA310-600C、127 | 0.4219 | ![]() | 8269 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA310 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066168127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 600 V | 10 a | 1.5 v | 85a 、93a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA216-600F 、127 | 0.5355 | ![]() | 3633 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA216 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 25 Ma | |||||||||||||||||||||||||
BTA208X-800B 、127 | 0.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA208 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
BTA202X-800D、127 | 0.2906 | ![]() | 4564 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 5 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 2 a | 1.5 v | 14a、15.4a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D301200W6Q | 5.3483 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 30 a | 0 ns | 150 µA @ 1.2 kV | -55°C〜175°C | 30a | 1407pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BT151S-650L 、118 | 0.8100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | to-252-3 | BT151 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1.5 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | actt8b-800ctnj | 0.4370 | ![]() | 9145 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | actt8 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 40 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1 v | 80a 、88a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650X6Q | - | ![]() | 1726 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D10650X6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD13003C 、412 | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | PhD13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 400 V | 1.5 a | 100µA | npn | 1.5V @ 500MA 、1.5a | 5 @ 1a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV34-500,127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv34 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 20a | 1.35 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT155W-1200T-AQ | 2.1414 | ![]() | 7293 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | BT155 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 240 | 200 ma | 1.2 kv | 79 a | 1 v | 650A 、715a | 50 Ma | 1.5 v | 50 a | 3 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||
BTA204S-800E、118 | 0.7200 | ![]() | 6949 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA204 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169HML | 0.3900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 3 Ma | 800 V | 800 Ma | 800 mv | 9a 、10a | 100 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | actt10-800cq | 0.4219 | ![]() | 8170 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | actt10 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067998127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 55 Ma | 標準 | 800 V | 10 a | 1.2 v | 90a 、99a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||
OT332,127 | - | ![]() | 4439 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | - | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | OT332 | TO-220F | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 934052610127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 標準 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA2008-1000DN/L03EP | 0.0986 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | DT-Triac™ | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BTA2008 | to-92-3 | ダウンロード | 適用できない | 934072056412 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 1 kV | 800 Ma | 1 v | 9a、9.9a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYR29-800,127 | 0.4785 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | BYR29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.5 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA2008-1000D、126 | 0.0986 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA2008 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 1 kV | 800 Ma | 1 v | 9a、9.9a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC06650BJ | - | ![]() | 1904年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070003118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Phe13009/dg、127 | 0.3166 | ![]() | 2624 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | phe13 | 80 w | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 12 a | 100µA | npn | 2V @ 1.6a 、8a | 8 @ 5a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | wnd45p16wq | 3.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WND45 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.4 V @ 45 a | 10 µA @ 1600 v | 150°C | 45a | - |
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