画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BT151S-650SJ | 0.2983 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BT151 | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 6 Ma | 650 V | 12 a | 1 v | 90a 、100a | 200 µA | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D20650CWQ | 5.1300 | ![]() | 480 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D20650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650B6J | - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D10650B6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D08650D6J | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D08650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV410-600,127 | 1.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv410 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||
buj302ax、127 | 0.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | buj302 | 26 W | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 a | 250µA | npn | 1.5V @ 1a 、3.5a | 25 @ 800ma、3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
BT137X-600,127 | 0.7400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT137 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT151U-650C、 127 | 0.2906 | ![]() | 2658 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-251-3 | BT151 | i-pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 3,750 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1.5 v | 100a 、110a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||
actt4x-800e、127 | 0.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | actt4 | TO-220F | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 934066051127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 20 ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 4 a | 1 v | 35a、39a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
WN3S30100CXQ | 0.8700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S301 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 770 mV @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC106506Q | 6.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072075127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169G、126 | 0.4900 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | - | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | BTA416Y-800B 、127 | 1.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA416 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 160a 、176a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-800EQP | 0.1183 | ![]() | 1769 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934058139116 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 800 V | 1 a | 1 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA410Y-600ET、127 | 1.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA410 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 10 a | 1.5 v | 100a 、110a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312-800C/DG、127 | 0.4521 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA312 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-800E 、412 | 0.1183 | ![]() | 3902 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC20650W6Q | 8.6300 | ![]() | 707 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072090127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | byv32eb-200pj | 0.4950 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv32 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072017118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD13003C 、412 | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | PhD13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 400 V | 1.5 a | 100µA | npn | 1.5V @ 500MA 、1.5a | 5 @ 1a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA310-600C、127 | 0.4219 | ![]() | 8269 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA310 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066168127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 600 V | 10 a | 1.5 v | 85a 、93a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||
![]() | N0118GA 、412 | 0.1175 | ![]() | 5219 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-226-3 | N0118 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 7 µA | 1.95 v | 510 Ma | 10 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-800G、127 | 0.9800 | ![]() | 9843 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||
actt10x-800ctq | 0.4370 | ![]() | 8711 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | actt10 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068004127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 55 Ma | 標準 | 800 V | 10 a | 1.2 v | 90a 、99a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | bujd203a 、127 | 0.3182 | ![]() | 5950 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | bujd2 | 80 w | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 425 v | 4 a | 100µA | npn | 1V @ 600MA、3a | 11 @ 2a 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600-0TQ | 0.2945 | ![]() | 3760 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068519127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 40 Ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1 v | 65a 、71a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||
![]() | byv10x-600pq | 0.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv10 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 20 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | buj100lr 、412 | 0.0626 | ![]() | 9203 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BUJ100 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 400 V | 1 a | 1ma | npn | 1.5V @ 250ma 、750ma | 10 @ 400MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | byq28e-200e 、127 | 0.7200 | ![]() | 4801 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byq28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||
BTA308X-800B0Q | 0.3918 | ![]() | 4199 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA308 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069051127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 50 Ma |
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