画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BT169D-L 、116 | 0.4100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 1 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 50 µA | 1.7 v | 500 Ma | 2 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BT149G、126 | 0.4400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | - | 穴を通して | to-226-3 | BT149 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC20650WQ | - | ![]() | 3444 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-247-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070881127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0107NA 、116 | 0.1150 | ![]() | 1948年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | Z0107 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.3 v | 8a 、8.5a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
BYQ28X-200,127 | 0.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byq28 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||
WN3S20H150CXQ | 0.7900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1.1 V @ 10 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
BTA212X-800B 、127 | 1.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA212 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA216-600E 、127 | 0.5355 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA216 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 25 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-600E、127 | 1.0400 | ![]() | 397 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 30 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv60w-600pt2q | 2.8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 1740-byv60w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 60 a | 79 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WBSF30FC120ALV | 1.2113 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WBSF30 | 標準 | ウェーハ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.5 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA201-800ER 、412 | 0.2283 | ![]() | 9879 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-226-3 | BTA201 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.5 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136-600D、127 | 0.6800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT136 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT151-1000RT、127 | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | BT151 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 1 kV | 12 a | 1.5 v | 120a、131a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 2.5 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
BYW29ED-200,118 | 1.0400 | ![]() | 112 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byw29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||
buj302ax、127 | 0.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | buj302 | 26 W | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 a | 250µA | npn | 1.5V @ 1a 、3.5a | 25 @ 800ma、3V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT108-600D/DG、126 | 0.1606 | ![]() | 6310 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | Act108 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066533126 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | シングル | 20 ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 900 mV | 8a 、8.8a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-800B 、127 | 1.2300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D101200WQ | 4.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D101200Q | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | 10a | 490pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT234-800D、127 | 0.7400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT234 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 6 Ma | 標準 | 800 V | 4 a | 1 v | 35a @ 50Hz | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-800E/DG、127 | - | ![]() | 3183 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 30 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 12 a | 1.5 v | 90a 、100a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
BT234X-800D、127 | 0.2639 | ![]() | 5225 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT234 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934065724127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 6 Ma | 標準 | 800 V | 4 a | 1 v | 35a @ 50Hz | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV25G-600,127 | 0.4455 | ![]() | 4329 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv25 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063968127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 5 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | bt134w-600e、115 | 0.5700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BT134 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1.5 v | 10a 、11a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA425Z-800BTQ | 2.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | bt | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BTA425 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-BTA425Z-800BTQ | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | シングル | 75 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316X-600E/DG127 | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-BTA316X-600E/DG127-1740 | ear99 | 8541.30.0080 | 628 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NXPSC06650DJ | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070007118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | OT407,126 | - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | sicで中止されました | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | OT407 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934062053126 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 標準 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-600ET/DGQ | 1.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934067858127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA410-800ET、127 | 0.4596 | ![]() | 4219 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA410 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066145127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 10 a | 1.5 v | 100a 、110a | 10 Ma |
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