画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D10650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600EQP | 0.3700 | ![]() | 69 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | murs160j | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | スマエ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | 175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA202-1000ETEP | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BTA202 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 25 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn16-600ctfq | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | Tyn16 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 16 a | 1 v | 188a 、207a | 10 Ma | 1.6 v | 10.2 a | 10 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
WNSC2D30650CWQ | 6.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA202-1000ETQP | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA202 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 25 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
BTA202X-1000CTQ | 0.6500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 40 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA203-800ETQP | 0.4500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA203 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 20 ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 3 a | 1 v | 27a 、30a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn30-600tfq | 1.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | Tyn30 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 30 a | 1 v | 360a、396a | 10 Ma | 1.5 v | 19 a | 10 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.55 V @ 20 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 20a | 780pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byv32eb-300pj | 0.6237 | ![]() | 7112 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv32 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 20a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | 175°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||
BT151X-650LTFQ | 0.2646 | ![]() | 7247 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT151 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.54 v | 7.5 a | 1 Ma | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | bt168gw、135 | 0.1144 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BT168 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | 5 Ma | 600 V | 1 a | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 630 Ma | 100 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | BT152-1200TQ | 1.5100 | ![]() | 7314 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT152 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 60 Ma | 1.2 kv | 31 a | 1 v | 250a 、275a | 35 Ma | 1.5 v | 20 a | 2 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BT151-650LTNQ | 0.6400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT151 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.5 v | 7.5 a | 1 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC101200CWQ | 6.4099 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 250pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
ACTT4X-800C/DGQ | 0.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | actt4 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 35 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 4 a | 1 v | 35a、39a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC101200Q | 5.1150 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn80w-1600tq | 6.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | Tyn80 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | 200 ma | 1.6 kV | 126 a | 1 v | 850A 、930A | 80 Ma | 1.47 v | 80 a | 10 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||
![]() | NCR125W-125MX | 0.1438 | ![]() | 6669 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | NCR125 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 10 Ma | 1.25 kv | 1.25 a | 800 mv | 20a 、22a | 100 µA | 1.5 v | 800 Ma | 1 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||
![]() | tyn50w-1600tq | 2.1414 | ![]() | 2577 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | Tyn50 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 240 | 200 ma | 1.6 kV | 79 a | 1 v | 650A 、715a | 80 Ma | 1.3 v | 50 a | 10 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||
![]() | WNS40H100CGQ | 0.6930 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | WNS40 | ショットキー | TO-262 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | - | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC101200WQ | 5.4441 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | wnd10p08xq | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND10 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 10 a | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | wnsc201200wq | 9.3555 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 20 a | 0 ns | 220 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 20a | 1020pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
byv410x-600pq | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.75 V @ 16 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
BTA408X-1000C0T、127 | 0.8600 | ![]() | 658 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA408 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 40 Ma | 標準 | 1 kV | 8 a | 1 v | 100a 、110a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
bujd105ad 、118 | 0.3365 | ![]() | 3854 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | bujd1 | 80 w | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 V | 8 a | 100µA | npn | 1V @ 800MA 、4a | 13 @ 500MA 、5V | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫