画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC101200Q | 5.1150 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 510pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
BTA425X-800BTQ | 1.5800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA425 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 75 Ma | 標準 | 800 V | 25 a | 1.3 v | 250a 、275a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc5x-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT169D 、112 | 0.4900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 400 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BT134-600G、127 | 0.2209 | ![]() | 3668 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | SOT-82 | BT134 | SOT-82-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV60W-600PQ | 3.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934069533127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 60a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT8-800C0Q | 0.3888 | ![]() | 7876 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | actt8 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934067393127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 8 a | 1 v | 80a 、88a | 30 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC6D16650CW6Q | 4.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D06650DJ | 1.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA412Y-600B 、127 | 1.2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA412 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1.5 v | 140a 、153a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc30wt-600pq | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byc30 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068091127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC08650T6J | 1.7160 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA2008-600E 、412 | 0.1606 | ![]() | 4298 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA2008 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 12 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 2 v | 9a 、10a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV42EB-200,118 | 1.6800 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv42 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
BT145X-800RQ | 0.5545 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT145 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069196127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 60 Ma | 800 V | 25 a | 1 v | 300A、330A | 35 Ma | 1.5 v | 16 a | 1 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||
NXPSC06650Q | - | ![]() | 8998 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | nurs360bj | - | ![]() | 2146 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | nurs360 | 標準 | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067461118 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1 V @ 3 a | 75 ns | 175°C (最大) | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||
OT397,118 | - | ![]() | 8588 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | - | 表面マウント | to-252-3 | OT397 | dpak | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 標準 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mac97a8,116 | 0.4500 | ![]() | 46 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | MAC97 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 600 Ma | 2 v | 8a 、8.8a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D0512006Q | 0.8343 | ![]() | 8420 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 5a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT152B-800R 、118 | 0.5425 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | TO-263-3 | BT152 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | 60 Ma | 800 V | 20 a | 1.5 v | 200a 、220a | 32 Ma | 1.75 v | 13 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-800E/L01EP | 0.1183 | ![]() | 9343 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934068979412 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 800 V | 1 a | 1 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
BT136S-600E、118 | 0.6600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BT136 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
BTA420X-800BT 、127 | 1.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA420 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 20 a | 1.5 v | 200a 、220a | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NCR100W-10MX | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | NCR100 | SC-73 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 3 Ma | 850 v | 1.1 a | 800 mv | 11a、12.1a | 100 µA | 1.7 v | 800 Ma | 1 Ma | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ100,126 | 0.1183 | ![]() | 4770 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BUJ100 | 2 W | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 93405572126 | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 400 V | 1 a | 100µA | npn | 1V @ 150ma 、750ma | 9 @ 750MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT108W-600E、135 | 0.4700 | ![]() | 79 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | Act108 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | シングル | 25 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 800 Ma | 1 v | 8a 、8.8a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhD13003C、126 | 0.0861 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | PhD13 | 2.1 w | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063921126 | ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 400 V | 1.5 a | 100µA | npn | 1.5V @ 500MA 、1.5a | 5 @ 1a 、2V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV32E-150,127 | 1.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 150 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316Y-800CTQ | 1.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | IITO-220E | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 40 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1 v | 160a 、176a | 35 Ma |
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