画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BTA316-800CTQ | 0.4219 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072037127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 35 Ma | ||||||||||||||||
![]() | WNSC2D20650CWQ | 5.1300 | ![]() | 480 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D20650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||||||||||||
BT151X-650LTNQ | 0.6600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT151 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.5 v | 7.5 a | 1 Ma | 敏感なゲート | ||||||||||||||||
![]() | BTA41-800BQ | 3.3000 | ![]() | 197 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BTA41 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 93460057127 | ear99 | 8541.30.0080 | 450 | シングル | 80 Ma | 標準 | 800 V | 40 a | 1.3 v | 400a 、440a | 70 Ma | ||||||||||||||||
![]() | WNSC2D06650Q | 1.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D06650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | BTA203-800ETEP | 0.4500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BTA203 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 20 ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 3 a | 1 v | 27a 、30a | 10 Ma | ||||||||||||||||||
BTA312X-800B 、127 | 1.1800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA312 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BTA316B-600E、118 | 0.4973 | ![]() | 9202 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA316 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BYV29-500,127 | 0.9300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byv29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||||||
![]() | BTA316B-800B 、118 | 0.5123 | ![]() | 9197 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA316 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 50 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT134W-600,115 | 0.5700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BT134 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | 標準 | 600 V | 1 a | 1.5 v | 10a 、11a | 35 Ma | |||||||||||||||||
![]() | Z0103NA 、412 | 0.1150 | ![]() | 1068 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | Z0103 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 7 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.3 v | 8a 、8.5a | 3 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BYV410-600PQ | 0.4219 | ![]() | 9831 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv410 | 標準 | TO-220E | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | |||||||||||||||||||
![]() | byc30-600p 、127 | 2.7400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 30 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||
BT236X-600,127 | 0.3417 | ![]() | 9041 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT236 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 6 a | 1.5 v | 65a 、71a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
BT137X-600F 、127 | 0.2677 | ![]() | 8713 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT137 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 25 Ma | ||||||||||||||||||
BT152X-400R、127 | 0.4973 | ![]() | 7540 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT152 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 60 Ma | 450 v | 20 a | 1.5 v | 200a 、220a | 32 Ma | 1.75 v | 13 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||
![]() | WNSC5D066506Q | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D066506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BTA212-600D、127 | 0.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA212 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 5 Ma | |||||||||||||||||
actt4x-800e、127 | 0.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | actt4 | TO-220F | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 934066051127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 20 ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 4 a | 1 v | 35a、39a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BTA216-600B 、127 | 0.4521 | ![]() | 8507 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA216 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 50 Ma | |||||||||||||||||
BTA316X-600C/L03Q | 0.4632 | ![]() | 2149 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA316 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934660005127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 35 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BTA312-600D/dg、127 | 0.4521 | ![]() | 5981 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA312 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 5 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT131-800EQP | 0.1183 | ![]() | 1769 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT131 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934058139116 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 800 V | 1 a | 1 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | Z0103NN、135 | 0.5000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | Z0103 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | シングル | 7 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.3 v | 8a 、8.5a | 3 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BYT28-300,127 | 0.5280 | ![]() | 9594 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | BYT28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.4 V @ 10 a | 60 ns | 10 µA @ 300 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||
![]() | BT137-600E/L01,127 | 0.2957 | ![]() | 1025 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934031320127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 20 ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 35 Ma | ||||||||||||||||
![]() | BT151-650LTFQ | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT151 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 650 V | 12 a | 1 v | 120a 、132a | 5 Ma | 1.5 v | 7.5 a | 10 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||
![]() | BTA410Y-600ET、127 | 1.2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA410 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 10 a | 1.5 v | 100a 、110a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | NXPSC20650W6Q | 8.6300 | ![]() | 707 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072090127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) |
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