画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在-hold(ihmax) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | byv32eb-200pj | 0.4950 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv32 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072017118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175°C (最大) | ||||||||||||||||
![]() | tyn16y-600ctfq | 0.8400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | Tyn16 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 16 a | 1 v | 188a 、207a | 10 Ma | 1.6 v | 10.2 a | 10 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||
WNSC6D08650Q | 1.5900 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D08650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 402pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BT169GEP | 0.4900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||
BTA212X-600D、127 | 0.4481 | ![]() | 5102 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA212 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 5 Ma | ||||||||||||||||||
BTA204X-800C、127 | 0.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA204 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 20 ma | 標準 | 800 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
BTA308X-800ETQ | 0.3365 | ![]() | 2890 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA308 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072026127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 50 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 8 a | 1 v | 60a 、65a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT169G-LML | 0.0790 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT169 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934066107126 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 1 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 50 µA | 1.7 v | 500 Ma | 2 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||
![]() | BT151U-800C、 127 | 0.3212 | ![]() | 9994 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-251-3 | BT151 | i-pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 3,750 | 20 ma | 800 V | 12 a | 1.5 v | 100a 、110a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | |||||||||||||||
BT152X-800R、127 | 1.3200 | ![]() | 4181 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT152 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 60 Ma | 800 V | 20 a | 1.5 v | 200a 、220a | 32 Ma | 1.75 v | 13 a | 1 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||||
BTA312X-800C/L01,1 | 0.5092 | ![]() | 5291 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA312 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067122127 | ear99 | 8541.30.0080 | 600 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BTA212B-800B 、118 | 0.6329 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA212 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 50 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT136-600E/L01,127 | 0.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT136 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | actt10-800etq | - | ![]() | 1705 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | - | 穴を通して | TO-220-3 | ACTT10-800 | TO-220AB | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068001127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 10 a | - | 10 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | WNSC12650WQ | 2.5579 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-WNSC12650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 328pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | Z0107NA0,412 | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | Z0107 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 1 a | 1.3 v | 12.5a、13.8a | 5 Ma | |||||||||||||||||
BTA312X-600E/DGQ | 0.4822 | ![]() | 4278 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA312 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067484127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 10 Ma | |||||||||||||||||
BTA204S-1000C 、118 | 0.2677 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | BTA204 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 20 ma | 標準 | 1 kV | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BTA312-600CT、127 | 0.4521 | ![]() | 8272 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA312 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT158W-1200TQ | 6.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | BT158 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934070829127 | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | 200 ma | 1.2 kv | 126 a | 1 v | 1100a、1210a | 70 Ma | 1.65 v | 80 a | 3 Ma | 標準回復 | ||||||||||||||
![]() | BTA416Y-800B 、127 | 1.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BTA416 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 60 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1.5 v | 160a 、176a | 50 Ma | |||||||||||||||||
![]() | N0118GA 、412 | 0.1175 | ![]() | 5219 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-226-3 | N0118 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 7 µA | 1.95 v | 510 Ma | 10 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0.3699 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 2 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 v | 175°C | 2a | 95pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SK8DJ | 0.4125 | ![]() | 1280 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | SK8D | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072035118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 8 a | 50 µA @ 800 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||||||||||||
![]() | WNSC5D04650D6J | - | ![]() | 6469 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D04650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BTA202W-1000ETF | 0.4500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BTA202 | SC-73 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | シングル | 25 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 10 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BTA316-600B0Q | 0.5425 | ![]() | 5378 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067452127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 50 Ma | ||||||||||||||||
![]() | BTA202W-1000CTF | 0.4500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BTA202 | SC-73 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | シングル | 40 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 35 Ma | ||||||||||||||||||
![]() | BT138Y-800E、127 | 0.5584 | ![]() | 8470 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 30 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 10 Ma | |||||||||||||||||
![]() | BT137-600E/DG | 0.2753 | ![]() | 9259 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067231127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 20 ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 10 Ma |
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