画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D08650Q | 2.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D08650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc30jt-600psq | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | byc30 | 標準 | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-byc30jt-600psq | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D04650Q | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D04650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCR100W-10MF | 0.1350 | ![]() | 4461 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | MCR100 | SC-73 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | 3 Ma | 1 kV | 1.25 a | 800 mv | 23a @ 50Hz 、25a @ 60Hz | 90 µA | 1.45 v | 800 Ma | 1 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D10650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600EQP | 0.3700 | ![]() | 69 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 1 a | 1 v | 12.5a、13.7a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | murs160j | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | スマエ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | 175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA202-1000ETEP | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BTA202 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 25 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn16-600ctfq | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | Tyn16 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 16 a | 1 v | 188a 、207a | 10 Ma | 1.6 v | 10.2 a | 10 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
WNSC2D30650CWQ | 6.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA202-1000ETQP | 0.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA202 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 25 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
BTA202X-1000CTQ | 0.6500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA202 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 40 Ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 1 kV | 2 a | 1 v | 25a 、27.5a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA203-800ETQP | 0.4500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BTA203 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 20 ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 3 a | 1 v | 27a 、30a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn30-600tfq | 1.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | Tyn30 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 Ma | 600 V | 30 a | 1 v | 360a、396a | 10 Ma | 1.5 v | 19 a | 10 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.55 V @ 20 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 20a | 780pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc30y-600pq | 0.9132 | ![]() | 1903 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | IITO-220-2L | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WCR03-12WMX | 0.1621 | ![]() | 8314 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | WCR03 | SC-73 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 4,000 | 5 Ma | 1.25 kv | 1.25 a | 800 mv | 20a 、22a | 90 µA | 1.3 v | 800 Ma | 1 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WB45SD160ALZ | 0.8063 | ![]() | 4544 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB45 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.4 V @ 45 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 45a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNC3060D45160WQ | 2.2193 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | WNC3060 | - | 600 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WCR03-12MEP | 0.1621 | ![]() | 9671 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-226-3 | WCR03 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 1.25 kv | 1.25 a | 800 mv | 20a 、22a | 90 µA | 1.3 v | 800 Ma | 1 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2M1K0170WQ | 3.7616 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 240 | nチャネル | 1700 v | 7a(ta) | 15V、18V | 1OHM @ 1A、18V | 4.2V @ 800µA | 12 NC @ 18 V | +22V、-10V | 225 pf @ 1000 v | - | 79W (TA | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA203-800ET/L01EP | 0.1391 | ![]() | 8313 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-226-3 | BTA203 | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 2,000 | シングル | 20 ma | オルタナイマ -スナッバーレス | 800 V | 3 a | 1 v | 27a 、30a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tyn50y-800tq | 0.6165 | ![]() | 8676 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | TO-220-3分離タブ | Tyn50 | TO-220AB | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 60 Ma | 800 V | 50 a | 1.2 v | 500A 、550A | 15 Ma | 1.65 v | 32 a | 5 µA | 標準回復 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | wnscm80120wq | 8.2460 | ![]() | 4369 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | WNSCM80120 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-3 | - | ear99 | 8541.29.0095 | 600 | nチャネル | 1200 v | 42a(ta) | 20V | 98mohm @ 20a 、20V | 4.5V @ 6MA | 59 NC @ 20 V | +25V、-10V | 1350 pf @ 1000 v | - | 230W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSCM80120RQ | 9.2597 | ![]() | 3688 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | WNSCM80120 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-4L | - | ear99 | 8541.29.0095 | 240 | nチャネル | 1200 v | 45a(ta) | 20V | 98mohm @ 20a 、20V | 4.5V @ 6MA | 59 NC @ 20 V | +25V、-10V | 1350 pf @ 1000 v | - | 270W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNB2560MQ | 1.6165 | ![]() | 1893 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | 4-sip、gbj | WNB2560 | 標準 | GBJS | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 920 mv @ 12.5 a | 10 µA @ 600 V | 25 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA330B-800BTJ | 0.7482 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA330 | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 75 Ma | 標準 | 800 V | 30 a | 1.3 v | 270a 、297a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA330B-800CTJ | 0.7482 | ![]() | 5521 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA330 | d2pak | ダウンロード | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 50 Ma | 標準 | 800 V | 30 a | 1.3 v | 270a 、297a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D301200CW6Q | 5.6835 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C |
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