画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | フェットタイプ | 現在-hold(ihmax) | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | トライアックタイプ | 電圧 -状態外 | 現在 -state(it (rms | 電圧 -ゲートトリガー( vgt )(最大) | 現在 -非担当者サージ50、60Hz | 現在 -ゲートトリガー( Igt )(最大) | 電圧 -状態( vtm )(最大) | 現在 -State | 現在 -オフステート(最大) | scrタイプ | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BT151X-800R/DG、127 | 0.8100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT151 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 20 ma | 800 V | 12 a | 1.5 v | 120a 、132a | 15 Ma | 1.75 v | 7.5 a | 500 µA | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT155Z-1200TQ | 3.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | BT155 | to-3p | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934070831127 | ear99 | 8541.30.0080 | 30 | 200 ma | 1.2 kv | 79 a | 1 v | 650A 、715a | 50 Ma | 1.5 v | 50 a | 3 Ma | 標準回復 | |||||||||||||||||||||||||
NXPSC08650DJ | - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070008118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BYV410X-600,127 | 1.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 10a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc5x-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
byc30-1200pq | 1.1550 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072004127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA216-600D、127 | 0.6480 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA216 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA310-800E、127 | 0.4219 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA310 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934066173127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 10 a | 1.5 v | 85a 、93a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-600D、127 | 0.4671 | ![]() | 1579 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA212B-600E、118 | 0.5136 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | BTA212 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 800 | シングル | 25 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
BTA316X-800CTQ | 1.1200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA316 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072038127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 35 Ma | 標準 | 800 V | 16 a | 1 v | 140a 、150a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
BTA316X-600E/DG、127 | 1.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BTA316 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 15 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 16 a | 1.5 v | 140a 、150a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29FX-600,127 | 0.9700 | ![]() | 88 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BT234X-600D、127 | 0.2639 | ![]() | 2836 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BT234 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934065722127 | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 6 Ma | 標準 | 600 V | 4 a | 1 v | 35a @ 50Hz | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
actt2x-800etnq | 0.2539 | ![]() | 7529 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | actt2 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 800 V | 2 a | 2 v | 18a 、20a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT168G 、112 | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BT168 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 200 µA | 1.7 v | 500 Ma | 100 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600G、127 | 0.2677 | ![]() | 3163 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT137 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 40 Ma | 標準 | 600 V | 8 a | 1.5 v | 65a 、71a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-600G0TQ | 0.3933 | ![]() | 4892 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069097127 | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | シングル | 60 Ma | 標準 | 600 V | 12 a | 1 v | 95a 、105a | 100 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byc30wt-600pq | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byc30 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068091127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT148-500R、127 | 0.2754 | ![]() | 2780 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | SOT-82 | BT148 | SOT-82-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 6 Ma | 500 V | 4 a | 1.5 v | 35a、38a | 200 µA | 1.8 v | 2.5 a | 500 µA | 敏感なゲート | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | N0118GAML | 0.1175 | ![]() | 8089 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | to-226-3 | N0118 | to-92-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934065597126 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 5 Ma | 600 V | 800 Ma | 800 mv | 8a 、9a | 7 µA | 1.95 v | 510 Ma | 10 µA | 敏感なゲート | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA203-800CTEP | 0.1836 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BTA203 | to-92-3 | ダウンロード | 適用できない | 934072051412 | ear99 | 8541.30.0080 | 5,000 | シングル | 30 Ma | 標準 | 800 V | 3 a | 1 v | 27a 、30a | 30 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
actt2s-800etnj | 0.2141 | ![]() | 6066 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | actt2 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934071084118 | ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 800 V | 2 a | 1 v | 18a 、19.8a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT134-600D、127 | 0.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | SOT-82 | BT134 | SOT-82-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 10 Ma | ロジック -敏感なゲート | 600 V | 4 a | 1.5 v | 25a 、27a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-800,127 | 1.0400 | ![]() | 165 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.30.0080 | 50 | シングル | 30 Ma | 標準 | 800 V | 12 a | 1.5 v | 95a 、105a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA2008-1000DNML | 0.0986 | ![]() | 4138 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | DT-Triac™ | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 125°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | BTA2008 | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072021126 | ear99 | 8541.30.0080 | 10,000 | シングル | 10 Ma | 標準 | 1 kV | 800 Ma | 1 v | 9a、9.9a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC04650LJ | - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 141pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
WNSC6D20650WQ | 6.6800 | ![]() | 529 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D20650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 20a | 1200pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC086506Q | 4.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072073127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSCM80120RQ | 9.2597 | ![]() | 3688 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | WNSCM80120 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-4L | - | ear99 | 8541.29.0095 | 240 | nチャネル | 1200 v | 45a(ta) | 20V | 98mohm @ 20a 、20V | 4.5V @ 6MA | 59 NC @ 20 V | +25V、-10V | 1350 pf @ 1000 v | - | 270W |
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