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離散半導体製品（ 31214）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	現在 - @ vr	現在 -平均修正（ io）	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BU2008-E3/51	3.0400	RFQ	1794	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、bu	BU2008	標準		ISOCINK+™BU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	250	1.05 V @ 10 a	5 µA @ 800 V	3.5 a	単相	800 V
GBPC1204-E4/51	5.3000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC1204	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた	ear99	8541.10.0080	100	1.1 V @ 6 a	5 µA @ 400 V	12 a	単相	400 V
MB4S-E3/45	0.5100	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-269AA	MB4	標準		TO-269AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0070	100	1 V @ 400 Ma	5 µA @ 400 V	500 Ma	単相	400 V
VS-40MT160PBPBF	33.6100	RFQ	94	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	7-MTPB	40MT160	標準		7-MTPB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	15	1.51 V @ 100 a		45 a	3フェーズ	1.6 kV
VS-KBPC610PBF	3.5600	RFQ	259	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	VS-KBPC6	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4 平方、D-72	KBPC610	標準		D-72	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	100	1.2 V @ 3 a	10 µA @ 1000 v	6 a	単相	1 kV
vs-kbpc8005pbf	2.9700	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	VS-KBPC8	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4 平方、D-72	KBPC8005	標準		D-72	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	100	1 V @ 3 a	10 µA @ 50 V	8 a	単相	50 v
vs-kbpc801pbf	3.1900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	VS-KBPC8	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4 平方、D-72	KBPC801	標準		D-72	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	100	1 V @ 3 a	10 µA @ 100 V	8 a	単相	100 V
G3SBA20L-M3/51	-	RFQ	6359	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA20	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	250	1 V @ 2 a	5 µA @ 200 V	2.3 a	単相	200 v
G3SBA60-M3/45	0.8910	RFQ	5644	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA60	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	1 V @ 2 a	5 µA @ 600 v	2.3 a	単相	600 V
G5SBA80-M3/51	1.0096	RFQ	4161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G5SBA80	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	250	1.05 V @ 3 a	5 µA @ 800 V	2.8 a	単相	800 V
GBU6A-M3/45	1.2844	RFQ	7028	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	1 V @ 6 a	5 µA @ 50 V	3.8 a	単相	50 v
GBU8A-M3/51	1.1425	RFQ	5888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	250	1 V @ 8 a	5 µA @ 50 V	3.9 a	単相	50 v
vs-70mt160p-p	38.1957	RFQ	4662	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	12-MTPモジュール	70MT160	標準		12-MTP PressFit	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	105			75 a	3フェーズ	1.6 kV
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BZX55A27-TAP	-	RFQ	9217	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000	1.5 V @ 200 mA	100 Na @ 20 V				27 v	80オーム
ZMM5234B-7	-	RFQ	2080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	ZMM52		500 MW	do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0050	2,500	1.5 V @ 200 mA	15 µA @ 1 V				3.6 v	24オーム
1N4730A-T	-	RFQ	4682	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4730		1.3 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0050	5,000	1.2 V @ 200 mA	50 µA @ 1 V				3.9 v	400オーム
TZM5245F-GS18	-	RFQ	7937	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5245		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0050	10,000	1.1 V @ 200 mA	100 na @ 11 v				15 V	600オーム
TZM5249F-GS18	-	RFQ	8717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5249		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0050	10,000	1.1 V @ 200 mA	100 Na @ 14 V				19 v	600オーム
plz10b-hg3_a/h	0.3600	RFQ	4523	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	plz10		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	4,500	900 mV @ 10 Ma	200 Na @ 7 V				10 v	8オーム
plz22b-hg3_a/h	0.3600	RFQ	50	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ22		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	4,500	900 mV @ 10 Ma	200 Na @ 17 V				22 v	30オーム
G2SB60L-5751E3/45	-	RFQ	9048	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	G2SB60	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 750 MA	5 µA @ 600 v	1.5 a	単相	600 V
G2SB60L-5752E3/45	-	RFQ	4669	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	G2SB60	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 750 MA	5 µA @ 600 v	1.5 a	単相	600 V
G3SBA60-5410M3/51	-	RFQ	3679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA60	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 2 a	5 µA @ 600 v	2.3 a	単相	600 V
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G3SBA60L-5702E3/45	-	RFQ	9482	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA60	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 2 a	5 µA @ 600 v	2.3 a	単相	600 V
G3SBA60L-5703E3/51	-	RFQ	1575	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA60	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 2 a	5 µA @ 600 v	2.3 a	単相	600 V
G3SBA60L-5705M3/51	-	RFQ	7388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA60	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 2 a	5 µA @ 600 v	2.3 a	単相	600 V
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G3SBA60L-6088M3/51	-	RFQ	9435	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA60	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0080	1	1 V @ 2 a	5 µA @ 600 v	2.3 a	単相	600 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

離散半導体製品（ 31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²