画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | i/oの数 | コアプロセッサ | コアサイズ | スピード | 接続性 | 周辺機器 | プログラムメモリサイズ | プログラムメモリタイプ | eepromサイズ | ラムサイズ | 電圧 -供給( vcc/vdd) | データコンバーター | オシレータータイプ | インタフェース | コア/バス幅の数 | 共同プロセッサ/dsp | ラムコントローラー | グラフィックの加速 | ディスプレイとインターフェイスコントローラー | イーサネット | サタ | USB | 電圧-i/o | セキュリティ機能 | 追加のインターフェイス | コントローラーシリーズ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LS1012ASN7EKA | - | ![]() | 1640 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Qoriq®Layerscape | バルク | アクティブ | 0°C〜105°C | 表面マウント | 211-VFLGA | LS1012 | 211-FCLGA (9.6x9.6) | - | 0000.00.0000 | 1 | ARM®Cortex®-A53 | 600MHz | 1 コア、64ビット | - | DDR3L | - | - | gbe(2) | SATA 6Gbps | USB 2.0(1 )、USB3.0 + PHY | - | セキュアブート、trustzone® | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MC9RS08KA1CDBR | - | ![]() | 7064 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | RS08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 6-vdfn露出パッド | MC9RS08 | 6-dfn-ep(3x3) | ダウンロード | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 2 | RS08 | 8ビット | 10MHz | - | LVD | 1kb(1k x 8) | フラッシュ | - | 63 x 8 | 1.8V〜5.5V | - | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S9S08SL8F1CTJ | 3.1700 | ![]() | 7340 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 20-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | S9S08 | 20-tssop | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 16 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LVD | 8kb(8k x 8) | フラッシュ | 256 x 8 | 512 x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 12x10B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | S9S12P128J0CLH | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | S9S12 | 64-lqfp(10x10) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 49 | HCS12 | 16ビット | 32MHz | sci、spi | LVD | 128kb( 128k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 6k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 10x12B | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08SH8MTGR | - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | MC9S08 | 16-tssop | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 13 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LVD | 8kb(8k x 8) | フラッシュ | - | 512 x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | |||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEG128J2MAA | - | ![]() | 2239 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-QFP | S912 | 80-QFP(14x14 | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 59 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 128kb( 128k x 8) | フラッシュ | 2k x 8 | 12k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 8x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | P1022NSN2E $ b | - | ![]() | 9863 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Qoriq P1 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 689-BBGA露出パッド | 689-TEPBGA II | - | 0000.00.0000 | 1 | PowerPC E500V2 | 600MHz | 2 コア、32ビット | 安全;秒 | DDR2 、DDR3 | いいえ | LCD | 10/100/1000Mbps | SATA 3GBPS | USB 2.0 + phy(2) | - | 暗号化、乱数ジェネレーター | duart、i²c、i²s、mmc/sd、spi | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MK22DX256VLF5 | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Kinetis K20 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-LQFP | MK22DX256 | 48-lqfp(7x7) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 29 | ARM®Cortex®M4 | 32ビットシングルコア | 50MHz | i²c、Irda | dma | 256kb(256k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 32k x 8 | 1.71V〜3.6V | A/D 14x16b | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | P4081NSE7MMC | 310.4800 | ![]() | 42 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Qoriq P4 | バルク | アクティブ | 0°C〜125°C(Ta) | 表面マウント | 1295-BBGA 、FCBGA | P4081 | 1295-FCPBGA(37.5x37.5 | ダウンロード | 5A002A1 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E500MC | 1.2GHz | 8 コア、 32ビット | 安全; SEC 4.0 | DDR2 、DDR3 | いいえ | - | 1gbps (8)、10gbps( 1) | - | USB 2.0 + phy(2) | 1.8v | 起動セキュリティ、暗号化、乱数ジェネレーター、セキュアヒューズボックス | duart 、i²c、mmc/sd、rastio、spi | ||||||||||||||||||||||
![]() | SPC5567MZQ132 | - | ![]() | 5383 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC55XX Qorivva | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-TFBGA | SPC5567 | 100-MBGA (6x6) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 238 | E200Z6 | 32ビットシングルコア | 132MHz | Canbus | dma | 2MB (2m x 8) | フラッシュ | - | 80k x 8 | 1.35V〜1.65V | A/D 40x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | S912XET256BVALR | - | ![]() | 2775 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 112-LQFP | S912 | 112-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 256kb(256k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 16k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 16x12b | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEQ384J3MAGR | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 144-LQFP | S912 | 144-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 119 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 384kb(384k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 24k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 24x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEQ512J3MALR | - | ![]() | 4481 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 112-LQFP | S912 | 112-lqfp(20x20) | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 512kb (512k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 32k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 16x12b | 外部の | |||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S12C128MFUE | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-QFP | MC9S12 | 80-QFP(14x14 | ダウンロード | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 60 | HCS12 | 16ビット | 25MHz | キャンバス、 ebi/emi | por、pwm wdt | 128kb( 128k x 8) | フラッシュ | - | 4k x 8 | 2.35V〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08DZ96CLL | 12.8300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | MC9S08 | 100-lqfp(14x14) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 87 | S08 | 8ビット | 40MHz | Canbus | LVD | 96kb (96k x 8) | フラッシュ | 2k x 8 | 6k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 24x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPC8308CZQAGDA | - | ![]() | 5916 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC83XX | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 473-LFBGA | 473-mapbga (19x19) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E300C3 | 400MHz | 1 コア、 32ビット | - | DDR2 | いいえ | - | 10/100/1000Mbps | - | USB 2.0(1) | 1.8v | - | Duart 、HSSI | |||||||||||||||||||||||
![]() | MM912J637AM2EPR2 | 7.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | バッテリーモニター | 表面マウント | 48-VFQFN露出パッド | 確認されていません | 2.25V〜5.5V | 48-qfn-ep( 7x7) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 8 | S12 | フラッシュ( 128kb) | 6k x 8 | sci、spi | HCS12 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08GT32ACFBE | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-QFP | MC9S08 | 44-QFP (10x10) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 36 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | - | 2k x 8 | 1.8V〜3.6V | A/D 8x10B | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08SL8CTL | - | ![]() | 1639 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | MC9S08 | 28-tssop | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 22 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、 linbus | LVD | 8kb(8k x 8) | フラッシュ | 256 x 8 | 512 x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x10b | 外部の | |||||||||||||||||||||||
![]() | MKE02Z64VLD2 | - | ![]() | 9878 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | Kinetis KE02 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 44-LQFP | MKE02Z64 | 44-lqfp(10x10) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 37 | ARM®Cortex®M0+ | 32ビットシングルコア | 20MHz | i²c、 spi、uart/usart | LVD | 64kb(64k x 8) | フラッシュ | 256 x 8 | 4k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12B; D/A 2x6B | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S9S12HY32J0VLL | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | S9S12 | 100-lqfp(14x14) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 80 | HCS12 | 16ビット | 32MHz | キャンバス、 ebi/emi | LCD | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 2k x 8 | 4.5v〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S9S12HY32J0MLH | 5.2600 | ![]() | 3576 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | S9S12 | 64-lqfp(10x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 50 | HCS12 | 16ビット | 32MHz | キャンバス、 ebi/emi | LCD | 32kb(32k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 2k x 8 | 4.5v〜5.5V | A/D 6x10B | 内部 | |||||||||||||||||||
![]() | MC9S08AW16CFGE | - | ![]() | 4996 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-LQFP | MC9S08 | 44-lqfp(10x10) | ダウンロード | 2156-MC9S08AW16CFGE-FR | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 34 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 16kb(16k x 8) | フラッシュ | - | 1k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | 確認されていません | ||||||||||||||||||||
![]() | MC9S12DJ64VFUE | - | ![]() | 5998 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 80-QFP | MC9S12 | 80-QFP(14x14 | ダウンロード | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 59 | HCS12 | 16ビット | 25MHz | Canbus | PWM wdt | 64kb(64k x 8) | フラッシュ | 1k x 8 | 4k x 8 | 2.35V〜5.25V | A/D 8x10B | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC68332GCEH25 | - | ![]() | 8669 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | M683xx | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 132-BQFPが妨害されました | MC68332 | 132-PQFP(24.13x24.13 | ダウンロード | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 15 | CPU32 | 32ビットシングルコア | 25MHz | ebi/emi、sci | por、pwm wdt | - | ロンレス | - | 2k x 8 | 4.5v〜5.5V | - | 内部 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MC9S08AW16CFDE | - | ![]() | 7982 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | S08 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFQFN露出パッド | MC9S08 | 48-qfn-ep( 7x7) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 38 | S08 | 8ビット | 40MHz | i²c、sci、spi | LVD | 16kb(16k x 8) | フラッシュ | - | 1k x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x10B | 内部 | 確認されていません | |||||||||||||||||||||
![]() | S912XEG384BCAG | - | ![]() | 1093 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-LQFP | S912 | 144-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 119 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 384kb(384k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 24k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 24x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEG384J3VAA | 13.5300 | ![]() | 420 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 80-QFP | S912 | 80-QFP(14x14 | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 59 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 384kb(384k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 24k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 8x12B | 外部の | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPC8349VVAJDB | 159.9200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | MPC83XX | バルク | アクティブ | 0°C〜105°C(TA) | 表面マウント | 672-LBGA | 672-lbga(35x35) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC E300 | 533MHz | 1 コア、 32ビット | - | DDR 、DDR2 | いいえ | - | 10/100/1000Mbps | - | USB 2.0 + phy(2) | 1.8v | - | duart、i²c、pci、Spi | |||||||||||||||||||||||
![]() | S912XEQ384J3CAL | - | ![]() | 7007 | 0.00000000 | フリースケール半導体 | HCS12X | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 112-LQFP | S912 | 112-lqfp(20x20) | ダウンロード | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 91 | HCS12X | 16ビット | 50MHz | キャンバス、 ebi/emi | LVD | 384kb(384k x 8) | フラッシュ | 4k x 8 | 24k x 8 | 1.72V〜5.5V | A/D 16x12b | 外部の |
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