画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | コントローラータイプ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NMC27C256BN150 | 3.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | DP8421ATV-25 | 18.6000 | ![]() | 1333 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP8421A | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(25.13x25.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | JM38510/23103BFA | 34.6600 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 10415FC10 | 15.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | 10415 | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 16-wfqfn露出パッド | sram-非同期 | - | 16-wqfn (4x4) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1kbit | 10 ns | sram | 1k x 1 | 平行 | - | ||||
![]() | DP8521AV-25 | 20.5400 | ![]() | 237 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(25.13x25.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||
![]() | DP8420AV-2 | - | ![]() | 3514 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-DP8420AV-2-14 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DP8431VX-33 | 23.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(25.13x25.13 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | PAL16H42AJ/883 | 8.3400 | ![]() | 94 | 0.00000000 | 国立半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | DP8422V-33 | 57.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP8422V | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-LCC | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | 93425DMQB40 | 12.6700 | ![]() | 209 | 0.00000000 | 国立半導体 | 93425DMQB40 | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP (0.300 "、7.62mm) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1kbit | 30 ns | sram | 1k x 1 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | DP8420V-33 | 31.2000 | ![]() | 413 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP8420V | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(25.13x25.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | 4721bdc | 11.8700 | ![]() | 2484 | 0.00000000 | 国立半導体 | 4721b | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 22-CDIP | ラム | 4.5v〜5.5V | 22-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2a (4 週間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 揮発性 | 1kbit | ラム | 256 x 4 | 平行 | - | |||||
![]() | DP8430V-33 | 30.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(25.13x25.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | 93415fm | 12.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 93L425DMQB40 | 17.0000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 国立半導体 | 93L425 | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP (0.300 "、7.62mm) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1kbit | 70 ns | sram | 1k x 1 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | NMC2148HJ-2 | 8.9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 18-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4kbit | 45 ns | sram | 1k x 4 | 平行 | - | ||||
![]() | DP8429TD-70 | 86.6600 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 国立半導体 | DP8429 | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 52-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | 4.5v〜5.5V | 52-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | DP8429D-70 | 76.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 52-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | 4.5v〜5.5V | 52-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | 93Z451FMQB | 13.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 24-cflatpack | - | 4.75v〜5.25V | 24-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8kbit | 55 ns | プロム | 1k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | 54F189DLQB | 5.9900 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 国立半導体 | 54f | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP (0.300 "、7.62mm) | ラム | 4.5v〜5.5V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 揮発性 | 64ビット | 32 ns | ラム | 16 x 4 | 平行 | 37.5ns | ||||
![]() | 93L422DM | 12.0000 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DP8429VX-70 | 61.6600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(25.13x25.13 | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) | |||||||||||
![]() | 27C512AE200/883C | 44.0000 | ![]() | 130 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 27C512A | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 512kbit | 200 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | NM27C040Q170 | 4.5600 | ![]() | 824 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 32-CDIP (0.685 "、17.40mm )ウィンドウ | NM27C040 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 32-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 4mbit | 170 ns | eprom | 512k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 100142FC | 11.4800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 24-cflatpack | 100142 | カム | - | 24-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 不揮発性 | 16ビット | 4.5 ns | カム | 4 x 4 | 平行 | - | |||
![]() | 93L415FMQB | 16.2300 | ![]() | 949 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | NM27C010N200 | - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | NM27C010 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-dip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 200 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 93Z667DMQB65 | 109.6300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.300 "、7.62mm )ウィンドウ | - | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 65 ns | プロム | 8k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MM54C200D/883 | 30.8000 | ![]() | 129 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 16-CDIP (0.300 "、7.62mm) | ラム | 3V〜15V | 16-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 揮発性 | 256ビット | 520 ns | ラム | 32 x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | DP8429D-80 | 76.6700 | ![]() | 419 | 0.00000000 | 国立半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 52-CDIP (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | 4.5v〜5.5V | 52-CDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ダイナミックラム(ドラム) |
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