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メモリ（4449）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
5962-88735033x	43.8500	RFQ	59	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	表面マウント	28-CLCC	5962-88735033	EPROM -UV	4.5v〜5.5V	28-clcc（13.97x8.89）	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A001A2C	8542.32.0071	1		不揮発性	16kbit	35 ns	eprom	2k x 8	平行	-
S29PL127J70BFI000	19.9400	RFQ	9517	Cypress Semiconductor Corp	pl-j	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	80-VFBGA	S29PL127	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	80-FBGA （8x11	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		2832-S29PL127J70BFI000	3A991B1A	8542.32.0050	210		不揮発性	128mbit	70 ns	フラッシュ	8m x 16	平行	70ns	確認されていません
S40410161B1B2I013	-	RFQ	2012年	Cypress Semiconductor Corp	E.MMC 1B1	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lbga	S40410161	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	100-lbga（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	200 MHz	不揮発性	16gbit		フラッシュ	2g x 8	平行	-
S29GL01GP11FFSS80	19.3400	RFQ	7	Cypress Semiconductor Corp	GL-P	トレイ	廃止	0°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL01	フラッシュ -	-	64-FBGA （11x13	-	ROHS3準拠			2832-S29GL01GP11FFSS80	3A991B1A	8542.32.0071	26		不揮発性	1gbit	110 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	110ns
Cy7C1051DV33-12ZSXIT	-	RFQ	4969	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1051	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード							4		揮発性	8mbit	12 ns	sram	512K x 16	平行	12ns	確認されていません
Cy7B145-35JC	33.3700	RFQ	245	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	68-lcc	Cy7B145	sram- デュアルポート、非同期	4.5v〜5.5V	68-PLCC（24.23x24.23	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	64kbit	35 ns	sram	8k x 9	平行	35ns
S25FL064LABMFN010	-	RFQ	4338	Cypress Semiconductor Corp	fl-l	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	S25FL064	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	適用できない			2832-S25FL064LABMFN010			1	108 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	-	検証
Cy7C106B-20VC	1.7900	RFQ	322	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	Cy7C106	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	20 ns	sram	256k x 4	平行	20ns
CG6716am	-	RFQ	7843	Cypress Semiconductor Corp	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0041	1
CG7881AT	1.0000	RFQ	3879	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止								-	適用できない						1									確認されていません
Cy7C057V-15BBI	63.3400	RFQ	9027	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	172-lbga	Cy7C057	sram- デュアルポート、非同期	3V〜3.6V	172-FBGA （15x15	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	1.152mbit	15 ns	sram	32K x 36	平行	15ns
Cy7C1520AV18-250BZC	121.3300	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1520	sram- ddr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-	確認されていません
Cy62157EV30LL-45BVI	-	RFQ	9827	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	Cy62157	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠						163		揮発性	8mbit	45 ns	sram	512K x 16	平行	45ns	確認されていません
S34ML02G200GHI000	4.9600	RFQ	101	Cypress Semiconductor Corp	ML-2	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	67-VFBGA	S34ML02	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	67-BGA （8x6.5）	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-S34ML02G200GHI000	3A991B1A	8542.32.0071	1		不揮発性	2Gbit		フラッシュ	256m x 8	平行	25ns
Cy7C1366S-166AXC	15.6700	RFQ	143	Cypress Semiconductor Corp	-	バッグ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1366	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP（14x14	-	適用できない				3A991B2A		20	166 MHz	揮発性	9mbit	3.5 ns	sram	256k x 36	平行	-	確認されていません
S34ML04G200TFB000	-	RFQ	4765	Cypress Semiconductor Corp	ML-2	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	S34ML04	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	48-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	96		不揮発性	4gbit		フラッシュ	512m x 8	平行	25ns
S25FL256SDPMFIG00	3.7900	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	fl-s	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	S25FL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード							80	66 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	-	確認されていません
Cy62146DV30LL-70ZSXI	-	RFQ	6014	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy62146	sram-非同期	2.2V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4mbit	70 ns	sram	256k x 16	平行	70ns
S29GL512S11FHI020	10.5100	RFQ	342	Cypress Semiconductor Corp	gl-s	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL512	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA （11x13	ダウンロード							48		不揮発性	512mbit	110 ns	フラッシュ	32m x 16	平行	60ns	検証
STK11C68-5C55M	1.0000	RFQ	149	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	廃止	-55°C〜125°C	穴を通して	28-CDIP （0.300 "、7.62mm）	STK11C68	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-CDIP	ダウンロード	ROHS3準拠				3A001A2C	8542.32.0041	26		不揮発性	64kbit	55 ns	nvsram	8k x 8	平行	55ns
CG5994AT	-	RFQ	5286	Cypress Semiconductor Corp	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0041	1
FM24V01-G	-	RFQ	3742	Cypress Semiconductor Corp	f-ram™	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	FM24V01	フラム（強誘電性ラム）	2V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0071	194	3.4 MHz	不揮発性	128kbit	130 ns	フラム	16k x 8	i²c	-	確認されていません
STK12C68-L45I	2.0000	RFQ	34	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-lcc	STK12C68	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-lcc（ 13.97x8.89）	ダウンロード	ROHS非準拠				ear99	8542.32.0041	68		不揮発性	64kbit	45 ns	nvsram	8k x 8	平行	45ns	確認されていません
Cy7C1041CV33-15ZXC	3.9000	RFQ	423	Cypress Semiconductor Corp	-	バッグ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1041	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	77		揮発性	4mbit	15 ns	sram	256k x 16	平行	15ns	確認されていません
S34ML02G100BHA003	-	RFQ	5303	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA	S34ML02	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	63-BGA （11x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,300		不揮発性	2Gbit		フラッシュ	256m x 8	平行	25ns
S25FL129P0XMFI000	4.0000	RFQ	249	Cypress Semiconductor Corp	fl-p	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	S25FL129	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B1A	8542.32.0071	125	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	5µs、3ms
Cy7C1020B-15VC	2.2400	RFQ	950	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	Cy7C1020	sram-非同期	4.5v〜5.5V	44-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	512kbit	15 ns	sram	32k x 16	平行	15ns
Cy7C1041CV33-10Baxa	-	RFQ	8196	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy7C1041	sram-非同期	3V〜3.6V	48-FBGA （7x8.5）	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B2A	8542.32.0041	5		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns	確認されていません
Cy7C1021CV33-15VI	0.9300	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm）	Cy7C1021	sram-非同期	3V〜3.6V	44-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	15 ns	sram	64k x 16	平行	15ns
Cy7C109V33-15VC	2.0100	RFQ	28	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C109	sram-非同期	3V〜3.6V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けた		3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	15 ns	sram	128k x 8	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（4449）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²