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メモリ（4449）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
Cy62147GE18-55BVXI	5.5600	RFQ	75	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	Cy62147	sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード							54		揮発性	4mbit	55 ns	sram	256k x 16	平行	55ns	確認されていません
S25FL127SABNFI100	2.6300	RFQ	645	Cypress Semiconductor Corp	fl-s	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	S25FL127	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	未定義のベンダー				150	108 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	-	確認されていません
S29GL512N11FFI010	33.2700	RFQ	250	Cypress Semiconductor Corp	gl-n	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL512	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください	2832-S29GL512N11FFI010	3A991B1A	8542.32.0050	16		不揮発性	512mbit	110 ns	フラッシュ	32m x 16、64m x 8	CFI	110ns
S34ML04G100BHB000	-	RFQ	6049	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	63-VFBGA	S34ML04	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	63-BGA （11x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	210		不揮発性	4gbit		フラッシュ	512m x 8	平行	25ns
S25FL256SAGMFV011	3.8400	RFQ	351	Cypress Semiconductor Corp	fl-s	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	S25FL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	未定義のベンダー	2832-S25FL256SAGMFV011	3A991B1A	8542.32.0070	131	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	-	確認されていません
Cy7C199-15zi	1.3000	RFQ	7175	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	Cy7C199	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-tsop i	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	256kbit	15 ns	sram	32k x 8	平行	15ns
S70GL02GS11FHI020	16.6700	RFQ	8388	Cypress Semiconductor Corp	gl-s	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S70GL02	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-S70GL02GS11FHI020			1		不揮発性	2Gbit	110 ns	フラッシュ	128m x 16	平行	-	検証
CY100E422-5DCQ	10.2400	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0041	1
Cy7C1514KV18-333BZXC	157.6000	RFQ	744	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1514	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー				1	333 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-	確認されていません
Cy7C1354C-166666666666666666666666666666	9.1600	RFQ	476	Cypress Semiconductor Corp	NOBL™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1354	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	揮発性	9mbit	3.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
Cy27H010-45WMB	120.0000	RFQ	40	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	32-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ	Cy27H010	EPROM -UV	4.5v〜5.5V	32-CDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A001A2C	8542.32.0061	1		不揮発性	1mbit	45 ns	eprom	128k x 8	平行	-
S25FL132K0XMFI041	8.0700	RFQ	62	Cypress Semiconductor Corp	fl1-k	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	S25FL132	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				3A991B1A	8542.32.0071	97	108 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	3ms
Cy7C261-30pc	13.2400	RFQ	496	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）			Cy7C261	eprom -otp	4.5v〜5.5V		ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0071	1		不揮発性	64kbit	30 ns	eprom	8k x 8	平行	-
Cy7C1399-12VC	0.8400	RFQ	930	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	Cy7C1399	sram-非同期	3V〜3.6V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	256kbit	12 ns	sram	32k x 8	平行	12ns
Cy7C1399B-15VXC	-	RFQ	2836	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	Cy7C1399	sram-非同期	3V〜3.6V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0041	37		揮発性	256kbit	15 ns	sram	32k x 8	平行	15ns	確認されていません
Cy7C2268xv18-633bzxc	116.5000	RFQ	125	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C2268	sram- ddr II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード							1	633 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-	確認されていません
S29GL032N90BFI040	4.2700	RFQ	2267	Cypress Semiconductor Corp	gl-n	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	S29GL032	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	48-FBGA （8.15x6.15）	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-S29GL032N90BFI040			59		不揮発性	32mbit	90 ns	フラッシュ	4m x 8、2m x 16	平行	90ns	確認されていません
S25FL064LABMFV013	5.0000	RFQ	34	Cypress Semiconductor Corp	fl-l	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	S25FL064	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-S25FL064LABMFV013			1	108 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	-	検証
S25FL116K0XMFI043	1.8000	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	fl1-k	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	S25FL116	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-S25FL116K0XMFI043	3A991B1A		300	108 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	3ms	検証
Cy7C0851AV-133BBC	161.3200	RFQ	306	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	172-lbga	Cy7C0851	sram- デュアルポート、同期	3.135V〜3.465V	172-FBGA （15x15	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	2mbit		sram	64k x 36	平行	-
S29GL01GT10DHI010	-	RFQ	7007	Cypress Semiconductor Corp	gl-t	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL01	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA （9x9）	ダウンロード	ROHS非準拠		未定義のベンダー				1		不揮発性	1gbit	100 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	60ns	確認されていません
Cy7C1371D-133AXC	-	RFQ	9292	Cypress Semiconductor Corp	NOBL™	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1371	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-CY7C1371D-133AXC			72	133 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	512K x 36	平行	-	確認されていません
Cy27H512-70JC	-	RFQ	5950	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	Cy27H512	EPROM -UV	4.5v〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0071	1		不揮発性	512kbit	25 ns	eprom	64k x 8	平行	-
CYD18S72V-133BBI	-	RFQ	8802	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	484-BGA	CYD18S72	sram- デュアルポート、同期	3.135V〜3.465V	484-FBGA （23x23）	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	60	133 MHz	揮発性	18mbit	5 ns	sram	256k x 72	平行	-	確認されていません
STK15C88-NF45	-	RFQ	2291	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	STK15C88	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0041	54		不揮発性	256kbit	45 ns	nvsram	32k x 8	平行	45ns	確認されていません
Cy7C1570V18-375BZC	159.5900	RFQ	198	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1570	sram- ddr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	375 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
S34MS01G200TFI903	-	RFQ	1592	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	S34MS01	フラッシュ -ナンド	1.7V〜1.95V	48-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		不揮発性	1gbit	45 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	45ns
STK14D88-RF45	8.4200	RFQ	367	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm）	STK14D88	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	48スソップ	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8542.32.0041	36		不揮発性	256kbit	45 ns	nvsram	32k x 8	平行	45ns	確認されていません
S34MS08G201BHI000	-	RFQ	9137	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA	S34MS08	フラッシュ -ナンド	1.7V〜1.95V	63-BGA （11x9）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1274-1168	3A991B1A	8542.32.0071	210		不揮発性	8gbit	45 ns	フラッシュ	1g x 8	平行	45ns
Cy62256nll-70zi	1.3400	RFQ	444	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	Cy62256	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-tsop i	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0041	1		揮発性	256kbit	70 ns	sram	32k x 8	平行	70ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（4449）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²