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メモリ（4449）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
S34SL01G200BHV003	-	RFQ	3227	Cypress Semiconductor Corp	SL-2	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	63-VFBGA	S34SL01	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	63-BGA （11x9）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	2,300		不揮発性	1gbit	25 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	-
Cy7C1024DV33-10BGXI	16.7000	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BGA	Cy7C1024	sram-非同期	3V〜3.6V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない			18		揮発性	3mbit	10 ns	sram	128k x 24	平行	10ns	確認されていません
S40410161B1B2W013	-	RFQ	8992	Cypress Semiconductor Corp	E.MMC 1B1	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lbga	S40410161	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	100-lbga（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	1,500	200 MHz	不揮発性	16gbit		フラッシュ	2g x 8	平行	-
S25FL256LAGBHM020	8.0200	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	自動車、AEC-Q100	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	24-tbga	S25FL256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-bga （8x6）	ダウンロード						38	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o、qpi	-	確認されていません
FM25C160B-G	-	RFQ	4481	Cypress Semiconductor Corp	f-ram™	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	FM25C160	フラム（強誘電性ラム）	4.5v〜5.5V	8-SOIC	ダウンロード						1	20 MHz	不揮発性	16kbit		フラム	2k x 8	spi	-	確認されていません
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S34SL01G200BHI000	-	RFQ	1526	Cypress Semiconductor Corp	SL-2	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA	S34SL01	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	63-BGA （11x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	210		不揮発性	1gbit	25 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	-
Cy14V101NA-BA25XI	1.0000	RFQ	8253	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy14V101	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	48-FBGA	ダウンロード						1		不揮発性	1mbit	25 ns	nvsram	64k x 16	平行	25ns	確認されていません
Cy14B512q1a-sxi	6.8600	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	Cy14B512	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.32.0041	44	40 MHz	不揮発性	512kbit		nvsram	64k x 8	spi	-	確認されていません
Cy7C1041LV33-10ZSXI	-	RFQ	8989	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1041	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			50		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns	確認されていません
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S34MS04G200BHB000	-	RFQ	3410	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	63-VFBGA	S34MS04	フラッシュ -ナンド	1.7V〜1.95V	63-BGA （11x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	210		不揮発性	4gbit	45 ns	フラッシュ	512m x 8	平行	45ns
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Cy7C1354A200BC	8.0800	RFQ	53	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	Cy7C1354	sram- sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	9mbit	3.2 ns	sram	256k x 36	平行	-
Cy7C199CN-20VC	-	RFQ	7053	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm）	Cy7C199	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた	ear99	8542.32.0041	1		揮発性	256kbit	20 ns	sram	32k x 8	平行	20ns
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S34MS01G200BHI003	-	RFQ	4630	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA	S34MS01	フラッシュ -ナンド	1.7V〜1.95V	63-BGA （11x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	2,300		不揮発性	1gbit	45 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	45ns
CG6135AT	-	RFQ	4169	Cypress Semiconductor Corp	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー			1
S34ML08G101TFB000	-	RFQ	1737	Cypress Semiconductor Corp	ML-1	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	S34ML08	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	48-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	96		不揮発性	8gbit		フラッシュ	1g x 8	平行	25ns
S34ML02G200TFA000	-	RFQ	8337	Cypress Semiconductor Corp	aec-q100 、ml-2	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	S34ML02	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	48-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	3A991B1A	8542.32.0071	96		不揮発性	2Gbit		フラッシュ	256m x 8	平行	25ns
CYD18S72V18-167BBXI	233.8900	RFQ	110	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	256-lbga	CYD18S72	sram- デュアルポート、同期	1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V	256-FBGA （17x17	ダウンロード						1	167 MHz	揮発性	18mbit	4 ns	sram	256k x 72	平行	-	確認されていません
Cy7C1020CV33-10ZCT	-	RFQ	7802	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1020	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		揮発性	512kbit	10 ns	sram	32k x 16	平行	10ns
Cy10E484-5kcq	69.9900	RFQ	311	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜75°C（Ta）	表面マウント	28-cflatpack	Cy10E484	sram-非同期	4.94V〜5.46V	28-cflatpack	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	ear99	8542.32.0041	1		揮発性	16kbit	5 ns	sram	4k x 4	平行	5ns
STK11C88-NF25I	27.9400	RFQ	441	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	STK11C88	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠			ear99	8542.32.0041	18		不揮発性	256kbit	25 ns	nvsram	32k x 8	平行	25ns
CYD09S72V18-200BGXI	-	RFQ	8897	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	484-FBGA	CYD09S72	sram- デュアルポート、同期	1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V	484-PBGA （27x27	ダウンロード	ROHS3準拠			3A991B2A	8542.32.0041	60	200 MHz	揮発性	9mbit	3.3 ns	sram	128k x 72	平行	-	確認されていません
cy62136vnll-70baxa	2.4500	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	mobl®	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	Cy62136	sram-非同期	2.7V〜3.6V	48-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠			3A991B2A	8542.32.0041	123		揮発性	2mbit	70 ns	sram	128k x 16	平行	70ns	確認されていません
Cy7C1412BV18-200BZC	44.8600	RFQ	67	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1412	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠			3A991B2A	8542.32.0041	7	200 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-	確認されていません

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（4449）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²