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メモリ（648）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
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71V547x5S100PFG	-	RFQ	4384	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V547	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー	3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	10 ns	sram	128k x 36	平行	-
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71V3557S85PF	2.0100	RFQ	1	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3557	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた	3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	8.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
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71V016SA12BFI	4.4700	RFQ	149	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-lfbga	71V016	sram-非同期	3V〜3.6V	48-cabga	ダウンロード				3A991B2B	8542.32.0041	1		揮発性	1mbit	12 ns	sram	64k x 16	平行	12ns
71V35761S183PFGI	9.3200	RFQ	54	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71V35761S	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード				3A991B2A	8542.32.0041	1	183 MHz	揮発性	4.5mbit	3.3 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V3556S133PFG	7.6600	RFQ	2	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3556	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4.2 ns	sram	128k x 36	平行	-
71V3557S75bg	10.1900	RFQ	10	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	119-BGA	71V3557	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード				3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
7164S20db	33.6800	RFQ	13	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	28-CDIP （0.600 "、15.24mm）	7164S	sram-非同期	4.5v〜5.5V	28-CDIP	ダウンロード				3A001A2C	8542.32.0041	1		揮発性	64kbit	20 ns	sram	8k x 8	平行	20ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（648）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²