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メモリ（290）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	sicプログラム可能	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	プログラム可能なタイプ	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	コントローラータイプ
RG82875	56.9400	RFQ	51	インテル	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	1005-bbga fcbga				-	1005-FCBGA （42.5x42.5	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			0000.00.0000	1										ダイナミックラム（ドラム）
MT28F010-12/b	129.5900	RFQ	334	インテル	MT28F010	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	表面マウント	32-lcc		フラッシュ		4.5v〜5.5V	32-PLCC	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			8542.32.0071	1			不揮発性	1mbit	120 ns	フラッシュ	128k x 8	平行	120ns
EPC16QC100SS	-	RFQ	6644	インテル	EPC	チューブ	廃止	0°C〜70°C	表面マウント	100-BQFP			確認されていません	3V〜3.6V	100-PQFP （20x14）	ダウンロード		1 （無制限）		970988	廃止	0000.00.0000	1		プログラム可能なシステムで		16MB
MD27C25635	42.6600	RFQ	23	インテル	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	28-CDIP	MD27C	EPROM -UV		4.5v〜5.5V	28-CDIP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0061	1			不揮発性	256kbit	350 ns	eprom	32k x 8	平行	-
SSDUSMS0001G110	-	RFQ	2630	インテル	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	1
QG6400	5.6700	RFQ	9	インテル	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			0000.00.0000	720
QG82945PL	8.0000	RFQ	33	インテル	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	1202-BGA 、FCBGA				1.425V〜1.575V	1202-FCBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	360										コントローラーハブ
E28F200B5T80	1.6600	RFQ	74	インテル	ETOX™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		フラッシュ -ブートブロック		4.5V〜5.25V 、4.75V 〜5.5V	48-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	1			不揮発性	2mbit	60 ns	フラッシュ	256K x 8、128K x 16	cui	100µs
E28F002BC-T80	0.6700	RFQ	19	インテル	28F002BC	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	40-tfsop （0.724 "、18.40mm		フラッシュ -ブートブロック		4.5v〜5.5V	40-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0071	1			不揮発性	2mbit	80 ns	フラッシュ	256k x 8	cui	80ns
PA28F008SA85	5.2000	RFQ	1	インテル	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-psop	PA28F008	フラッシュ		4.5v〜5.5V		ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）			ear99	8542.32.0071	17			不揮発性	8mbit	85 ns	フラッシュ	1m x 8	平行	85ns
MF28F010-25	85.8600	RFQ	20	インテル	MF28F010	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C	-	-		フラッシュ		4.5v〜5.5V	-	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0071	1			不揮発性	1mbit	250 ns	フラッシュ	128k x 8	平行	250ns
JG82865GV	6.6800	RFQ	5	インテル	*	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない			0000.00.0000	360
00009K2871	-	RFQ	6307	インテル	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
GT28F800B3B110	1.3400	RFQ	8	インテル	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA		フラッシュ -ブートブロック		2.7V〜3.6V	48-ubga （7.7x9）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0071	1			不揮発性	8mbit	110 ns	フラッシュ	512K x 16	cui	-
EPC16QI100N	-	RFQ	3611	インテル	EPC	トレイ	廃止	-40°C〜85°C	表面マウント	100-BQFP	EPC16		確認されていません	3V〜3.6V	100-PQFP （20x14）	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	66		プログラム可能なシステムで		16MB
DH82H97	5.4500	RFQ	9	インテル	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
MD51C67-45/b	18.2000	RFQ	2	インテル	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			0000.00.0000	1
LD2114AL4	6.6800	RFQ	3125	インテル	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	18-CDIP		sram-非同期		4.5v〜5.5V	18-CDIP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1			揮発性	4kbit	200 ns	sram	1k x 4	平行	200ns
LE82Q963	30.6700	RFQ	30	インテル	*	バルク	アクティブ									-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない			0000.00.0000	360
MD2764A-35/b	-	RFQ	8535	インテル	*	バルク	アクティブ									-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー				1
MD27C6425	23.3400	RFQ	6865	インテル	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	28-CDIP	MD27C	EPROM -UV		4.5v〜5.5V	28-CDIP	ダウンロード					ear99	8542.32.0061	1			不揮発性	64kbit	250 ns	eprom	8k x 8	平行	-
RC28F128P33B85A	6.4000	RFQ	12	インテル	Strataflash™	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	64-TBGA	RC28F128	フラッシュ -		2.3V〜3.6V	64-easybga	ダウンロード	適用できない				3A991B1A	8542.32.0051	1,800	52 MHz		不揮発性	128mbit	85 ns	フラッシュ	8m x 16	平行	85ns
RC28F320C3TD90	1.0900	RFQ	4	インテル	numonyx™	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-TBGA		フラッシュ -ブートブロック		2.7V〜3.6V	64-easybga （10x13）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B1A	8542.32.0071	2,000			不揮発性	32mbit	90 ns	フラッシュ	2m x 16	CFI	90ns
P82C08-10	22.0000	RFQ	1	インテル	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	48-dip				4.5v〜5.5V	48-dip	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.31.0001	1										ダイナミックラム（ドラム）
QGE7520MC	59.2600	RFQ	25	インテル	Intel®E7000	バルク	アクティブ	-	表面マウント	1077-BBGA 、FCBGA				-	1077-FCBGA （42.5x42.5	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない			0000.00.0000	1										ダイナミックラム（ドラム）
QG82915GME	37.0300	RFQ	320	インテル	-	バルク	アクティブ	-	表面マウント	1257-BBGA fcbga				1V〜1.1V、1.425V〜1.575V	1257-FCBGA （40x37.5	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1										グラフィックとメモリコントローラー
EPC16UI88AA	-	RFQ	6862	インテル	EPC	トレイ	廃止	-40°C〜85°C	表面マウント	88-lfbga	EPC16		確認されていません	±2.25V〜6V	88-ubga （11x8）	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0061	105		プログラム可能なシステムで		16MB
MD2148H3	18.7300	RFQ	11	インテル	-	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	穴を通して	18-CDIP		sram-非同期		4.5v〜5.5V	18-CDIP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0041	1			揮発性	4kbit	55 ns	sram	1k x 4	平行	55ns
EPC2TC32	-	RFQ	3134	インテル	EPC	トレイ	廃止	0°C〜70°C	表面マウント	32-TQFP	EPC2		検証	3V〜3.6V 、4.75V〜5.25V	32-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0071	250		プログラム可能なシステムで		1.6MB
GT28F320C3TA100SB93	2.4800	RFQ	8	インテル	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	GT28F320C3	フラッシュ -ブートブロック		2.7V〜3.6V	48 µbga csp	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）		823213	3A991B1A	8542.32.0071	2			不揮発性	32mbit	100 ns	フラッシュ	2m x 16	平行	100ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（290）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²