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メモリ（5712）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61C5128AS-25TLI	4.8100	RFQ	225	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm）	IS61C5128	sram-非同期	4.5v〜5.5V	32-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	117		揮発性	4mbit	25 ns	sram	512k x 8	平行	25ns
IS42S32160A-75BL	-	RFQ	9680	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1061	ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS42S32160A-75BLI	-	RFQ	1001	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1062	ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS42S16160D-6TL	-	RFQ	6365	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42S16160D-6TLI-TR	-	RFQ	5596	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42S16160D-7BI	-	RFQ	4213	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42S16160D-7BI-TR	-	RFQ	9773	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42S16160D-7B-TR	-	RFQ	4415	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42S16160D-7TL	-	RFQ	2753	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42S32160A-75BL-TR	-	RFQ	3351	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS42S32160A-75BLI-TR	-	RFQ	1635	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-lfbga	IS42S32160	SDRAM	3V〜3.6V	90-lfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	揮発性	512mbit	6 ns	ドラム	16m x 32	平行	-
IS61WV51232BLL-10BLI-TR	18.5250	RFQ	3872	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS61WV51232	sram-非同期	1.65v〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	16mbit	10 ns	sram	512K x 32	平行	10ns
IS61LPS102436A-166TQL-TR	-	RFQ	7769	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LPS102436	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	揮発性	36mbit	3.5 ns	sram	1m x 36	平行	-
IS61LPS204818A-166TQL-TR	-	RFQ	9188	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LPS204818	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	揮発性	36mbit	3.5 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS61C5128AL-10KLI	3.7027	RFQ	3845	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅）	IS61C5128	sram-非同期	4.5v〜5.5V	36-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	19		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS42S16400F-7TL	-	RFQ	7238	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS42S16400F-6TLI	-	RFQ	5712	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS61WV25616BLL-10TL	3.6500	RFQ	4	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61WV25616	sram-非同期	2.4V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135		揮発性	4mbit	10 ns	sram	256k x 16	平行	10ns
IS42S32200E-6TLI	-	RFQ	6668	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS45S16100C1-7TLA1	-	RFQ	2089	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	IS45S16100	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS45S32200E-6TLA1	-	RFQ	2701	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS45S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43R83200B-6TL	-	RFQ	5624	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS43R83200	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	32m x 8	平行	15ns
IS61LF12836A-6.5TQLI	8.3815	RFQ	1416	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LF12836	sram- sdr	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	揮発性	4.5mbit	6.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS42S81600D-6TL	-	RFQ	9410	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S81600	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 8	平行	-
IS42S16800D-75ETLI	-	RFQ	6290	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	133 MHz	揮発性	128mbit	6.5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS45S16800B-7TLA1	-	RFQ	4961	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS45S16800	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
IS45S32200E-7BLA1	-	RFQ	4885	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS45S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS45S16100C1-7BLA1	-	RFQ	7125	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	IS45S16100	SDRAM	3V〜3.6V	60-minibga （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	286	143 MHz	揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS45S32200E-7BLA2	-	RFQ	5107	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	90-TFBGA	IS45S32200	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS43R32800B-6BL	-	RFQ	2731	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	144-LFBGA	IS43R32800	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	144-minibga（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	189	166 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	8m x 32	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（5712）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²