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メモリ（ 3）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DS28DG02G-3C+ | - |  | 2004年年 | 0.00000000 | ダラス半導体 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 36-wfqfn露出パッド | DS28DG02 | Eeprom | 2.2V〜5.25V | 36-TQFN （6x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | spi | - | ||||
 | ds1270ab-70＃ -ds | - | | 1554 | 0.00000000 | ダラス半導体 | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | 1 | ||||||||||||||||||
 | DS1270AB-70 | 157.3300 | | 1 | 0.00000000 | ダラス半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-DS1270AB-70＃ -406 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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