画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SM671PBF-BFSS | 178.7100 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PBF-BFSS | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | ||||||||
SM671PXC-BFST | 28.3000 | ![]() | 5612 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXC-BFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM671PBB-AFST | - | ![]() | 9308 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PBB-AFST | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM671PXD-AFST | - | ![]() | 7574 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PXD-AFST | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM662GBE-BDST | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GBE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PXDベス | 51.9500 | ![]() | 8360 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PXDベス | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |
SM671PAD-BFST | 48.5400 | ![]() | 2079 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PAD-BFST | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662GABベス | 19.4700 | ![]() | 5598 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662gab-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM671PXDLBFSS | 46.1000 | ![]() | 4711 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PXDLBFSS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MD619GXELEG3T | 66.8400 | ![]() | 1471 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-MD619GXELEG3T | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM662GBBベスト | 20.5200 | ![]() | 1814年年 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GBB-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GEF BFST | 178.9800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GEFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM671PACLBFST | 29.8200 | ![]() | 5182 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PACLBFST | 1 | ||||||||||||||||||
SM671PXF-BFSS | 166.7500 | ![]() | 6719 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXF-BFSS | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM671PXB-ADSS | - | ![]() | 6383 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PXB-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM671PXA-ADSS | - | ![]() | 1609 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PXA-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM671PXFLBFSS | 137.6000 | ![]() | 4471 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PXFLBFSS | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM662GEC BFST | 26.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SM668PEA-AC | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM671PBB-ADST | - | ![]() | 6912 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PBB-ADST | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM668PE8-ACS | - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM668 | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 1984-SM668PE8-ACS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | SM662PAAベス | - | ![]() | 7888 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PAA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GADベス | 54.3700 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662gad-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GXC BESS | 27.7300 | ![]() | 98 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662gxcbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
![]() | SM662PXA-BDAT | 14.6300 | ![]() | 2344 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM662PXA-BDAT | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM662GBB-BDSS | - | ![]() | 1067 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GBB-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PXF BESS | 175.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662pxfbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
![]() | sm662ped bess | 48.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662pedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
![]() | SM662GED-BEST | 54.1700 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GED-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GXCベスト | 30.0800 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662GXC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - |
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