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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W631GG6NB-11 TR Winbond Electronics w631gg6nb-11 tr 2.9730
RFQ
 ECAD 7385 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-11TR ear99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W25Q64CVTBAG Winbond Electronics w25q64cvtbag -
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64CVTBAG 廃止 1 80 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W97BH2MBVA2I TR Winbond Electronics w97bh2mbva2i tr 5.6100
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97BH2MBVA2ITR ear99 8542.32.0036 3,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
W25Q512JVEIQ TR Winbond Electronics w25q512jveiq tr 4.8300
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q512jveiqtr 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
W25X80VSSIG Winbond Electronics w25x80vssig -
RFQ
 ECAD 9041 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25x80 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 3ms
W25Q512JVBIM TR Winbond Electronics w25q512jvbim tr -
RFQ
 ECAD 9533 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q512jvbimtr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
W63AH6NBVABE Winbond Electronics w63ah6nbvabe 4.7314
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH6 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH6NBVABE ear99 8542.32.0032 189 800 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W632GG8NB-09 Winbond Electronics w632gg8nb-09 4.8364
RFQ
 ECAD 6384 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25N01JWTBIG Winbond Electronics W25N01JWTBIG 3.6750
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01JWTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、dtr 700µs
W25Q16DWNB04 Winbond Electronics W25Q16DWNB04 -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16DWNB04 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
W66BP6NBUAHJ Winbond Electronics w66bp6nbuahj 5.2240
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66bp6 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66bp6nbuahj ear99 8542.32.0036 144 2.133 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q16CVSSJG TR Winbond Electronics w25q16cvssjg tr -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q16CVSSJGTR ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W634GU8QB09I Winbond Electronics W634GU8QB09I 6.6186
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB09I ear99 8542.32.0036 242 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W74M25JVSFIQ TR Winbond Electronics W74M25JVSFIQ TR 3.4754
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W74M25 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M25JVSFIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 80 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
W25Q64CVZESG Winbond Electronics w25q64cvzesg -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64CVZESG 廃止 1 80 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W29N02KVDIAF TR Winbond Electronics w29n02kvdiaf tr 4.0468
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KVDIAFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W29N01HWBINA TR Winbond Electronics W29N01HWBINA TR 3.4053
RFQ
 ECAD 5631 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HWBINATR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 1gbit 22 ns フラッシュ 64m x 16 onfi 25ns
W29N02KVBIAE Winbond Electronics w29n02kvbiae 4.7810
RFQ
 ECAD 9417 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KVBIAE 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 onfi 25ns
W634GU6QB-11 Winbond Electronics W634GU6QB-11 10.8700
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W634GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU6QB-11 ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
W25Q16DWNB02 Winbond Electronics W25Q16DWNB02 -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16DWNB02 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
W25N04KVZEIU TR Winbond Electronics w25n04kvzeiu tr 5.5500
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N04KVZEIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W94AD6KBHX5I TR Winbond Electronics w94ad6kbhx5i tr 3.9774
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W94AD6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25Q64FVZPIF TR Winbond Electronics w25q64fvzpif tr -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q64fvzpiftr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25B40VSNIG T&R Winbond Electronics w25b40vsnig t＆r -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25B40 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
W25Q16JWSSSQ Winbond Electronics W25Q16JWSSSQ -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWSSSQ 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W632GU8NB11I Winbond Electronics W632GU8NB11I 5.3796
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W631GG6KS-12 Winbond Electronics W631GG6KS-12 -
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 表面マウント 96-VFBGA 96-VFBGA （7.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 190
W25Q257FVEIF TR Winbond Electronics w25q257fveif tr -
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q257 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W631GG6MB15J TR Winbond Electronics w631gg6mb15j tr -
RFQ
 ECAD 4827 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6MB15JTR 廃止 3,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GU8MB-15 Winbond Electronics W631GU8MB-15 -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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