画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W74M25JVZEIQ | 4.8800 | ![]() | 1588 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M25 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M25JVZEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | W25Q16JVSSIM | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVSSIM | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | w25q16jlssig | 0.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JLSSIG | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | ||
![]() | W29N02GWBIBA TR | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 29 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 35 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 35ns | ||
w632gu6nb12i tr | 4.6050 | ![]() | 8235 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w25n01jwzeig | 3.2194 | ![]() | 4762 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01JWZEIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 700µs | ||
![]() | W631GU8NB-12 | 3.2692 | ![]() | 6499 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB-12 | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w631gg8nb-09 | 3.4137 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB-09 | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
W631GU6NB-15 | 3.2268 | ![]() | 9214 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB-15 | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W631GU8MB-09 | - | ![]() | 1371 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8MB-09 | 廃止 | 242 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | W631GU8NB-15 | 3.2150 | ![]() | 3198 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB-15 | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | W25Q02JVTBIM | 24.5600 | ![]() | 54 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q02 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q02JVTBIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | |
![]() | w25q02jvtbim tr | 23.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q02 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | ||
![]() | W25Q128FVPBQ | - | ![]() | 8404 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVPBQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | W25Q128FVEAQ | - | ![]() | 1087 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVEAQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | W25Q128FVCBQ | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVCBQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | w25q128fvbag | - | ![]() | 9748 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVBAG | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | w25q128fvcaq | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVCAQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
w25q128jvpaq | - | ![]() | 4900 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVPAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | W25Q128JVFSQ | - | ![]() | 6038 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVFSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W25Q128BVBAP | - | ![]() | 9620 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128BVBAP | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W25Q128BVEAG | - | ![]() | 5067 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128BVEAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128jvesm | - | ![]() | 8206 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVESM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q128jvesq | - | ![]() | 7040 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVESQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W25Q128JVEAQ | - | ![]() | 9945 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVEAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q128jveam | - | ![]() | 5731 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVeam | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q128bvebg | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128BVEBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128bvesg | - | ![]() | 7212 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128BVESG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128jwsaq | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JWSAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W25Q128FWSAQ | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FWSAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms |
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