画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w25q256jwbiq | 2.8675 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | w956a8mbya5i | 1.9326 | ![]() | 1632 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W956A8 | ハイパーラム | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W956A8MBYA5I | ear99 | 8542.32.0002 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 35 ns | ドラム | 8m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |
![]() | w25q01jvtbiq | 11.7800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVTBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | |
![]() | W979H2KBVX2E TR | 4.9500 | ![]() | 1662 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W979H2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W979H2KBVX2ETR | ear99 | 8542.32.0028 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w63ah6nbvabe tr | 4.1409 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH6NBVABETR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | W63AH2NBVACE TR | 4.1409 | ![]() | 1080 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH2 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH2NBVACETR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | w989d6dbgx6e tr | 3.0117 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-TFBGA | W989D6 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W989D6DBGX6etr | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | lvcmos | 15ns | |
![]() | w97bh6mbva2e tr | 5.6100 | ![]() | 1638 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97bh6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH6MBVA2ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w97bh6mbva1i | 6.3973 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97bh6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH6MBVA1I | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w25n512gvbir tr | - | ![]() | 7394 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w957d8mfya5i tr | 2.7171 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W957D8 | ハイパーラム | 3V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W957D8MFYA5ITR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 36 ns | ドラム | 16m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |
![]() | W25M512JWCIQ | - | ![]() | 3785 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWCIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
w25q64jvzpiq | 1.1000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVZPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | W9812G6KH-5I | 1.7857 | ![]() | 5581 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9812G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9812G6KH-5I | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 4.5 ns | ドラム | 8m x 16 | lvttl | - | |
![]() | w956d8mbya5i tr | 1.6344 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W956D8 | ハイパーラム | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W956D8MBYA5ITR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 35 ns | ドラム | 8m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |
![]() | W978H2KBVX1I | 5.1184 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H2KBVX1I | ear99 | 8542.32.0024 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | w63ah2nbvabe tr | 4.1409 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH2 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH2NBVABETR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
w631gu6nb-11 tr | 2.9730 | ![]() | 1001 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB-11TR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
w631gu6nb12i | 4.8100 | ![]() | 281 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB12I | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W9412G6JB-5I TR | - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | W9412G6 | SDRAM | 2.7V〜2.3V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9412G6JB-5ITR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | lvttl | 15ns | |
![]() | W25M02GWTBIG | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GWTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25q16jluxig tr | 0.6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | W29N01HWDINA | - | ![]() | 9844 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWDINA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | w25q256jvmiq tr | 2.3100 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wlga露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wflga (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JVMIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w74m00avsnig tr | 0.8263 | ![]() | 2752 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M00AVSNIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 80 MHz | 不揮発性 | - | フラッシュ | - | - | ||||
![]() | W25N512GWFIR | 2.3515 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GWFIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
W29N02KVSIAF | 4.6243 | ![]() | 2852 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KVSIAF | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2Gbit | 25 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | w25n04kvtbir tr | 5.9394 | ![]() | 1673 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVTBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
![]() | w25q16jvsnim | 0.5200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVSNIM | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | W25Q101010WSNIG TR | - | ![]() | 5207 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q10 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q101010WSNIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 6 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs |
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