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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q256JWBIQ Winbond Electronics w25q256jwbiq 2.8675
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JWBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W956A8MBYA5I Winbond Electronics w956a8mbya5i 1.9326
RFQ
ECAD 1632 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 24-tbga W956A8 ハイパーラム 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W956A8MBYA5I ear99 8542.32.0002 480 200 MHz 揮発性 64mbit 35 ns ドラム 8m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q01JVTBIQ Winbond Electronics w25q01jvtbiq 11.7800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q01JVTBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 1gbit 7.5 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 3.5ms
W979H2KBVX2E TR Winbond Electronics W979H2KBVX2E TR 4.9500
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W979H2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W979H2KBVX2ETR ear99 8542.32.0028 3,500 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 HSUL_12 15ns
W63AH6NBVABE TR Winbond Electronics w63ah6nbvabe tr 4.1409
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH6 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH6NBVABETR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W63AH2NBVACE TR Winbond Electronics W63AH2NBVACE TR 4.1409
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH2NBVACETR ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W989D6DBGX6E TR Winbond Electronics w989d6dbgx6e tr 3.0117
RFQ
ECAD 8176 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 54-TFBGA W989D6 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W989D6DBGX6etr ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 lvcmos 15ns
W97BH6MBVA2E TR Winbond Electronics w97bh6mbva2e tr 5.6100
RFQ
ECAD 1638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97bh6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97BH6MBVA2ETR ear99 8542.32.0036 3,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 HSUL_12 15ns
W97BH6MBVA1I Winbond Electronics w97bh6mbva1i 6.3973
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97bh6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97BH6MBVA1I ear99 8542.32.0036 168 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 HSUL_12 15ns
W25N512GVBIR TR Winbond Electronics w25n512gvbir tr -
RFQ
ECAD 7394 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25N512 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N512GVBIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W957D8MFYA5I TR Winbond Electronics w957d8mfya5i tr 2.7171
RFQ
ECAD 6857 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 24-tbga W957D8 ハイパーラム 3V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W957D8MFYA5ITR ear99 8542.32.0002 2,000 200 MHz 揮発性 128mbit 36 ns ドラム 16m x 8 ハイパーバス 35ns
W25M512JWCIQ Winbond Electronics W25M512JWCIQ -
RFQ
ECAD 3785 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25M512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M512JWCIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi 5ms
W25Q64JVZPIQ Winbond Electronics w25q64jvzpiq 1.1000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64JVZPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W9812G6KH-5I Winbond Electronics W9812G6KH-5I 1.7857
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) W9812G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W9812G6KH-5I ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 揮発性 128mbit 4.5 ns ドラム 8m x 16 lvttl -
W956D8MBYA5I TR Winbond Electronics w956d8mbya5i tr 1.6344
RFQ
ECAD 6956 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 24-tbga W956D8 ハイパーラム 1.7V〜2V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W956D8MBYA5ITR ear99 8542.32.0002 2,000 200 MHz 揮発性 64mbit 35 ns ドラム 8m x 8 ハイパーバス 35ns
W978H2KBVX1I Winbond Electronics W978H2KBVX1I 5.1184
RFQ
ECAD 8150 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W978H2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W978H2KBVX1I ear99 8542.32.0024 168 533 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 HSUL_12 15ns
W63AH2NBVABE TR Winbond Electronics w63ah2nbvabe tr 4.1409
RFQ
ECAD 3014 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH2NBVABETR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W631GU6NB-11 TR Winbond Electronics w631gu6nb-11 tr 2.9730
RFQ
ECAD 1001 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GU6NB-11TR ear99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GU6NB12I Winbond Electronics w631gu6nb12i 4.8100
RFQ
ECAD 281 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GU6NB12I ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W9412G6JB-5I TR Winbond Electronics W9412G6JB-5I TR -
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA W9412G6 SDRAM 2.7V〜2.3V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W9412G6JB-5ITR ear99 8542.32.0002 2,500 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 8m x 16 lvttl 15ns
W25M02GWTBIG Winbond Electronics W25M02GWTBIG -
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M02GWTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q16JLUXIG TR Winbond Electronics w25q16jluxig tr 0.6600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W29N01HWDINA Winbond Electronics W29N01HWDINA -
RFQ
ECAD 9844 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-VFBGA (8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N01HWDINA 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W25Q256JVMIQ TR Winbond Electronics w25q256jvmiq tr 2.3100
RFQ
ECAD 4100 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wflga (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JVMIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W74M00AVSNIG TR Winbond Electronics w74m00avsnig tr 0.8263
RFQ
ECAD 2752 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W74M00AVSNIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 - フラッシュ - -
W25N512GWFIR Winbond Electronics W25N512GWFIR 2.3515
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25N512 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N512GWFIR 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W29N02KVSIAF Winbond Electronics W29N02KVSIAF 4.6243
RFQ
ECAD 2852 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) W29N02 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N02KVSIAF 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W25N04KVTBIR TR Winbond Electronics w25n04kvtbir tr 5.9394
RFQ
ECAD 1673 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N04KVTBIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W25Q16JVSNIM Winbond Electronics w25q16jvsnim 0.5200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JVSNIM ear99 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q10EWSNIG TR Winbond Electronics W25Q101010WSNIG TR -
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q10 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q101010WSNIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 1mbit 6 ns フラッシュ 128k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫