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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q01NWZEIM Winbond Electronics w25q01nwzeim 10.1250
RFQ
ECAD 9847 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q01NWZEIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W71NW20GD3GW Winbond Electronics W71NW20GD3GW -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ - - W71NW20 フラッシュ-nand、dram -lpddr 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W71NW20GD3GW 136 不揮発性、揮発性 2GBIT (NAND フラッシュ、ラム - - -
W63AH2NBVADE TR Winbond Electronics w63ah2nbvade tr 4.1409
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ECAD 3602 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH2NBVADETR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25N02JWZEIC Winbond Electronics W25N02JWZEIC 5.1852
RFQ
ECAD 2972 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N02JWZEIC 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、dtr 700µs
W956D8MBKX5I TR Winbond Electronics w956d8mbkx5i tr -
RFQ
ECAD 3232 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) - - W956D8 ハイパーラム 1.7V〜2V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W956D8MBKX5ITR ear99 8542.32.0002 2,500 200 MHz 揮発性 64mbit ドラム 8m x 8 ハイパーバス -
W25Q32JWSNIQ Winbond Electronics w25q32jwsniq -
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ECAD 5989 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q32 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JWSNIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q80DLSNIG TR Winbond Electronics w25q80dlsnig tr -
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ECAD 8964 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q80DLSNIGTR ear99 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
W63AH6NBVADI Winbond Electronics w63ah6nbvadi 6.2600
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ECAD 3944 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH6 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH6NBVADI ear99 8542.32.0032 189 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W956D8MBKX5I Winbond Electronics w956d8mbkx5i -
RFQ
ECAD 2379 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) - - W956D8 ハイパーラム 1.7V〜2V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W956D8MBKX5I ear99 8542.32.0002 312 200 MHz 揮発性 64mbit ドラム 8m x 8 ハイパーバス -
W29N02KVDIAF TR Winbond Electronics w29n02kvdiaf tr 4.0468
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ECAD 3105 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-VFBGA (8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N02KVDIAFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W25N01GVTCIR TR Winbond Electronics w25n01gvtcir tr -
RFQ
ECAD 4498 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N01GVTCIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W632GG8NB-11 TR Winbond Electronics w632gg8nb-11 tr 4.2018
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GG8NB-11TR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q512NWFIM TR Winbond Electronics w25q512nwfim tr -
RFQ
ECAD 2629 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q512 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q512NWFIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 3ms
W29N02KZBIBF TR Winbond Electronics w29n02kzbibf tr -
RFQ
ECAD 7143 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N02KZBIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 2Gbit 22 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W632GG8NB15I TR Winbond Electronics w632gg8nb15i tr 4.6281
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GG8NB15ITR ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W25N01JWSFIG Winbond Electronics w25n01jwsfig 3.3924
RFQ
ECAD 1434 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N01JWSFIG 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、dtr 700µs
W631GU6NB-09 TR Winbond Electronics W631GU6NB-09 TR 3.0202
RFQ
ECAD 4166 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GU6NB-09TR ear99 8542.32.0032 3,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GU6NB15I TR Winbond Electronics w631gu6nb15i tr 4.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GG8NB15I Winbond Electronics w631gg8nb15i 4.7200
RFQ
ECAD 182 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GG8NB15I ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W25M161AWEIT TR Winbond Electronics w25m161aweit tr -
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ECAD 1146 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M161 フラッシュ -ナンド、フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M161AWEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 16mbit (flash-nor )、 1gbit(フラッシュナンド) フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25M121AVEIT Winbond Electronics w25m121aveit -
RFQ
ECAD 4527 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M121 フラッシュ -ナンド、フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M121AVEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128MBIT(フラッシュ - ナー1gbit(フラッシュナンド) 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W978H2KBVX1I TR Winbond Electronics w978h2kbvx1i tr 4.3650
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ECAD 6961 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W978H2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W978H2KBVX1ITR ear99 8542.32.0024 3,500 533 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 HSUL_12 15ns
W632GG8NB-09 TR Winbond Electronics w632gg8nb-09 tr 4.2475
RFQ
ECAD 7554 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GG8NB-09TR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q01NWTBIQ TR Winbond Electronics w25q01nwtbiq tr 10.4100
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ECAD 1951年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q01NWTBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W97BH6MBVA2I TR Winbond Electronics w97bh6mbva2i tr 5.6100
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ECAD 5417 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97bh6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97BH6MBVA2ITR ear99 8542.32.0036 3,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 HSUL_12 15ns
W74M25JWZEIQ Winbond Electronics W74M25JWZEIQ 3.9881
RFQ
ECAD 6964 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W74M25 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W74M25JWZEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 - -
W29N01HWDINF Winbond Electronics W29N01HWDINF -
RFQ
ECAD 5730 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-VFBGA (8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N01HWDINF 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W25M02GVZEIG Winbond Electronics W25M02GVZEIG -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M02 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M02GVZEIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W631GG8NB-09 TR Winbond Electronics w631gg8nb-09 tr 3.1427
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GG8NB-09TR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W71NW10GE3FW Winbond Electronics w71nw10ge3fw -
RFQ
ECAD 3237 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ - - W71NW10 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W71NW10GE3FW 210 400 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫