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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q16JVUUJM TR Winbond Electronics w25q16jvuujm tr -
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q16jvuujmtr ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W632GU6MB09I Winbond Electronics W632GU6MB09I -
RFQ
 ECAD 9802 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q64FWWA Winbond Electronics w25q64fwwa -
RFQ
 ECAD 6066 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） - - W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FWWA 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25N512GWPIR TR Winbond Electronics W25N512GWPIR TR -
RFQ
 ECAD 1579 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GWPIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q40EWSNIG TR Winbond Electronics w25q40ewsnig tr 0.4261
RFQ
 ECAD 9542 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q40 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
W631GG6KB11I Winbond Electronics w631gg6kb11i -
RFQ
 ECAD 1575 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W956A8MBYA5I Winbond Electronics w956a8mbya5i 1.9326
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W956A8 ハイパーラム 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W956A8MBYA5I ear99 8542.32.0002 480 200 MHz 揮発性 64mbit 35 ns ドラム 8m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q256JVBIQ TR Winbond Electronics w25q256jvbiq tr 2.5552
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG6NB12J TR Winbond Electronics w631gg6nb12j tr -
RFQ
 ECAD 2534 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB12JTR ear99 8542.32.0032 3,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W25M02GVZEIT TR Winbond Electronics W25M02GVZEIT TR -
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 700µs
W972GG8KB-25 Winbond Electronics W972GG8KB-25 -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W972GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 189 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q40EWWA Winbond Electronics w25q40ewwa -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） - - W25Q40 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q40WWA 廃止 1 104 MHz 不揮発性 4mbit 7 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W632GG8NB-09 TR Winbond Electronics w632gg8nb-09 tr 4.2475
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB-09TR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W632GU6NB09J Winbond Electronics W632GU6NB09J -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25X10VZPIG Winbond Electronics w25x10vzpig -
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25x10 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
W29N01HWDINA Winbond Electronics W29N01HWDINA -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HWDINA 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W634GU8QB-11 Winbond Electronics W634GU8QB-11 5.9053
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB-11 ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W632GU6NB11I Winbond Electronics w632gu6nb11i 5.3998
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W971GG8SB25I Winbond Electronics W971GG8SB25I -
RFQ
 ECAD 6488 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 264 200 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
W25M02GVSFJG Winbond Electronics W25M02GVSFJG -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVSFJG 廃止 44 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W631GU6NB12J Winbond Electronics w631gu6nb12j -
RFQ
 ECAD 1739 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB12J ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25Q64JVZESQ Winbond Electronics w25q64jvzesq -
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVZESQ 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25X16VZPIG T&R Winbond Electronics w25x16vzpig t＆r -
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25x16 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 3ms
W29GL128PH9T Winbond Electronics W29GL128PH9T -
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
W29N01HVBIAA Winbond Electronics W29N01HVBIAA -
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス * トレイ sicで中止されました W29N01 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
W29GL032CT7A Winbond Electronics W29GL032CT7A -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA W29GL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
W63AH2NBVADE TR Winbond Electronics w63ah2nbvade tr 4.1409
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH2NBVADETR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W66CP2NQUAGJ TR Winbond Electronics w66cp2nquagj tr 6.6300
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66CP2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66cp2nquagjtr ear99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q16FWSNSQ Winbond Electronics w25q16fwsnsq -
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16FWSNSQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
W9864G6JB-6I Winbond Electronics W9864G6JB-6I 3.0164
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA W9864G6 SDRAM 3V〜3.6V 60-VFBGA （6.4x10.1 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W9864G6JB-6I ear99 8542.32.0024 286 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 lvttl -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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