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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W632GG6NB11I Winbond Electronics w632gg6nb11i 5.3998
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GG6NB-15 Winbond Electronics W632GG6NB-15 4.6787
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GG8NB-11 Winbond Electronics W632GG8NB-11 4.7838
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG8NB-12 Winbond Electronics W632GG8NB-12 4.7137
RFQ
 ECAD 1999年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG8NB15I Winbond Electronics w632gg8nb15i 5.2744
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GU6NB-11 Winbond Electronics W632GU6NB-11 4.8018
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GU6NB-15 Winbond Electronics W632GU6NB-15 4.6787
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GU8NB15I Winbond Electronics W632GU8NB15I 5.2744
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG6MB-07 Winbond Electronics W632GG6MB-07 -
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 -
W632GG6MB09J Winbond Electronics W632GG6MB09J -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GG8MB11J Winbond Electronics W632GG8MB11J -
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GU6MB-08 Winbond Electronics W632GU6MB-08 -
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 -
W632GU8MB-09 Winbond Electronics W632GU8MB-09 -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG8MB11I Winbond Electronics w632gg8mb11i -
RFQ
 ECAD 5625 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG6MB09I Winbond Electronics w632gg6mb09i -
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GU8MB09I Winbond Electronics W632GU8MB09I -
RFQ
 ECAD 1996年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GG8NB11J Winbond Electronics w632gg8nb11j -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W632GU6NB11J Winbond Electronics W632GU6NB11J -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W967D6HKA-7M Winbond Electronics W967D6HKA-7M -
RFQ
 ECAD 3166 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - バルク 前回購入します W967D6 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 128mbit 70 ns psram 8m x 16 平行 -
W25Q512JVBIM Winbond Electronics W25Q512JVBIM -
RFQ
 ECAD 6797 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
W25Q512JVFIQ TR Winbond Electronics w25q512jvfiq tr 4.7899
RFQ
 ECAD 5134 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q512jvfiqtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
W972GG8KS-25 TR Winbond Electronics W972GG8KS-25 TR 9.3150
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA W972GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W972GG8KS-25TR ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25R128FVSIQ Winbond Electronics W25R128FVSIQ -
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128FVSIQ 廃止 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25R128JVSIQ Winbond Electronics W25R128JVSIQ 2.1674
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25R128JVEIQ Winbond Electronics W25R128JVEIQ -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25R128JVSIQ TR Winbond Electronics W25R128JVSIQ TR 1.9609
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64JWZEIM Winbond Electronics w25q64jwzeim -
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWZEIM 3A991B1A 8542.32.0071 63 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64JWZPIQ TR Winbond Electronics w25q64jwzpiq tr 0.9456
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWZPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64JWZPIQ Winbond Electronics w25q64jwzpiq 1.0251
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWZPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64JWZEIQ Winbond Electronics w25q64jwzeiq -
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWZEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 63 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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