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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q256JVEIQ Winbond Electronics w25q256jveiq 3.2900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 63 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q01JVZEIM Winbond Electronics w25q01jvzeim 11.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q01JVZEIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 1gbit 7.5 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 3.5ms
W9864G6JT-6I Winbond Electronics W9864G6JT-6I 3.0886
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA W9864G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W9864G6JT-6I ear99 8542.32.0024 319 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 lvttl -
W25Q80BVSNAG Winbond Electronics w25q80bvsnag -
RFQ
 ECAD 6642 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q80 フラッシュ - 2.5V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80BVSNAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q64JVZPAM Winbond Electronics w25q64jvzpam -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVZPAM 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N01GVTBIT Winbond Electronics W25N01GVTBIT -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01GVTBIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W634GU8QB-09 TR Winbond Electronics W634GU8QB-09 TR 5.2371
RFQ
 ECAD 7385 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB-09TR ear99 8542.32.0036 2,000 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W29N02KZDIBE Winbond Electronics w29n02kzdibe 6.1004
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N02KZDIBE 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 2Gbit 22 ns フラッシュ 256m x 8 onfi 25ns 、700µs
W25N04KWTCIU TR Winbond Electronics w25n04kwtciu tr 6.1856
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25N04KWTCIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
W631GG6NB12I Winbond Electronics w631gg6nb12i 4.8100
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB12I ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GG8NB12I TR Winbond Electronics w631gg8nb12i tr 4.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W632GG8MB15I Winbond Electronics w632gg8mb15i -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W632GU8MB09I Winbond Electronics W632GU8MB09I -
RFQ
 ECAD 1996年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W97BH2MBVA2I Winbond Electronics W97BH2MBVA2I 6.3460
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97BH2MBVA2I ear99 8542.32.0036 168 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
W25Q256JWBIM Winbond Electronics w25q256jwbim 2.7864
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWBIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W66BP6NBUAFJ Winbond Electronics w66bp6nbuafj 5.1184
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66bp6 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BP6NBUAFJ ear99 8542.32.0036 144 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q128BVFAG Winbond Electronics W25Q128BVFAG -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128BVFAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q64JVZEIM TR Winbond Electronics w25q64jvzeim tr 0.9035
RFQ
 ECAD 1553 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25M02GWZEIG Winbond Electronics W25M02GWZEIG 6.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWZEIG 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25R256JWEIQ TR Winbond Electronics w25r256jweiq tr 3.1950
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R256JWEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -
W9812G6KB-6 Winbond Electronics W9812G6KB-6 4.4900
RFQ
 ECAD 319 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 54-TFBGA W9812G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 319 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
W957A8MFYA5I Winbond Electronics w957a8mfya5i 2.8365
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W957A8 ハイパーラム 3V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W957A8MFYA5I ear99 8542.32.0002 480 200 MHz 揮発性 128mbit 36 ns ドラム 16m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q16FWUXBQ Winbond Electronics W25Q16FWUXBQ -
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16FWUXBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
W25Q64JVTBAM Winbond Electronics w25q64jvtbam -
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVTBAM 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG6NB09J Winbond Electronics w631gg6nb09j -
RFQ
 ECAD 4723 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB09J ear99 8542.32.0032 198 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W25Q32JVSFAQ Winbond Electronics W25Q32JVSFAQ -
RFQ
 ECAD 1942年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSFAQ 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q01NWSFIM TR Winbond Electronics w25q01nwsfim tr 10.0800
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q01NWSFIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W66CL2NQUAGJ TR Winbond Electronics w66cl2nquagj tr 8.8650
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66Cl2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66CL2NQUAGJTR ear99 8542.32.0036 2,500 1.866 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q256JWEIM TR Winbond Electronics w25q256jweim tr -
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWEIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W29N01HZDINF Winbond Electronics w29n01hzdinf 3.4367
RFQ
 ECAD 9122 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HZDINF 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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