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メモリ（2872）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
w631gg6nb12j	-	RFQ	9483	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG6NB12J	ear99	8542.32.0032	198	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	SSTL_15	15ns
w25q01jvzeim	11.4500	RFQ	1	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q01	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q01JVZEIM	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	1gbit	7.5 ns	フラッシュ	128m x 8	spi -quad i/o	3.5ms
W9864G6JT-6I	3.0886	RFQ	2270	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	W9864G6	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W9864G6JT-6I	ear99	8542.32.0024	319	166 MHz	揮発性	64mbit	5 ns	ドラム	4m x 16	lvttl	-
W631GU6NB-12 TR	2.9101	RFQ	2199	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GU6NB-12TTR	ear99	8542.32.0032	3,000	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
w25q80bvsnag	-	RFQ	6642	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	W25Q80	フラッシュ -	2.5V〜3.6V	8-SOIC	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q80BVSNAG	廃止		1	104 MHz	不揮発性	8mbit	6 ns	フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
w25q64jvzpam	-	RFQ	6113	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson （6x5）	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q64JVZPAM			1	133 MHz	不揮発性	64mbit	6 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	3ms
W25N01GVTBIT	-	RFQ	9019	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	W25N01	フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25N01GVTBIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	不揮発性	1gbit	7 ns	フラッシュ	128m x 8	spi -quad i/o	700µs
W634GU8QB-09 TR	5.2371	RFQ	7385	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA	W634GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W634GU8QB-09TR	ear99	8542.32.0036	2,000	1.06 GHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
w29n02kzdibe	6.1004	RFQ	6832	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA		フラッシュ-nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA （8x6.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		256-W29N02KZDIBE	3A991B1A	8542.32.0071	260		不揮発性	2Gbit	22 ns	フラッシュ	256m x 8	onfi	25ns 、700µs
w25n04kwtciu tr	6.1856	RFQ	4898	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga		フラッシュ-nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		256-W25N04KWTCIUTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	不揮発性	4gbit	8 ns	フラッシュ	512m x 8	spi -quad i/o	700µs
w25x20vzpig	-	RFQ	6923	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25x20	フラッシュ	2.7V〜3.6V	8-wson （6x5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	75 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi	3ms
w631gg6nb12i	4.8100	RFQ	198	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG6NB12I	ear99	8542.32.0032	198	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	SSTL_15	15ns
w631gg8nb12i tr	4.8800	RFQ	2	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	SSTL_15	15ns
w632gg8mb15i	-	RFQ	2517	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W632GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA（10.5x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	-
W9412G6JB-5	-	RFQ	4266	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA	W9412G6	SDRAM	2.7V〜2.3V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W9412G6JB-5	ear99	8542.32.0002	209	200 MHz	揮発性	128mbit	700 ps	ドラム	8m x 16	lvttl	15ns
W632GU8MB09I	-	RFQ	1996年年	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	242	1.067 GHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
W97BH2MBVA2I	6.3460	RFQ	8499	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-VFBGA	W97BH2	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-VFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W97BH2MBVA2I	ear99	8542.32.0036	168	400 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	64m x 32	HSUL_12	15ns
w25q256jwbim	2.7864	RFQ	2449	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	W25Q256	フラッシュ -	1.7V〜1.95V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q256JWBIM	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	不揮発性	256mbit	6 ns	フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	5ms
w66bp6nbuafj	5.1184	RFQ	5587	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA	W66bp6	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-WFBGA （10x14.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W66BP6NBUAFJ	ear99	8542.32.0036	144	1.6 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL_11	18ns
W25Q128BVFAG	-	RFQ	1128	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q128BVFAG	廃止		1	104 MHz	不揮発性	128mbit	7 ns	フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
w25q64jvzeim tr	0.9035	RFQ	1553	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	3ms
w25q16fwsnbq	-	RFQ	7925	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	W25Q16	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q16FWSNBQ	廃止		1	104 MHz	不揮発性	16mbit	6 ns	フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o、qpi	60µs、3ms
W25M02GWZEIG	6.3600	RFQ	2	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25M02	フラッシュ-nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25M02GWZEIG	3A991B1A	8542.32.0071	63	104 MHz	不揮発性	2Gbit		フラッシュ	256m x 8	spi -quad i/o	700µs
w25r256jweiq tr	3.1950	RFQ	6866	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25R256	フラッシュ -	1.7V〜1.95V	8-wson （8x6）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25R256JWEIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,000	104 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi	-
W9812G6KB-6	4.4900	RFQ	319	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C	表面マウント	54-TFBGA	W9812G6	SDRAM	3V〜3.6V	54-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99		319	166 MHz	揮発性	128mbit	5 ns	ドラム	8m x 16	平行	-
w957a8mfya5i	2.8365	RFQ	8477	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	24-tbga	W957A8	ハイパーラム	3V〜3.6V	24-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W957A8MFYA5I	ear99	8542.32.0002	480	200 MHz	揮発性	128mbit	36 ns	ドラム	16m x 8	ハイパーバス	35ns
W25Q16FWUXBQ	-	RFQ	7028	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-ufdfn露出パッド	W25Q16	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-USON	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q16FWUXBQ	廃止		1	104 MHz	不揮発性	16mbit	6 ns	フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o、qpi	60µs、3ms
w25q64jvtbam	-	RFQ	2660	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-TFBGA	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q64JVTBAM			1	133 MHz	不揮発性	64mbit	6 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	3ms
w631gg6nb09j	-	RFQ	4723	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG6NB09J	ear99	8542.32.0032	198	1.066 GHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	SSTL_15	15ns
W25Q32JVSFAQ	-	RFQ	1942年年	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q32	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q32JVSFAQ			1	133 MHz	不揮発性	32mbit	6 ns	フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	3ms

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（2872）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²