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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25N512GVEIG Winbond Electronics w25n512gveig 2.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVEIG 3A991B1A 8542.32.0071 63 166 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25R256JVEIQ Winbond Electronics w25r256jveiq 3.4209
RFQ
 ECAD 9917 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R256JVEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W29N08GVBIAA Winbond Electronics W29N08GVBIAA 12.9129
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N08GVBIAA 3A991B1A 8542.32.0071 210 40 MHz 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 平行 25ns
W956D8MBYA5I Winbond Electronics w956d8mbya5i 2.2100
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W956D8 ドラム 1.7V〜2V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W956D8MBYA5I ear99 8542.32.0002 480 200 MHz 揮発性 64mbit 35 ns ドラム 8m x 8 ハイパーバス 35ns
W29N01HZBINF Winbond Electronics w29n01hzbinf 4.1700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HZBINF 3A991B1A 8542.32.0071 210 40 MHz 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W634GU6NB-12 Winbond Electronics W634GU6NB-12 10.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W634GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU6NB-12 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
W29N01HVDINA TR Winbond Electronics W29N01HVDINA TR 4.1700
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 40 MHz 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W29N02KVBIAF Winbond Electronics w29n02kvbiaf -
RFQ
 ECAD 6834 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KVBIAF 3A991B1A 8542.32.0071 210 40 MHz 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W25Q20EWBYIG TR Winbond Electronics w25q20ewbyig tr 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wlcsp（1.4x1.34） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
W97AH2NBVA2I Winbond Electronics w97ah2nbva2i 4.4852
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97AH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97AH2NBVA2I ear99 8542.32.0032 168 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W29N08GZSIBA Winbond Electronics W29N08GZSIBA 13.4724
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29N08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N08GZSIBA 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 8gbit 35 ns フラッシュ 1g x 8 平行 35ns
W632GG6NB-12 TR Winbond Electronics w632gg6nb-12 tr 6.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 3,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 SSTL_15 15ns
W971GG8SS-25 TR Winbond Electronics W971GG8SS-25 TR -
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x9.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8SS-25TR 廃止 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W631GG8MB-09 Winbond Electronics w631gg8mb-09 -
RFQ
 ECAD 9049 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8MB-09 廃止 242 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W631GG8NB-15 Winbond Electronics w631gg8nb-15 3.2150
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8NB-15 ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W631GG8NB-12 Winbond Electronics W631GG8NB-12 3.2692
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8NB-12 ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W631GG6NB-15 Winbond Electronics w631gg6nb-15 4.0800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-15 ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GU6NB-12 Winbond Electronics W631GU6NB-12 3.2812
RFQ
 ECAD 4385 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB-12 ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W631GU8NB-09 Winbond Electronics W631GU8NB-09 3.4137
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU8NB-09 ear99 8542.32.0032 242 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W631GG8NB-11 Winbond Electronics W631GG8NB-11 3.3415
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8NB-11 ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W631GU6MB-09 Winbond Electronics W631GU6MB-09 -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6MB-09 廃止 198 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W971GG8NB25I TR Winbond Electronics w971gg8nb25i tr 2.7171
RFQ
 ECAD 2979 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-VFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8NB25ITR ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W971GG6NB-25 Winbond Electronics W971GG6NB-25 3.7300
RFQ
 ECAD 971 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG6NB-25 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
W631GG6NB-12 Winbond Electronics w631gg6nb-12 4.1500
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-12 ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W958D8NBYA5I Winbond Electronics w958d8nbya5i 4.5300
RFQ
 ECAD 374 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W958D8 psram（pseudo sram 1.7V〜2V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W958D8NBYA5I ear99 8542.32.0024 480 200 MHz 揮発性 256mbit 35 ns psram 32m x 8 ハイパーバス 35ns
W25M02GVTCJT Winbond Electronics W25M02GVTCJT -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTCJT 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25M02GVSFIT Winbond Electronics W25M02GVSFIT -
RFQ
 ECAD 2481 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVSFIT 廃止 44 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25N02KVTCIR TR Winbond Electronics w25n02kvtcir tr 4.0213
RFQ
 ECAD 5830 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVTCIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25N02KVZEIU Winbond Electronics w25n02kvzeiu 4.5656
RFQ
 ECAD 4815 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVZEIU 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25M02GVTCJG Winbond Electronics W25M02GVTCJG -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTCJG 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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