SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W74M12JVZPIQ TR Winbond Electronics w74m12jvzpiq tr -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W74M12 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 256-W74M12JVZPIQTR 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W634GU8QB-09 Winbond Electronics W634GU8QB-09 5.9753
RFQ
ECAD 9825 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W634GU8QB-09 ear99 8542.32.0036 242 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W978H2KBVX2I TR Winbond Electronics w978h2kbvx2i tr 4.3650
RFQ
ECAD 9605 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W978H2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W978H2KBVX2ITR ear99 8542.32.0024 3,500 400 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 HSUL_12 15ns
W971GG6NB-25 Winbond Electronics W971GG6NB-25 3.7300
RFQ
ECAD 971 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W971GG6NB-25 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
W25Q64FVZPAQ Winbond Electronics w25q64fvzpaq -
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ECAD 7176 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64FVZPAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W97AH6KBQX2I Winbond Electronics w97ah6kbqx2i -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-wfbga W97AH6 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 168 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 15ns
W632GU8NB15I Winbond Electronics W632GU8NB15I 5.2744
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ECAD 3190 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q32FWSSIG Winbond Electronics w25q32fwssig -
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ECAD 2457 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q32 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25Q64JVSSIM TR Winbond Electronics w25q64jvssim tr 1.1200
RFQ
ECAD 82 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128BVBBG Winbond Electronics w25q128bvbbg -
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ECAD 1175 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128BVBBG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25N512GVPIT Winbond Electronics W25N512GVPIT 1.9638
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N512GVPIT 3A991B1A 8542.32.0071 570 166 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W97AH6NBVA2I TR Winbond Electronics w97ah6nbva2i tr 3.8700
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97AH6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97AH6NBVA2ITR ear99 8542.32.0032 3,500 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q64JVTBAQ Winbond Electronics w25q64jvtbaq -
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64JVTBAQ 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N02JWZEIF TR Winbond Electronics w25n02jwzeif tr 4.5750
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N02JWZEIFTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 166 MHz 不揮発性 2Gbit 6 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W632GG6KB-12 TR Winbond Electronics W632GG6KB-12 TR -
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ECAD 1058 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W9825G6KB-6I Winbond Electronics W9825G6KB-6I 4.2988
RFQ
ECAD 1077 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 54-TFBGA SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W9825G6KB-6I 319 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 lvttl -
W25Q32JVZPSM Winbond Electronics W25Q32JVZPSM -
RFQ
ECAD 6461 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JVZPSM 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16BVSSIG Winbond Electronics W25Q16BVSSIG -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W988D6FBGX6I TR Winbond Electronics w988d6fbgx6i tr -
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA W988D6 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W25Q32FWZPAQ Winbond Electronics w25q32fwzpaq -
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32FWZPAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25N512GVBIT TR Winbond Electronics w25n512gvbit tr 2.3696
RFQ
ECAD 1726 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25N512 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N512GVBittr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W97AH6KBVX2I TR Winbond Electronics w97ah6kbvx2i tr -
RFQ
ECAD 4648 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 134-VFBGA W97AH6 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,500 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25Q16JWZPAQ Winbond Electronics w25q16jwzpaq -
RFQ
ECAD 6140 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (6x5) ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JWZPAQ 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W632GU6NB-15 TR Winbond Electronics W632GU6NB-15 TR 4.0350
RFQ
ECAD 8521 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GU6NB-15TR ear99 8542.32.0036 3,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q32JVSNIQ TR Winbond Electronics w25q32jvsniq tr 0.6197
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JVSNIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W634GU8QB09I TR Winbond Electronics w634gu8qb09i tr 6.0300
RFQ
ECAD 9129 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W634GU8QB09ITR ear99 8542.32.0036 2,000 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W66CQ2NQUAFJ TR Winbond Electronics w66cq2nquafj tr 6.6000
RFQ
ECAD 8202 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CQ2 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66CQ2NQUAFJTR ear99 8542.32.0036 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q64FVSCA2 Winbond Electronics W25Q64FVSCA2 -
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W97AH2NBVA2I TR Winbond Electronics w97ah2nbva2i tr 3.8700
RFQ
ECAD 7685 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97AH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97AH2NBVA2ITR ear99 8542.32.0032 3,500 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25N04KWZEIU TR Winbond Electronics w25n04kwzeiu tr 5.7750
RFQ
ECAD 6855 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W25N04KWZEIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫