画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
w74m12jvzpiq tr | - | ![]() | 4654 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M12 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 256-W74M12JVZPIQTR | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | ||||
![]() | W634GU8QB-09 | 5.9753 | ![]() | 9825 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB-09 | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w978h2kbvx2i tr | 4.3650 | ![]() | 9605 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H2KBVX2ITR | ear99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | W971GG6NB-25 | 3.7300 | ![]() | 971 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W971GG6NB-25 | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |
w25q64fvzpaq | - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FVZPAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | w97ah6kbqx2i | - | ![]() | 7423 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-wfbga | W97AH6 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | W632GU8NB15I | 5.2744 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q32fwssig | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | w25q64jvssim tr | 1.1200 | ![]() | 82 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w25q128bvbbg | - | ![]() | 1175 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128BVBBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
W25N512GVPIT | 1.9638 | ![]() | 3464 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVPIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | w97ah6nbva2i tr | 3.8700 | ![]() | 7690 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97AH6NBVA2ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w25q64jvtbaq | - | ![]() | 4605 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVTBAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25n02jwzeif tr | 4.5750 | ![]() | 9925 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N02JWZEIFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 6 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
W632GG6KB-12 TR | - | ![]() | 1058 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | W9825G6KB-6I | 4.2988 | ![]() | 1077 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-TFBGA | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W9825G6KB-6I | 319 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | lvttl | - | |||||
W25Q32JVZPSM | - | ![]() | 6461 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVZPSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | W25Q16BVSSIG | - | ![]() | 9538 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w988d6fbgx6i tr | - | ![]() | 7075 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | W988D6 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
w25q32fwzpaq | - | ![]() | 4672 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32FWZPAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
![]() | w25n512gvbit tr | 2.3696 | ![]() | 1726 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVBittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w97ah6kbvx2i tr | - | ![]() | 4648 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH6 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
w25q16jwzpaq | - | ![]() | 6140 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWZPAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
W632GU6NB-15 TR | 4.0350 | ![]() | 8521 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU6NB-15TR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q32jvsniq tr | 0.6197 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSNIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w634gu8qb09i tr | 6.0300 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB09ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w66cq2nquafj tr | 6.6000 | ![]() | 8202 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66CQ2 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CQ2NQUAFJTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W25Q64FVSCA2 | - | ![]() | 4517 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |||
![]() | w97ah2nbva2i tr | 3.8700 | ![]() | 7685 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97AH2NBVA2ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w25n04kwzeiu tr | 5.7750 | ![]() | 6855 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N04KWZEIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 8 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 700µs |
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