画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w957a8mfya5i | 2.8365 | ![]() | 8477 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W957A8 | ハイパーラム | 3V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W957A8MFYA5I | ear99 | 8542.32.0002 | 480 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 36 ns | ドラム | 16m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |
![]() | W25M02GWTBIG TR | - | ![]() | 3322 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GWTBIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w74m25jvzeiq tr | 3.3600 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M25 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M25JVZEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |
![]() | w956a8mbya5i tr | 1.8198 | ![]() | 9683 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W956A8 | ハイパーラム | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W956A8MBYA5ITR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 35 ns | ドラム | 8m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |
![]() | W25N512GWEIR TR | 2.0721 | ![]() | 5288 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GWEIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W25Q101010WUXIE TR | - | ![]() | 4796 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q10 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q10WUXIETR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 6 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |
w25q32jvzpim tr | 0.6776 | ![]() | 3304 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVZPIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
W631GU6NB-12 TR | 2.9101 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB-12TTR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
w74m12jwzpiq tr | 2.2200 | ![]() | 4433 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M12 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M12JWZPIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | w25q01nwsfim | 13.1600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q01 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01NWSFIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25m161aweit | - | ![]() | 1601 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M161 | フラッシュ -ナンド、フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M161AWEIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit (flash-nor )、 1gbit(フラッシュナンド) | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | w25q256jvmim tr | - | ![]() | 6013 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wlga露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wflga (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JVMIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w97bh6mbva1e | 6.3973 | ![]() | 2319 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97bh6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH6MBVA1E | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w97bh6mbva1e tr | 5.6550 | ![]() | 3801 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97bh6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH6MBVA1ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w63ah6nbvaci tr | 4.3693 | ![]() | 9829 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH6NBVACITR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
w25q256jwpiq | 3.3700 | ![]() | 340 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||
![]() | w632gu8nb15i tr | 4.6281 | ![]() | 4057 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU8NB15ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w25q512nweiq tr | 5.5050 | ![]() | 8796 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q512 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q512NWEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q32jvtbim tr | - | ![]() | 7744 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVTBIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w948v6kbhx5i | 2.1391 | ![]() | 6435 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W948v6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.9V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W948V6KBHX5I | ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | lvcmos | 15ns | |
![]() | W631GU8NB09I | 4.9700 | ![]() | 242 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB09I | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | W29N01HWBINA | 3.7146 | ![]() | 4587 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWBINA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
w25q256jwpiq tr | 2.2500 | ![]() | 4132 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWPIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||
![]() | W25N04KVSFIR | - | ![]() | 1106 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVSFIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
W25Q32JWZPIM | 1.4400 | ![]() | 8971 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWZPIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||
![]() | w25q256jwyim tr | 2.4290 | ![]() | 4967 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-ufbga、wlcsp | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 32-wlcsp(3.98x3.19) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWYIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | w25n02jwzeif tr | 4.5750 | ![]() | 9925 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N02JWZEIFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 6 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w71nw10gf3fw | - | ![]() | 3375 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | - | - | W71NW10 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W71NW10GF3FW | 210 | 400 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit(nand | フラッシュ、ラム | - | - | - | ||||
![]() | W25N01GVSFIG TR | 2.6117 | ![]() | 3663 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVSFIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W989D2DBJX6E | 3.3776 | ![]() | 4882 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 90-TFBGA | W989D2 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W989D2DBJX6E | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | lvcmos | 15ns |
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