画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W971GG8NB-18 | 2.9983 | ![]() | 7396 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-VFBGA | W971GG8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W971GG8NB-18 | ear99 | 8542.32.0032 | 264 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |
w25q256jwpim | 3.2700 | ![]() | 5717 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWPIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||
w25q256jwpim tr | 2.2500 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWPIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | ||
![]() | W25N01GWTBIT TR | - | ![]() | 5549 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GWTBITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 8 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
W29N01HVSINF TR | 2.6117 | ![]() | 6870 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HVSINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 1gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | w29n02kvdiae tr | 4.0468 | ![]() | 1486 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KVDIAETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | w97ah2nbva2i tr | 3.8700 | ![]() | 7685 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97AH2NBVA2ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | W25M512JWEIQ | 5.8370 | ![]() | 4684 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
![]() | W25Q32JVSFIM | - | ![]() | 1993年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSFIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q16jwxhim tr | 0.5057 | ![]() | 4565 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-xson (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWXHIMTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
W25N512GVPIG | 1.9638 | ![]() | 6671 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVPIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | W25N512GVEIT TR | 1.9405 | ![]() | 8038 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVEITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25q256jweiq tr | 2.4000 | ![]() | 6882 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWEIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | w25q32jwxgim tr | 0.6776 | ![]() | 2074 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-xson (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWXGIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | w25q01jvzeim | 11.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVZEIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | |
w631gg6nb11i tr | 4.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | W9816G6JH-7I | 1.4818 | ![]() | 6628 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | W9816G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9816G6JH-7I | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5 ns | ドラム | 1m x 16 | lvttl | - | |
w631gg6nb09i | 4.9700 | ![]() | 198 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6NB09I | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
w632gg6nb15i tr | 4.5600 | ![]() | 8201 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GG6NB15ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | w25q32jvsniq tr | 0.6197 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSNIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
W29N02KVSIAE TR | 4.2548 | ![]() | 7794 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KVSIAETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 25ns | |||
W74M12JWZPIQ | 3.3400 | ![]() | 564 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M12 | フラッシュ | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M12JWZPIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | w63ah6nbvade tr | 4.1409 | ![]() | 8382 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH6NBVADETR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | W74M12JWZEIQ | 2.6328 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M12 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M12JWZEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | W25M512JWFIQ | 6.1811 | ![]() | 9739 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWFIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
![]() | W25N01GVTBIT | - | ![]() | 9019 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W631GU8NB-12 TR | 3.0281 | ![]() | 5782 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB-12TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w25q16jvbyiq tr | 0.4669 | ![]() | 2803 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wlcsp(1.68x1.64) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVBYIQTR | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25q01nwsfiq | 10.4315 | ![]() | 5181 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q01 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01NWSFIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |
![]() | w25q01nwsfim tr | 10.0800 | ![]() | 9185 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q01 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01NWSFIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms |
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