画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w632gg8nb11j | - | ![]() | 5462 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W25Q16DWSSBG | - | ![]() | 9486 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWSSBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
![]() | w25b40avsnig t&r | - | ![]() | 3915 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25B40 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | w959d8nfya4ii tr | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W959D8 | ハイパーラム | 1.7V〜2V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W959D8NFYA4IITR | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 512mbit | 28 ns | ドラム | 64m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |||
![]() | W25Q20EWNB03 | - | ![]() | 1427 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | - | - | - | W25Q20 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q20EWNB03 | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |||
![]() | W25Q32JVSFIM | - | ![]() | 1993年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSFIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w25n04kvzeiu | 6.0522 | ![]() | 6467 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVZEIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
W25Q32FWBYIC TR | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 12-ufbga、wlcsp | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 12-wlcsp(2.31x2.03 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q32fwbyictr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | W25R256JVFIQ TR | 3.2204 | ![]() | 5915 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25R256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R256JVFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 7 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w97ah6nbva1i | 5.6900 | ![]() | 102 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97AH6NBVA1I | ear99 | 8542.32.0032 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
w25x20clzpig | 0.3913 | ![]() | 2919 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25x20 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 800µs | ||||
![]() | w66cl2nquagi tr | - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |||
![]() | W631GG8MB-12 | - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA(10.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | w25q40clsnig | 0.4200 | ![]() | 128 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | w25q32jvuuim tr | 0.5808 | ![]() | 1657 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25Q32JVUUIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |||
![]() | W979H6KBVX1E | 5.8044 | ![]() | 4344 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W979H6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W979H6KBVX1E | ear99 | 8542.32.0028 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w25q32jvzeam | - | ![]() | 1062 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVZeam | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W25Q32JVSFAM | - | ![]() | 2867 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSFAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q80bluxig tr | - | ![]() | 6370 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | W958D6DBCX7I | 6.4673 | ![]() | 2780 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | W958D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W958D6DBCX7I | ear99 | 8542.32.0002 | 480 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 70 ns | psram | 16m x 16 | 平行 | - | |
![]() | W25Q16JWUUSQ | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWUUSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25x10avsnig | - | ![]() | 7161 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x10 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 3ms | |||
![]() | w25q128jvyiq tr | - | ![]() | 9979 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-ufbga、wlcsp | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVYIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |
![]() | W25N01GVTBIG | 3.1110 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W25Q128FVCJQ | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w631gg8nb11i | 4.8800 | ![]() | 242 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB11I | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
![]() | W25R512NWEIQ | 3.9297 | ![]() | 4660 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25R512NWEIQ | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | - | spi | - | |||||
w632gu6nb11i tr | 4.6650 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W632GU6NB11ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W25N512GWEIT | 2.3226 | ![]() | 9208 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GWEIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
w29n01hzsinf tr | 2.9057 | ![]() | 5992 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZSINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 25ns |
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