SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q16DWUUBG Winbond Electronics w25q16dwuubg -
RFQ
ECAD 3761 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON (4x3) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16DWUUBG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
W25Q16JWXHIM TR Winbond Electronics w25q16jwxhim tr 0.5057
RFQ
ECAD 4565 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-xson (2x3) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JWXHIMTR ear99 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25M321AVEIT TR Winbond Electronics w25m321aveit tr -
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M321 フラッシュ -ナンド、フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M321AVEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 32mbit(flash-nor )、 1gbit(フラッシュナンド) 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16JWUXIM Winbond Electronics w25q16jwux -
RFQ
ECAD 3944 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JWUXIX ear99 8542.32.0071 1 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q32JWZPIM TR Winbond Electronics w25q32jwzpim tr 0.6776
RFQ
ECAD 3977 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JWZPIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W959D8NFYA4I TR Winbond Electronics w959d8nfya4i tr 4.0265
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 24-tbga ハイパーラム 1.7V〜2V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W959D8NFYA4ITR 2,000 250 MHz 揮発性 512mbit 28 ns ドラム 64m x 8 ハイパーバス 35ns
W25M02GVTBIG Winbond Electronics W25M02GVTBIG -
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M02GVTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W632GG6NB11I Winbond Electronics w632gg6nb11i 5.3998
RFQ
ECAD 6460 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W632GG8AB-11 Winbond Electronics W632GG8AB-11 -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-WBGA(10.5x8) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W989D2DBJX6E Winbond Electronics W989D2DBJX6E 3.3776
RFQ
ECAD 4882 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 90-TFBGA W989D2 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W989D2DBJX6E ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 lvcmos 15ns
W948D6FBHX6G Winbond Electronics w948d6fbhx6g -
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W948D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 312 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W632GG8NB-12 TR Winbond Electronics w632gg8nb-12 tr 4.1562
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W632GG8NB-12TTR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
W632GG6MB09J Winbond Electronics W632GG6MB09J -
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 1.067 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25N02JWSFIF Winbond Electronics W25N02JWSFIF 5.5165
RFQ
ECAD 3375 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25N02 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N02JWSFIF 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、dtr 700µs
W25Q256JVMIM Winbond Electronics w25q256jvmim -
RFQ
ECAD 9355 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga露出パッド W25Q256 フラッシュ - 確認されていません 2.7V〜3.6V 8-wflga (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JVMIM 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W979H6KBVX1I TR Winbond Electronics w979h6kbvx1i tr 4.9500
RFQ
ECAD 9835 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W979H6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W979H6KBVX1ITR ear99 8542.32.0028 3,500 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q01NWSFIQ Winbond Electronics w25q01nwsfiq 10.4315
RFQ
ECAD 5181 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q01NWSFIQ 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W978H6KBVX2E TR Winbond Electronics W978H6KBVX2E TR 4.3650
RFQ
ECAD 5913 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W978H6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W978H6KBVX2ETR ear99 8542.32.0024 3,500 400 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 16m x 16 HSUL_12 15ns
W972GG8KS-25 TR Winbond Electronics W972GG8KS-25 TR 9.3150
RFQ
ECAD 5807 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA W972GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA (8x9.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W972GG8KS-25TR ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q256JWPIQ TR Winbond Electronics w25q256jwpiq tr 2.2500
RFQ
ECAD 4132 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JWPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W9812G6KH-6 Winbond Electronics W9812G6KH-6 1.8900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) W9812G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
W632GU6MB15I Winbond Electronics W632GU6MB15I -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25N01GVTCIG TR Winbond Electronics w25n01gvtcig tr -
RFQ
ECAD 2508 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N01GVTCIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W29N01HWBINA Winbond Electronics W29N01HWBINA 3.7146
RFQ
ECAD 4587 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N01HWBINA 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
W25Q20EWSVIG Winbond Electronics w25q20ewsvig -
RFQ
ECAD 1108 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q20EWSVIG ear99 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
W25Q64FWZPSQ Winbond Electronics w25q64fwzpsq -
RFQ
ECAD 7626 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (6x5) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64FWZPSQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25N04KVTCIU Winbond Electronics W25N04KVTCIU 6.3325
RFQ
ECAD 2301 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25N04KVTCIU 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W29N08GZSIBF TR Winbond Electronics W29N08GZSIBF TR 12.7500
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W29N08GZSIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 onfi 35NS 、700µs
W25Q32JVSFSM Winbond Electronics W25Q32JVSFSM -
RFQ
ECAD 7457 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JVSFSM 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W9751G8KB25I TR Winbond Electronics w9751g8kb25i tr -
RFQ
ECAD 6096 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W9751G8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫