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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25R512JVEIQ TR Winbond Electronics w25r512jveiq tr 5.8350
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R512JVEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -
W71NW20GD1DW Winbond Electronics W71NW20GD1DW -
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA W71NW20 フラッシュ-nand、dram -lpddr 1.7V〜1.95V 130-fbga （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W71NW20GD1DW 240 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND フラッシュ、ラム - - -
W631GG6NB12I Winbond Electronics w631gg6nb12i 4.8100
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB12I ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GG8NB12I TR Winbond Electronics w631gg8nb12i tr 4.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W631GU8NB12I Winbond Electronics W631GU8NB12I 4.8100
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU8NB12I ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W9864G6JT-6I Winbond Electronics W9864G6JT-6I 3.0886
RFQ
 ECAD 2270 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA W9864G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W9864G6JT-6I ear99 8542.32.0024 319 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 lvttl -
W25Q16JVSNIM TR Winbond Electronics w25q16jvsnim tr 0.4304
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JVSNIMTR ear99 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W94AD6KBHX6I Winbond Electronics w94ad6kbhx6i 4.3349
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W94AD6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W94AD6KBHX6I ear99 8542.32.0032 312 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 lvcmos 15ns
W25N01GWZEIT Winbond Electronics W25N01GWZEIT -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01GWZEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 1gbit 8 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W74M00AVSSIG Winbond Electronics w74m00avssig 0.8390
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M00AVSSIG 3A991B1A 8542.32.0071 300 80 MHz 不揮発性 - フラッシュ - -
W63AH2NBVACE Winbond Electronics w63ah2nbvace 4.7314
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH2NBVACE ear99 8542.32.0032 189 933 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25R64JVSSIQ TR Winbond Electronics W25R64JVSSIQ TR 1.5584
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R64JVSSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25R128JWSIQ TR Winbond Electronics W25R128JWSIQ TR 2.2319
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JWSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -
W25Q256JWCIQ Winbond Electronics w25q256jwciq -
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWCIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25N02JWSFIF Winbond Electronics W25N02JWSFIF 5.5165
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02JWSFIF 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、dtr 700µs
W25Q128JWFIM Winbond Electronics w25q128jwfim -
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWFIM 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W97AH2NBVA2E Winbond Electronics w97ah2nbva2e 4.4852
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97AH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97AH2NBVA2E ear99 8542.32.0032 168 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W631GU8NB15I TR Winbond Electronics w631gu8nb15i tr 4.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W25Q40EWBYIG TR Winbond Electronics w25q40ewbyig tr 0.4169
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP W25Q40 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wlcsp（1.34x1.63） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q40WBYIGTR ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 30µs 、800µs
W25N02JWSFIC Winbond Electronics W25N02JWSFIC 5.5165
RFQ
 ECAD 9993 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02JWSFIC 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、dtr 700µs
W29N01HZDINA TR Winbond Electronics W29N01HZDINA TR 3.2726
RFQ
 ECAD 4803 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA W29N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （8x6.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N01HZDINATR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 不揮発性 1gbit 22 ns フラッシュ 128m x 8 onfi 25ns
W25M02GVSFIT TR Winbond Electronics W25M02GVSFIT TR -
RFQ
 ECAD 3993 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVSFITTR 廃止 1,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25N04KVZEIU Winbond Electronics w25n04kvzeiu 6.0522
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N04KVZEIU 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W25N01GVTCIG TR Winbond Electronics w25n01gvtcig tr -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01GVTCIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q32JVTCIM TR Winbond Electronics w25q32jvtcim tr -
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVTCIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N512GVFIR Winbond Electronics W25N512GVFIR 2.1360
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVFIR 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q64FWZPAQ Winbond Electronics w25q64fwzpaq -
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FWZPAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25Q64JWZPSM Winbond Electronics w25q64jwzpsm -
RFQ
 ECAD 6831 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWZPSM 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64JWSSAQ Winbond Electronics w25q64jwssaq -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWSSAQ 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q64FWZPSQ Winbond Electronics w25q64fwzpsq -
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FWZPSQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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