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メモリ（2872）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
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w25q80jvsviq tr	-	RFQ	4887	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	W25Q80	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-VSOP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	133 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi -quad i/o	3ms
W25Q64FVSH02	-	RFQ	3018	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-	-	-	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1	104 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	3ms
W25Q32BVSSSG	-	RFQ	5042	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25Q32	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q32BVSSSG	廃止		1	104 MHz	不揮発性	32mbit	5 ns	フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
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w25q64cvzejp tr	-	RFQ	8680	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	w25q64cvzejptr	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	80 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
w631gg6nb12j	-	RFQ	9483	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG6NB12J	ear99	8542.32.0032	198	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	SSTL_15	15ns
w631gu6nb11j tr	-	RFQ	7660	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GU6NB11JTR	ear99	8542.32.0032	3,000	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
w634gu8qb09i tr	6.0300	RFQ	9129	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W634GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W634GU8QB09ITR	ear99	8542.32.0036	2,000	1.06 GHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
w631gg8mb15j tr	-	RFQ	6148	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GG8MB15JTR	廃止		2,000	667 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	SSTL_15	15ns
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w631gu8nb09i tr	5.0400	RFQ	2	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W631GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,000	1.066 GHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
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w25q16fwuxie	-	RFQ	2791	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-ufdfn露出パッド	W25Q16	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-USON	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q16FWUXIE	廃止	8542.32.0071	1	104 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o、qpi	60µs、3ms
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w25q32jwbyim tr	0.7341	RFQ	8482	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	12-ufbga、wlcsp		フラッシュ - （slc）	1.7V〜1.95V	12-wlcsp（2.31x2.03	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		256-W25Q32JWBYIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	不揮発性	32mbit	6 ns	フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	5ms
W9725G6KB-18	2.3430	RFQ	5267	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	W9725G6	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-WBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	209	533 MHz	揮発性	256mbit	350 PS	ドラム	16m x 16	平行	15ns
w25q257jvfiq tr	-	RFQ	5739	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q257	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	3ms
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w631gg6mb12i	-	RFQ	9163	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	198	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	-
W972GG6JB-3	-	RFQ	3136	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	W972GG6	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-WBGA （11x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	W972GG6JB3	ear99	8542.32.0032	144	333 MHz	揮発性	2Gbit	450 PS	ドラム	128m x 16	平行	15ns
w989d6dbgx6i tr	3.0117	RFQ	7709	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TFBGA	W989D6	SDRAM- lPSDR	1.7V〜1.95V	54-VFBGA （8x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	揮発性	512mbit	5 ns	ドラム	32m x 16	平行	15ns
W9825G6JH-6 TR	-	RFQ	5708	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	W9825G6	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	揮発性	256mbit	5 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
w25q256jvfjm	-	RFQ	2622	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q256	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.39.0001	44	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	3ms
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W25R128FVSIQ	-	RFQ	9356	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25R128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25R128FVSIQ	廃止	8542.32.0071	90	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	50µs、3ms
W631GU6NB-12 TR	2.9101	RFQ	2199	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GU6NB-12TTR	ear99	8542.32.0032	3,000	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
w25q64fvtbaq	-	RFQ	1171	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-TFBGA	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q64FVTBAQ	廃止		1	104 MHz	不揮発性	64mbit	7 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	50µs、3ms
w25q64jvzeam	-	RFQ	5124	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-wdfn露出パッド	W25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-wson （8x6）	-		3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W25Q64JVZeam			1	133 MHz	不揮発性	64mbit	6 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	3ms
W631GG6MB-11	-	RFQ	8805	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	198	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（2872）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²