画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w25q128fvpaq | - | ![]() | 7603 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVPAQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | w25q128jvjaq | - | ![]() | 3627 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | - | - | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVJAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W25Q128FVFAQ | - | ![]() | 7662 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q128 | 16-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVFAQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | W25Q128FVBAQ | - | ![]() | 3361 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVBAQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
![]() | W25Q128FVBBQ | - | ![]() | 6875 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVBBQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
w25q64fwzpaq | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FWZPAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
w25q64jwzpsm | - | ![]() | 6831 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWZPSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | w25q64jwssaq | - | ![]() | 2374 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWSSAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
w25q64fwzpsq | - | ![]() | 7626 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FWZPSQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
![]() | w631gg8nb11j tr | - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB11JTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
![]() | w631gg8mb15j tr | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8MB15JTR | 廃止 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
w631gg6mb09i tr | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB09ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | w631gu6nb11j tr | - | ![]() | 7660 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB11JTR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | w631gg8mb11j tr | - | ![]() | 3936 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8MB11JTR | 廃止 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | W631GU6MB09J TR | - | ![]() | 5714 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6MB09JTR | 廃止 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w631gu6nb15j tr | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB15JTR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
w631gg6mb09j tr | - | ![]() | 3455 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB09JTR | 廃止 | 3,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | W631GU6MB09I TR | - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6MB09ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | w631gg8nb09j | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB09J | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
w631gg6nb12j | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6NB12J | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | w631gg8mb11j | - | ![]() | 6015 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8MB11J | 廃止 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
w631gg6mb11j | - | ![]() | 6124 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB11J | 廃止 | 198 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | W631GU6NB11J | - | ![]() | 4994 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB11J | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
w631gg6mb09i | - | ![]() | 8054 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB09I | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
w631gg6nb09j | - | ![]() | 4723 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6NB09J | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | w631gg8mb12j | - | ![]() | 7227 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8MB12J | 廃止 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
w631gg6mb09j | - | ![]() | 7072 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB09J | 廃止 | 198 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | W631GU6MB11J | - | ![]() | 2072 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6MB11J | 廃止 | 198 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W634GU8QB-09 | 5.9753 | ![]() | 9825 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB-09 | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w66bp6nbuahj tr | 4.5672 | ![]() | 9768 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66bp6 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66bp6nbuahjtr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns |
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