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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q41EWWS Winbond Electronics w25q41ewws -
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ - - W25Q41 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q41EWWS 1 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o -
W9812G6KH-6I Winbond Electronics W9812G6KH-6I 1.7857
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） W9812G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 -
W25Q41EWSNAG Winbond Electronics w25q41ewsnag -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q41 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q41EWSNAG 1 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o -
W25N04KVTCIU TR Winbond Electronics w25n04kvtciu tr 5.9394
RFQ
 ECAD 6206 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga W25N04 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N04KVTCIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 250µs
W25Q128JVFAM Winbond Electronics w25q128jvfam -
RFQ
 ECAD 1939年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JVFAM 1 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W959D8NFYA4I Winbond Electronics w959d8nfya4i 4.4209
RFQ
 ECAD 7959 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W959D8 ハイパーラム 1.7V〜2V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 480 250 MHz 揮発性 512mbit 28 ns ドラム 64m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q128FWYIC TR Winbond Electronics W25Q128FWYIC TR -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-ufbga、wlcsp W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 32-wlcsp（3.98x3.19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128FWYICTR 廃止 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25Q256FVEJF Winbond Electronics w25q256fvejf -
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25N512GWEIT TR Winbond Electronics W25N512GWEIT TR 2.0721
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GWEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W74M64JVSSIQ TR Winbond Electronics W74M64JVSSIQ TR 1.5086
RFQ
 ECAD 9840 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W74M64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 256-W74M64JVSSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o -
W632GG6KB-09 Winbond Electronics W632GG6KB-09 -
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 1066 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q64FVSFIG Winbond Electronics w25q64fvsfig -
RFQ
 ECAD 5600 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W971GG8NB-18I Winbond Electronics w971gg8nb-18i 3.4679
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-VFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x9.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8NB-18I ear99 8542.32.0032 264 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W97AH6KBQX2E Winbond Electronics w97ah6kbqx2e -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-wfbga W97AH6 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 168 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25M02GVTBJR Winbond Electronics W25M02GVTBJR -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTBJR 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q64JVSSIQ Winbond Electronics W25Q64JVSSIQ 1.0500
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q256JVEJM Winbond Electronics w25q256jvejm -
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.39.0001 63 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q32JWZPIM Winbond Electronics W25Q32JWZPIM 1.4400
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JWZPIM 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q16JWUXIQ TR Winbond Electronics w25q16jwuxiq tr -
RFQ
 ECAD 1603 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWUXIQTR ear99 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q01NWTBIM TR Winbond Electronics w25q01nwtbim tr 10.4100
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q01NWTBIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W631GG6NB-12 Winbond Electronics w631gg6nb-12 4.1500
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-12 ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W9816G6JH-7I Winbond Electronics W9816G6JH-7I 1.4818
RFQ
 ECAD 6628 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） W9816G6 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W9816G6JH-7I ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 揮発性 16mbit 5 ns ドラム 1m x 16 lvttl -
W29N08GVBIAA Winbond Electronics W29N08GVBIAA 12.9129
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N08GVBIAA 3A991B1A 8542.32.0071 210 40 MHz 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 平行 25ns
W25Q64FWSSIQ Winbond Electronics w25q64fwssiq -
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 5ms
W25Q256JWCIQ Winbond Electronics w25q256jwciq -
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256JWCIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W631GG6MB15I TR Winbond Electronics w631gg6mb15i tr -
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W25Q256JVCJM Winbond Electronics w25q256jvcjm -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.39.0001 480 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG8NB-15 Winbond Electronics w631gg8nb-15 3.2150
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8NB-15 ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W632GU8MB-15 Winbond Electronics W632GU8MB-15 -
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q16DWSSIG Winbond Electronics w25q16dwssig -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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