画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w66cq2nquafj tr | 6.6000 | ![]() | 8202 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66CQ2 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CQ2NQUAFJTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w66cl2nquagj tr | 8.8650 | ![]() | 4252 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CL2NQUAGJTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w29n02kwdibf | - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KWDIBF | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | 25ns | ||
![]() | w66cl2nquafj | 9.1585 | ![]() | 2732 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CL2NQUAFJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w66cl2nquafj tr | 8.4900 | ![]() | 9626 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CL2NQUAFJTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w29n02kwbibf tr | - | ![]() | 5894 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KWBIBFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | 25ns | ||
![]() | w66bq6nbuahj tr | 4.5672 | ![]() | 7208 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66BQ6 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BQ6NBUAHJTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W25M02GVTBIG | - | ![]() | 5710 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w66cm2nquafj | 9.3041 | ![]() | 6264 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66cm2 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CM2NQUAFJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w66bm6nbuagj | 6.9617 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66BM6 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BM6NBUAGJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w66cp2nquahj tr | 6.6750 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66CP2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66cp2nquahjtr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w66cm2nquagj | 9.7572 | ![]() | 2997 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66cm2 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66cm2nquagj | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w66bp6nbuafj | 5.1184 | ![]() | 5587 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66bp6 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BP6NBUAFJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W634GU8QB-09 TR | 5.2371 | ![]() | 7385 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB-09TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w634gu8qb09i tr | 6.0300 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB09ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.06 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | w66bp6nbuafj tr | 4.4759 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66bp6 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66bp6nbuafjtr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W947D2HKZ-5J TR | - | ![]() | 9250 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W947D2HKZ-5JTR | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | w948d6fbhx6i tr | - | ![]() | 8495 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W948D6FBHX6ITR | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W947D2HKZ-6G | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W947D2HKZ-6G | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W947D6HKB-5J | - | ![]() | 9017 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W947D6HKB-5J | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W947D2HKZ-5J | - | ![]() | 7329 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W947D2HKZ-5J | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W9812G6KB-6 | 4.4900 | ![]() | 319 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 54-TFBGA | W9812G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 319 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w77q32jwssiq tr | 1.1151 | ![]() | 7214 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W77Q32 | フラッシュ | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W77Q32JWSSIQTR | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | - | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | W77Q32JWSSIQ | 1.1718 | ![]() | 8190 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W77Q32 | フラッシュ | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W77Q32JWSSIQ | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | - | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | w959d8nfya4i | 4.4209 | ![]() | 7959 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W959D8 | ハイパーラム | 1.7V〜2V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 480 | 250 MHz | 揮発性 | 512mbit | 28 ns | ドラム | 64m x 8 | ハイパーバス | 35ns | ||||
![]() | w959d8nfya4ii tr | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W959D8 | ハイパーラム | 1.7V〜2V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W959D8NFYA4IITR | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 512mbit | 28 ns | ドラム | 64m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |||
![]() | w958d8nbya4i | 4.6000 | ![]() | 368 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W958D8 | psram(pseudo sram | 1.7V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 480 | 250 MHz | 揮発性 | 256mbit | 28 ns | psram | 32m x 8 | ハイパーバス | 35ns | ||
![]() | W9825G6KB-6 | 5.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 54-TFBGA | W9825G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 319 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | W9412G6JB-4 TR | - | ![]() | 1036 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | W9412G6 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | - | 256-W9412G6JB-4TR | 廃止 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 650 PS | ドラム | 8m x 16 | SSTL_2 | 12ns | |||||
![]() | w29n04gvbiaa tr | 6.6780 | ![]() | 3787 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W29N04GVBIAATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 4gbit | 20 ns | フラッシュ | 512m x 8 | onfi | 25ns 、700µs |
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