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メモリ（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W631GG6NB-15 Winbond Electronics w631gg6nb-15 4.0800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB-15 ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W979H2KBVX2E Winbond Electronics W979H2KBVX2E 5.8044
RFQ
 ECAD 4852 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W979H2 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 168 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 15ns
W9425G6EH-5 Winbond Electronics W9425G6EH-5 -
RFQ
 ECAD 5608 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） W9425G6 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 250 MHz 揮発性 256mbit 55 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W971GG8SS-25 TR Winbond Electronics W971GG8SS-25 TR -
RFQ
 ECAD 5718 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x9.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG8SS-25TR 廃止 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 SSTL_18 15ns
W25Q32JVZPJQ TR Winbond Electronics w25q32jvzpjq tr -
RFQ
 ECAD 1401 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q32JVZPJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128JVTIQ TR Winbond Electronics w25q128jvtiq tr -
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W948D6KBHX5I TR Winbond Electronics w948d6kbhx5i tr 1.9522
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA W948D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W25Q32BVSSJP Winbond Electronics W25Q32BVSSJP -
RFQ
 ECAD 2243 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W74M12FVSSIQ TR Winbond Electronics W74M12FVSSIQ TR -
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 ECAD 8021 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W74M12 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 256-W74M12FVSSIQTR 8542.32.0071 2,000 80 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W25Q32FVTCIP Winbond Electronics w25q32fvtcip -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q128FWSIG TR Winbond Electronics w25q128fwsig tr -
RFQ
 ECAD 4021 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W25Q128JWFIM Winbond Electronics w25q128jwfim -
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWFIM 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG8KB12I Winbond Electronics w631gg8kb12i -
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-WBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25Q64FVSSBQ Winbond Electronics W25Q64FVSSBQ -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64FVSSBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W74M12JWZEIQ Winbond Electronics W74M12JWZEIQ 2.6328
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W74M12 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M12JWZEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
W631GG8NB11I TR Winbond Electronics w631gg8nb11i tr 4.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W29N04KZSIBF Winbond Electronics W29N04KZSIBF 7.5822
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N04KZSIBF 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 35NS 、700µs
W25Q64CVTBIG TR Winbond Electronics w25q64cvtbig tr -
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q64cvtbigtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W632GU8AB-12 Winbond Electronics W632GU8AB-12 -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC - - W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W631GU6MB12I TR Winbond Electronics W631GU6MB12I TR -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W9425G6JB-5I Winbond Electronics W9425G6JB-5I -
RFQ
 ECAD 9597 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA W9425G6 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 209 200 MHz 揮発性 256mbit 55 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W25Q128FVEIG Winbond Electronics w25q128fveig -
RFQ
 ECAD 8122 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W29N04KZBIBF TR Winbond Electronics w29n04kzbibf tr 6.9549
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W29N04KZBIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 35NS 、700µs
W25Q64FVSSJQ TR Winbond Electronics W25Q64FVSSJQ TR -
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q64FVSSJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q16BVSFIG Winbond Electronics w25q16bvsfig -
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W632GG6NB-15 Winbond Electronics W632GG6NB-15 4.6787
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q32JVTCIQ Winbond Electronics w25q32jvtciq 0.9708
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W29N02KWBIBF TR Winbond Electronics w29n02kwbibf tr -
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KWBIBFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 不揮発性 2Gbit 22 ns フラッシュ 128m x 16 平行 25ns
W25Q20EWSNIG Winbond Electronics w25q20ewsnig 0.4800
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
W63AH6NBVADE TR Winbond Electronics w63ah6nbvade tr 4.1409
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH6 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH6NBVADETR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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