画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25Q80EWSSBG | - | ![]() | 8098 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80EWSSBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |||
![]() | W9825G2JB-6I TR | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | W9825G2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25q64cvtbip tr | - | ![]() | 2004年年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q64cvtbiptr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||
![]() | w25m321aveit tr | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M321 | フラッシュ -ナンド、フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M321AVEITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit(flash-nor )、 1gbit(フラッシュナンド) | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | w97ah2nbva2i | 4.4852 | ![]() | 4048 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97AH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97AH2NBVA2I | ear99 | 8542.32.0032 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w29n01hzbinf | 4.1700 | ![]() | 174 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZBINF | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 40 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |
![]() | w25q256jweim tr | - | ![]() | 3658 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWEIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | w25q128fweig tr | - | ![]() | 6732 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | W25Q128FVCJQ | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128jvyiq tr | - | ![]() | 9979 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-ufbga、wlcsp | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVYIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |
![]() | w25q512jvfiq tr | 4.7899 | ![]() | 5134 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q512jvfiqtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | W632GG8MB11J | - | ![]() | 3792 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q64cvsfig | - | ![]() | 5831 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q256fveiq | - | ![]() | 4585 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q16jwuuim tr | - | ![]() | 6306 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWUUIMTR | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
W29N04GVSIAF | 7.2782 | ![]() | 5074 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N04 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | W25R512NWEIQ | 3.9297 | ![]() | 4660 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25R512NWEIQ | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | - | spi | - | |||||
W632GU6MB12I TR | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 3,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w25q16dvuuig tr | - | ![]() | 6639 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128jvciq tr | 1.6261 | ![]() | 8695 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w25q16dvssjp tr | - | ![]() | 4513 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W25Q16DVSSJPTR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||
![]() | W29N04GVBIAA | 6.9031 | ![]() | 7962 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N04 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | w66bm6nbuagj | 6.9617 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66BM6 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BM6NBUAGJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w25q32fwssig | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
w631gg6nb12i tr | 4.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | w66cl2nquagi tr | - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |||
![]() | w25q128jvbiq tr | 1.6261 | ![]() | 7265 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | W29N01HVBINF | 3.1271 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | W947D2HKZ-6G | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W947D2HKZ-6G | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W632GU8NB15I | 5.2744 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns |
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