画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W29N04GVBIAA | 6.9031 | ![]() | 7962 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N04 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | w66bm6nbuagj | 6.9617 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66BM6 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BM6NBUAGJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w25q32fwssig | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
w631gg6nb12i tr | 4.8800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
![]() | w66cl2nquagi tr | - | ![]() | 2262 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |||
![]() | w25q128jvbiq tr | 1.6261 | ![]() | 7265 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | W29N01HVBINF | 3.1271 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | W947D2HKZ-6G | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W947D2HKZ-6G | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W632GU8NB15I | 5.2744 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25n512gvbit tr | 2.3696 | ![]() | 1726 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVBittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W632GU8MB-09 | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.067 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q32fvzejq tr | - | ![]() | 6458 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W25Q32FVZEJQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||
w25q16dvzpjg tr | - | ![]() | 6141 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q16dvzpjgtr | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25m121aveit tr | - | ![]() | 2253 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M121 | フラッシュ -ナンド、フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M121AVEITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128MBIT(フラッシュ - ナー1gbit(フラッシュナンド) | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | W97BH2MBVA2I | 6.3460 | ![]() | 8499 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH2MBVA2I | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | W29GL128CL9T | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | W9751G6NB-18 | 2.3243 | ![]() | 7674 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-VFBGA | W9751G6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-VFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9751G6NB-18 | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | 350 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | w25q256jvbim tr | 2.5552 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | W25Q64FVSSJF | - | ![]() | 8279 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q32bvtbjg tr | - | ![]() | 2569 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W25Q32BVTBJGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||
![]() | W25Q16CVSSJP | - | ![]() | 4888 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
W632GG6KB-12 TR | - | ![]() | 1058 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w631gg8nb09j tr | - | ![]() | 6502 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB09JTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
![]() | W25N01GVTBIG | 3.1110 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W29N01HZBINA TR | 3.4053 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZBINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | w25q16jvsniq tr | 0.6400 | ![]() | 108 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w25q16jvssjq tr | - | ![]() | 3035 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W25Q16JVSSJQTR | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
w949d6dbhx5i | 3.5000 | ![]() | 7216 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | W949D6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | W25Q101010WUXIE TR | - | ![]() | 4796 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q10 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q10WUXIETR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 6 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |
![]() | W25Q64CVSSBG | - | ![]() | 2848 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64CVSSBG | 廃止 | 1 | 80 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms |
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