画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w66bm6nbuafj | 6.5683 | ![]() | 7483 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66BM6 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66BM6NBUAFJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | W25Q32JVSSJQ | - | ![]() | 6441 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
w631gg6mb15i | - | ![]() | 3988 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w25q16jlssig tr | - | ![]() | 8829 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JLSSIGTR | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
W29N01HVSINA TR | 2.8538 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.65V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HVSINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | W29N01HZDINA | 3.7011 | ![]() | 2556 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZDINA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | w29n01hzdinf tr | 3.0423 | ![]() | 4510 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZDINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | W25Q16JVSSAM | - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVSSAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
w25q16jwzpsm | - | ![]() | 2735 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWZPSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
W632GU6NB-09 | 4.8546 | ![]() | 4157 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 1.067 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w25q01jvzeiq | 11.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVZEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | ||
W25M02GVTCIT | - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVTCIT | 廃止 | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | w25q80bvsnsg | - | ![]() | 2897 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVSNSG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
w25q64fvzpbq | - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FVZPBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | w25q40clssig tr | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | W25Q32FVSFBQ | - | ![]() | 7712 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32FVSFBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | W25N04KVZEIR TR | 5.5500 | ![]() | 8312 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVZEIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
![]() | W25Q128FWSIF | - | ![]() | 8330 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FWSIF | 廃止 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||
![]() | w25q40ewsnag | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q40 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q40EWSNAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | W25Q64FVWB | - | ![]() | 8533 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FVWB | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w25n04kwtciu | 6.5799 | ![]() | 2924 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N04KWTCIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 8 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | W25N512GVBIG | - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w979h2kbvx2i tr | 4.9500 | ![]() | 5154 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W979H2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W979H2KBVX2ITR | ear99 | 8542.32.0028 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | w25q64fvtbbq | - | ![]() | 1623 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FVTBBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w71nw20gf3fw | - | ![]() | 6473 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | - | - | W71NW20 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W71NW20GF3FW | 210 | 400 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT「NAND )、1GBit (LPDDR2」 | フラッシュ、ラム | - | - | - | ||||
w25q16jwzpim tr | 0.5485 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWZPIMTR | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w958d8nbya4i tr | 3.3368 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | W958D8 | psram(pseudo sram | 1.7V〜2V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W958D8NBYA4ITR | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 256mbit | 28 ns | psram | 32m x 8 | ハイパーバス | 35ns | |||
w25q64jwzpaq | - | ![]() | 7755 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWZPAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
W25Q32JWZPAQ | - | ![]() | 8719 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWZPAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |||||
![]() | w25q32jvtbim | - | ![]() | 9357 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVTBIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms |
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